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关键词： 美国国家科学基金会   压电材料   介质   聚合物复合材料   高能量密度   州立大学   电力电子   高储能密度  

摘要： 美国国家科学基金（NSF）宣布将在Penn州立大学和NorthCarolina州立大学设立介质和压电材料研究中心。NSF将在5年内提供83万美元的建设基金，其他资金来自NSF会员公司和组织机构。中心主要研究的领域为电力电子和能量网格用高能量密度电容器、柔性电子用低温加工的二极体、特殊环境下应用的电容器、提高储能密度和改善功率分布的绝缘体用纳米聚合物复合材料二极体和晶体管。

关键词： 智能功率集成电路   功率半导体   电力电子技术  

摘要： 随着我国经济的不断发展和电子信息技术的推广普及,电力电子技术受到社会各界的广泛关注,智能功率集成电路和功率半导体器件的完美组合,形成了有鲜明时代特征的电力电子技术,这一技术能够高效地将电能从一种方便传输的形式变为另一种符合应用需求的形式,具有应用的高度适应能力和能源利用的高效性等显著特点,是一种符合绿色经济发展模式的智能技术。

关键词： 计算机控制技术   电力电子   应用  

摘要： 我国当前的科学技术得到了迅猛发展，并在实际生活当中得到了广泛应用，其中计算机控制技术在电力电子电路当中的应用就发挥着重要的作用。基于此本文主要就计算机控制技术进行详细分析，并对其在电力电子电路当中的应用加以探究，希望能够通过此次的理论研究对实际操作有所裨益。

关键词： 潜电路   电力电子变换器   无效路径  

摘要： 潜在电路在一定条件下会激发启动,影响系统的正常运行。为了提高系统的安全可靠性,找出和排除无效路径是研究热点。无效路径判断的通常做法是针对某一具体电路的方法,不具有适用性。为此,本文对无效路径排除提出了新方法,本文提出可以从开关器件所具有的特征、拓扑约束关系、元件之间的约束关系、开关元件的匹配关系等方面来进行判断无效路径。

关键词： 有源电力电子滤波器   谐波治理   电流检测法   滤波策略  

摘要： 近年来，由于人们生活水平不断提高，非线性负载在人们的生产生活中扮演者愈发重要的角色。这一转变使得电网中的谐波污染愈发严重。所以，谐波治理得到了各方面的重视。对于谐波治理这一领域，有源电力电子滤波器已经是当今治理谐波的主流。\n 工程上对于电力电子滤波器的要求主要体现在了两个方面：一是电力电子滤波器主电路能够产生正确的补偿电流，在正确的补偿电流的作用下，使得电网电流呈现出标准的正弦性，且相位与电网电压的相位相同。二是要求电力电子滤波器直流侧电压也就是电容电压要相对稳定。换言之，除了要求电力电子滤波器能够产生准确的补偿电流，还要求它能够对电容电压进行补偿。为了满足这两点要求，必须用到三项关键技术，分别为谐波电流检测法，电力电子锁相环以及SVPWM空间矢量控制。\n 本文首先对基于谐波电流检测的电力电子滤波器进行设计。基于谐波电流检测的电力电子滤波器的核心是谐波电流检测模块，现阶段主流的谐波电流检测的方法是p-q谐波电流检测法。针对p-q谐波电流检测法在电压发生畸变时的不足，本文提出了一种基于p-q检测法的改进型的谐波电流检测法。这种基于p-q检测法的改进型的谐波电流检测法，即使在电压发生畸变时也能够把谐波电流从电流中准确地分离出来。将其运用到电力电子滤波器中，本文就设计了一种基于改进型的谐波电流检测法的电力电子滤波器，仿真后的结果符合滤波要求，并且在电网电压发生畸变时也可以正常滤波。\n 为了简化控制系统，消除非理想条件下对其运行结果的影响。本文接着从能量交换的角度推导了一种无需进行谐波电流检测的滤波策略，并以此设计了一款基于无谐波电流检测的电力电子滤波器。在simulink平台上进行仿真，仿真结果符合要求，并且也能在电网电压发生畸变时达到滤波效果。\n 最后，本文对这三种电力电子滤波器，也就是基于p-q法的谐波电流检测的电力电子滤波器、基于改进型的谐波电流检测法的电力电子滤波器、基于无谐波电流检测的电力电子滤波器进行比较分析，得到了各自的优劣之处与适用环境。

