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标准号: GB/T 43538-2023

摘要： 本文件规定了集成电路金属封装外壳的材料、镀覆、设计和结构、电特性、外观质量及环境适应性等方面的技术要求和检验方法。本文件适用于集成电路金属封装外壳（以下简称“外壳”）的研制、生产、交付和使用。

标准号: GB/T 43454-2023

摘要： 本文件规定了集成电路知识产权（IP）核的设计开发过程中的一般要求和详细设计要求。本文件适用于集成电路IP核的开发、转让和集成过程。

标准号: GB/T 43536.1-2023

摘要： 本文件界定了基于硅通孔（TSV）或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的术语和定义。本文件适用于基于硅通孔（TSV）或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的制造和测试。

标准号: GB/T 43536.2-2023

摘要： 本文件规定了在芯片键合过程中使用多个叠层集成电路之间初始校准和校准保持的要求。定义了校准标记和操作步骤。本文件只适用于使用电耦合方法进行的芯片间校准。

标准号: GB/Z 43510-2023

摘要： 本文件提供了硅通孔（TSV）三维封装的工艺开发验证用可靠性试验方法指南。本文件适用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三种工艺流程制造的TSV三维封装的工艺验证试验。

关键词： BP神经网络   DP等效电路模型   锂电池   热电耦合模型   电池状态检测  

摘要： 锂离子电池因其高能量密度、长寿命和低内阻等优点而被广泛应用于电动汽车以及储能领域。电池在使用过程中会由于内部电化学反应而温度升高，目前传统的基于电压、电流特性的电池等效电路模型缺乏对该热过程的描述，难以满足实际应用中对电池模型的精度要求。可以通过提出一种新的易于测量参数的高精度热电耦合模型构建方法解决上述问题。首先利用贝叶斯正则化方法建立基于BP(Back Propagation)神经网络的电池热模型，获取在不同充放电工况下的表面电池温度，再将获取的电池温度特性输入到双极化(Dual Polarization，DP)等效电路模型中，从而构建锂离子电池热电耦合模型。对比传统不考虑热效应的等效电路模型方法，所构建的热电耦合模型可以更准确地预测锂离子电池的温度、电容和内阻随时间的变化，输出电压误差平均减小了44.395%。

关键词： 电池均衡   单电感   CUK斩波电路   荷电状态   均衡效率  

摘要： 为解决串联电池组不一致性问题，提出了一种外层为改进型CUK斩波电路 ，内层为单电感均衡拓扑的双层拓扑结构。采用改进型CUK斩波电路，通过双层开关来选择均衡电池组连接到CUK均衡器，缩短了能量转移路径，提高了能量转移效率；使用零电压导通技术，保证了均衡电流连续且波动小；采用单电感均衡拓扑，结构简单且具有较高的精度。本文所提出的双层均衡拓扑可以实现组内任意单体电池之间以及任意电池组之间能量的转移。以电池荷电状态作为均衡评价指标，在MATLAB/Simulink中搭建了均衡电路仿真模型，与传统均衡拓扑进行静置均衡以及放电均衡的比较，结果表明，所提均衡拓扑缩短了均衡时间，提升了均衡效率；建立了电池均衡实验平台，对12块电池进行了放电实验，验证了分层均衡拓扑的准确性。

关键词： VSG控制   T型三电平   等效受控源法   动态建模   参与因子法  

摘要： 采用传统的三相PWM逆变的构网型光伏系统存在谐波大、效率低等问题，并且目前针对构网型VSG控制的主要建模研究没有考虑逆变器拓扑本身和多电平变流器对系统稳定性的影响。T型三电平具有谐波小、开关损耗小等优点，因此提出了一种应用于构网型VSG的通用T型三电平状态空间平均模型，通过将电路中的开关器件平均后利用受控源代替形成等效受控源电路，并建立完整的状态空间方程进行稳定性分析，最后通过仿真与实验验证所建等效受控源模型与实际电路的适应性。结果表明，基于受控源的VSG数学模型，其输出特性与实际模型一致，且具有良好的稳定性。

关键词： 放大器芯片   退耦电路   大小容值搭配   图形阵列排布电容  

摘要： 在放大器芯片仿真数据不充分的情况下,将印制电路布版设计、工艺装配分析、封装类型选择与布局优化的多种技术融合。基于现有工艺装配能力,通过高频传输通道电性能指标直接测试,验证了适合电路设计退耦要求的4组不同大小容值的典型搭配,获得了一种新型的放大器芯片退耦电路设计,解决了多通道布局中小电容贴装难、大电容排不下的难题。进一步创新提出了图形阵列排布的电容代替分立电容的方案,提高了电容排列的集成度与贴装效率,显著降低了模块的生产成本。