关键词:
氮化镓
电力电子
高耐压
超晶格
高Al组分
摘要:
以GaN为代表的第三代宽禁带半导体材料因为其禁带宽度宽、临界击穿场强大、电子饱和速度快等优点在电力电子领域中表现出巨大潜力。电力电子器件始终以更高的击穿电压、更高的电流密度为发展目标,因此本文主要围绕提升GaN基电力电子器件的击穿电压为目标对器件结构进行了设计和优化。同时,器件走向商业化必须经过完备的可靠性测试,本文还对制备的器件进行了可靠性分析,为后续可靠性加固提供思路。本文的主要研究成果如下:(1)提出并实现了一种AlN/GaN超晶格沟道横向肖特基二极管。所制备的器件凹槽阳极刻蚀深度分别为150 nm和25 nm,分别对应刚好完全刻蚀超晶格沟道和保留1-2 nm AlGaN势垒层。其中刻蚀深度150 nm的器件,开启电压为0.81 V,在阴阳间距为25μm时,击穿电压达2.11 k V。当凹槽刻蚀深度为25 nm时,由于超晶格结构未破坏,其中的多层AlN结构有效阻挡缓冲层漏电,使得击穿曲线的漏电上升缓慢,击穿电压显著提高。阴阳间距5μm、10μm器件的击穿电压分别达1.93 k V和大于3 k V,功率品质因素分别达1.08 GW/cm和大于1.04 GW/cm,其中5μm器件的平均电场高达3.86 MV/cm,从实验结果证实AlN/GaN超晶格击穿场强明显高于GaN。此外,通过第一性原理计算了载流子在AlN/GaN纵向上的透射率随能量变化的关系,结果表明相同能量下载流子在AlN/GaN超晶格中透射难度远大于GaN,因此能够有效抑制泄漏电流。实验结果表明超晶格材料作为沟道在高耐压电力电子器件中有广泛前景。(2)对所制备的AlN/GaN超晶格沟道横向肖特基二极管进行可靠性分析,在施加了+10 V的开态应力1000 s后,正向电流从36.5 m A/mm降低到33.9 m A/mm,开启电压从1.03 V降低到0.99 V,总体上正向开态应力对正向特性的影响不大。施加+5 V开态应力1000 s后,由于此时的电流较小,类似于老炼实验,使器件更加稳定,因此反向漏电反而减小,然而在+10 V开态应力1000 s后,反向漏电增大约5个数量级,这是因为在较大电压应力作用下,肖特基严重退化,肖特基势垒高度降低,导致漏电增大,此外在大电压应力作用下,器件会产生新的损伤辅助电子隧穿,进一步增大了漏电。在关态应力实验中,在施加-100 V的关态应力1000 s后,正向电流从35.5m A/mm大幅退化至14.01 m A/mm,开启电压从1 V增加到1.48 V,而器件的反向漏电降低约一个数量级。在高温退化实验中,当温度从25℃升高到150℃时,器件的正向电流从94.45 m A/mm降低到62.95 m A/mm,开启电压几乎不变,反向漏电仅增大一个数量级,展现出AlN/GaN超晶格材料优异的高温稳定性,适合制备高温器件。(3)提出了一种增强型高反偏阻断肖特基漏AlN/AlGaN HEMT,通过采用超薄AlN势垒实现增强型,得到器件阈值电压为1.28 V。本文通过结合高Al组分AlGaN沟道和优化后场板结构来提高器件的反向阻断电压。在对电场分布的仿真中发现,漏端边缘的电场峰值大小与场板下方钝化层厚度有关,通过调节钝化层厚度至最优,使得漏端边缘的电场峰值和场板边缘电场峰值大小相等且等于材料的临界击穿场强,此时的电场分布最优,反向阻断电压最大。随着AlGaN沟道Al组分的升高,临界击穿场强也随之增大,相应的最优钝化层厚度也随之增加,当Al组分从0增加到0.5,最优钝化层厚度0.24μm增加到1.77μm,器件的反向阻断电压从-510 V大幅提升至-4500 V。沟道Al组分为0.5的器件,其平均电场强度为1.8 MV/cm,功率品质因素为1.171 GW/cm,展现出高Al组分AlGaN沟道器件在电力电子领域中的巨大优势。综上,本文对高耐压GaN基电力电子器件的结构设计和优化有较好的结果,展现了GaN基器件在电力电子领域的优势。