关键词： 氮化镓   异质结场效应晶体管   肖特基势垒二极管   CMOS兼容   非金欧姆接触   击穿电压  

摘要： 电力电子器件是电力系统的核心，也是电力电子技术发展的主要推动力。在电力电子器件发展的历史长河中，Si功率器件一直占据着主导的地位，目前器件发展到了接近Si材料的理论极限，已经无法满足现代电力电子系统对高频化，低损耗和大功率等方面的迫切需求。作为第三代半导体材料，氮化镓(GaN)具有更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场、更高的电子迁移率和更高的极限工作温度。基于AlGaN/GaN异质结材料的器件，具有高击穿电压、低导通电阻、低开关损耗、耐高温以及抗辐射等显著优势，为电力电子器件的发展揭开了新篇章。\n AlGaN/GaN电力电子器件主要包括异质结场效应晶体管(HFET)以及肖特基势垒二极管(SBD)。本文围绕Si基CMOS兼容的AlGaN/GaN MISHFET与AlGaN/GaN SBD器件的设计、关键工艺的开发、器件的制备以及测试分析展开了研究工作，具体内容与研究结果如下:\n 1.开发了CMOS兼容的非金AlGaN/GaN欧姆接触工艺。采用Ti/Al/Ti/TiN非金欧姆接触金属体系，在850℃氮气氛围下退火45s，实现了比接触电阻率为2.8×10-5Ω·cm2，表面光滑的非金AlGaN/GaN欧姆接触。\n 2.开发了低压化学气相沉积(LPCVD) Si3N4栅极绝缘介质层工艺。实现了均一性好、击穿电场强度达10MV/cm的Si3N4介质层;实现了偏压从-20V至8V，漏电流为10-11A/mm的Si3N4/AlGaN/GaN MIS结构，并当温度升高至150℃，漏电流没有明显增加。通过C-V表征，分析了Si3N4/AlGaN/GaN界面特性，计算得到界面态密度为7.4×1011eV-1cm-2，显示出良好的界面特性。\n 3.设计与制备了CMOS兼容的AlGaN/GaN MISHFET器件。所制备的单指器件电流密度456mA/mm，击穿电压大于700V。特征导通电阻为1.3mΩ·cm2，Baliga品质因子为3.3×108V2Ω-1cm-2，超出Si与SiC材料的极限。多指器件最大电流约1.05A，击穿电压大于638V。器件击穿电压高于600V的良率大于50％。\n 4.设计与制备了多台阶场板结构的Ni/AlGaN/GaN SBD。分析了AlGaN/GaN SBD的正向电流输运机制、反向漏电流特性。器件的正向开启电压1.0V，反向击穿电压约120V。通过缓冲层的漏电流是导致器件较早击穿的主要原因，改善外延材料缓冲层的质量可以有效提高器件的击穿特性。\n 5.利用级联设计，把Si SBD与AlGaN/GaN MISHFET串联实现了低开启高阻断的级联AlGaN/GaN SBD。级联AlGaN/GaN SBD的开启电压为0.2V，反向阻断电压大于800V，反向恢复时间与罗姆商用600V SiC SBD接近，为目前报道的开启电压最小的高压AlGaN/GaN SBD。

关键词： 电源技术   三相功率因数校正   软开关技术   燃料电池发电   特种电源   电力电子技术   学报   连续出版物   逆变器   电子器件   微型电网   多电平   开关电源   稳压电源   功率器件   编辑部   电磁兼容   驱动电源   智能电网   电能质量  

摘要： 一、征稿范围1 LED驱动电源2 SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用3储能控制及系统4单相、三相功率因数校正技术5电池及充电技术6电动汽车与电力机车7电力传动与变频调速8电源标准9电源的数字控制10电源技术、产业发展展望11多电平、新颖PWM控制12高频磁元件和集成磁技术13加热、电焊等特种电源14交流稳定电源15逆变器与UPS16软开关技术17太阳能、风力、燃料电池发电18微型电网、智能电网中的电力电子技术19系统仿真、建模与控制20谐波、电磁兼容和电能质量控制21新颖开关电源22节能减排与应对气候变化

关键词： 电力电子技术   变压器设计   应用与分析  

摘要： 电力电子技术融入电力系统中的变压器,是当前国际上较为先进的理念,与传统变压器相比,不仅能够提高当前的电能质量,并且能够提高电网的利用效率,具有很大优势.本文首先是对电力电子技术在变压器中应用的基本原理进行阐述,对电力电子变压器的几种电路类型进行了研究,并且着重分析了双PWM变换的电力电子变压器.

关键词： 博士后管理   创新   陕西省   设备状态监测   西安工程大学   科技创新团队   输变电   智能电网   电力电子技术  

摘要： 西安工程大学-陕西省博士后创新基地(以下简称"创新基地")依托于陕西省重点科技创新团队"智能电网输变电设备状态监测技术创新团队",于2014年由陕西省人力资源和社会保障厅、陕西省博士后管理委员会办公室批准。创新基地重点围绕智能电网输变电设备状态监测技术、新能源与电力电子、电力电子器件与功率