关键词:
极化库仑场散射
AlGaN/GaN电力电子器件
钝化
场板
AlGaN势垒层应变分布
摘要:
电力电子器件(Power electronic device)也叫做功率器件,是一种对电能实现传输、控制和转换的器件,在电力电子技术及电力系统中居于至关重要的地位,在军工设备、汽车电子、家用电器、轨道交通及通信、信息系统中有着十分广泛的应用。到目前为止,电力电子器件主要使用半导体材料制备,经由微电子加工工艺制造而成。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在第三代半导体中备受青睐。基于GaN材料较大的禁带宽度(Eg),该类器件可获得良好的关态耐压特性。自发极化和压电极化效应在AlGaN/GaN界面形成大量极化正电荷,使得异质结量子阱中2DEG面密度非常高,显示了强大的电流处理能力和更高的载流子迁移率,并由此获得更低的特征开态电阻(RON·A)和更快的开关速度。此外,GaN材料良好的热导率及相对稳定的化学性质,使得AlGaN/GaN HEMTs具有较强的抗腐蚀和抗辐射能力,适合在高温等更多恶劣的环境中工作。对于传统工艺制备的电力电子器件来说,表面钝化与淀积场板已成为不可或缺的步骤,这些工艺步骤必然会对器件的势垒层应变产生影响,并进一步改变器件工作时的电学特性,为厘清器件钝化后的工作机理,必须得到钝化过程对沟道二维电子气的影响,以及器件在表面钝化后AlGaN势垒层中应变分布发生的变化。通常由高分辨率X射线衍射(high resolution X-ray diffraction,HRXRD)拉曼(Raman)光谱、光致发光(photoluminescence,PL)谱三种实验方法来确定GaN外延层应变,但是,由于AlGaN势垒层20 nm左右的超薄厚度,其内部确切的应变分布很难通过以上实验测试手段获取;尤其是HRXRD只能提供材料的某一层平面一定范围内应变的平均数值,对于制备后器件的电学特性和结构变化的表征无能为力,无法确定表面钝化后器件AlGaN势垒层中新的应变分布或沟道二维电子气面密度分布,这对于研究钝化后AlGaN/GaN HEMTs的工作机理是一个巨大瓶颈。因此到目前为止,对器件钝化后沟道二维电子气面密度分布及AlGaN势垒层应变分布的定量确定方法尚未见报道。极化库仑场散射(The polarization Coulomb field scattering,PCF)是一种对GaN基电子器件的输运特性起到关键影响作用的散射机制,深入研究极化库仑场散射对钝化及淀积场板后AlGaN/GaN电力电子器件性能的影响,并在此基础上进一步优化器件设计,提高器件性能具有很重要的意义,基于以上讨论,本论文着重进行了下列研究:1.一种确定AlGaN/GaN电力电子器件表面钝化后沟道二维电子气面密度分布方法的研究。对于AlGaN/GaN电力电子器件,势垒层中极化电荷对器件性能的影响至关重要,而极化效应是与势垒层应变直接相关的,器件势垒层的应变直接影响着沟道二维电子气的特性。然而,由于AlGaN势垒层的超薄厚度以及栅金属的阻挡作用,通过HRXRD等常规测试方法无法直接得到器件钝化后沟道二维电子气面密度的分布信息,因而非常有必要研究一种可以直接确定器件钝化后沟道二维电子气面密度分布的方法。极化库仑场散射源于势垒层应变分布不均匀,利用极化库仑场散射理论,结合器件的电学特性测试分析,可定量确定AlGaN/GaN电力电子器件表面钝化后沟道二维电子气面密度的分布。为此,制备了源漏间距100 μm,栅长为20 μm的AlGaN/GaN HEMTs,通过测试获得了器件钝化前后的电流-电压(I-V)特性,电容-电压(C-V)特性及漏电特性等,发现器件经过400 nm-Si3N4表面钝化后呈现了更为良好的电学性能,作为电力电子器件开态重要性能的特征开态电阻RON·A的数值在器件钝化后降低了12.7%,膝点电压也较钝化减小了 7.1%,显示了钝化后器件更好的电导特性。分别研究了器件钝化前后的漏电特性和转移特性等,确定了器件钝化后的极化库仑场散射势,根据实验数据提取的不同栅源偏压下的载流子低场迁移率以及极化库仑场散射理论模型,采用自洽迭代的方法求解了器件钝化前后AlGaN/GaN异质界面处附加极化电荷的分布,并且由此确定了器件钝化过程引入AlGaN势垒层的的应变类型,从数值上确定了器件表面钝化后沟道二维电子气的面密度分布。采用栅探针测试方法对器件的栅-源通道电阻Rs进行了测试,并通过将测试值与利用极化库仑场散射理论论得到的计算值进行比对,验证了上述利用极化库仑场散射理论确定器件钝化后沟道二维电子气面密度分布方法的正确性。2.表面钝化后AlGaN/GaN 电力电子器件势垒层应变分布的确定及器件性能变化的研究。为厘清AlGaN/GaN电力电子器件钝化前后电学特性的变化机理,获得一种对器件钝化后AlGaN势垒层中应变分布的定量分析方法十分必要。目前已知的X射线衍射(X