关键词:
高功率微波
微器件电路
数值仿真
效应实验
失效分析
摘要:
高功率微波(high power microwave,HPM)是一类非核强电磁脉冲的统称,其可在在一定距离内干扰各类电子设备,甚至在物理上造成电子设备的永久性失效。随着以HPM为代表的定向能武器从实验研究走到战场应用,其造成的作用效果和导致的失效机理日益受到关注。对于电子系统的电磁失效,归根到底是微器件(电路)的损伤。微器件(电路)的HPM电磁失效问题涉及电磁场与电磁波、电路与系统以及半导体器件方向知识,研究难度较大,目前仍存在许多问题尚未得到有效解决,本文的工作旨在针对其中一些难点进行有益的探索性研究。
本文系统地研究了HPM作用于微器件(电路)的耦合效应与损伤机理。从现代电子系统HPM耦合作用的典型微器件(电路)入手,重点针对赝晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)的低噪声放大器(LNA)、CMOS器件引脚电路、以及三结GaAs基太阳能电池,结合理论分析、数值仿真和效应实验,对典型微器件(电路)HPM耦合效应与HPM导致的损伤机理开展了多层级、多物理量的研究。主要成果如下:
1.根据“场-路转换”的方法,分析了电子系统主要的高功率微波耦合路径及典型的作用对象。分析结果表明,pHEMT器件(LNA)是HPM前门耦合途径上的典型作用对象,CMOS器件引脚电路是HPM后门耦合途径中的典型作用对象,太阳能电池作为无屏蔽器件是HPM直接耦合的典型作用对象。此外,将微带线作为微器件(电路)电磁敏感端口作用对象,运用CST软件建模仿真,探究了多种结构微带线的线间串扰耦合效应和平面波电磁敏感性,并归纳分析了微器件(电路)电磁敏感端口的电信号样式。上述研究结果为下文开展微器件(电路)的电磁损伤分析提供了研究前提,并为深入理解电子系统的HPM耦合效应提供了案例分析。
2.深入探究了pHEMT器件C波段LNA在HPM作用下的失效机理和损伤阈值。首先,结合半导体器件物理理论和非线性效应,开展了多物理量器件级建模仿真和Mixed-Model电路级建模仿真,多方面地分析了HPM导致LNA失效的过程和机理。结果表明,LNA电路的线性放大状态会随其输入端HPM作用功率的增大而变为非线性状态,电路的输出电压波形翻转并且电路中的pHEMT器件内部发生高温区域转移;当作用于LNA输入端的HPM功率增大到一定阈值时,会造成电路中pHEMT器件栅极到沟道之间的击穿,进而导致pHEMT器件栅极下方偏源极一侧产生高温区域,甚至出现烧毁损伤;通过整理不同HPM条件下仿真结果,获得了HPM作用于LNA的损伤阈值及变化规律。然后,从器件封装散热角度出发,探究了不同热边界条件对pHEMT器件HPM作用效应的影响,结果表明pHEMT栅极的低热阻边界条件有利于提高器件的损伤阈值。最后,开展了HPM注入实验和损伤实验样品的微观检测失效分析,发现LNA输入端受HPM作用后出现烧毁损伤,其损伤区域全部分布在pHEMT栅极附近,且偏源极一侧损伤最为严重;实验结果与仿真分析结果一致,验证了模型仿真的物理有效性。上述研究分析了LNA非线性效应的多物理量变化过程,为理解LNA的电磁损伤效应提供了案例分析;并对LNA电磁防护设计有一定指导意义。
3.从CMOS(IC)过电应力防护的角度,研究了CMOS引脚电路在HPM作用下的失效机理。首先,将CMOS反相器作为引脚电路的典型应用单元,构建了CMOS反相器物理等效数值模型(TCAD模型),并开展了多种信号样式HPM作用下的瞬态电热耦合仿真,仿真结果表明不同信号样式的HPM会导致反相器出现不同的热损伤位置。然后,根据静电放电(ESD)防护理论,研究了CMOS引脚电路的电源轨ESD防护网络并抽象为等效仿真电路,建立了二极管加CMOS反相器的ESD防护单元多物理量电路级模型,通过电热耦合瞬态仿真进一步分析了ESD防护单元的HPM失效过程和机理。CMOS反相器和ESD防护单元的仿真结果对比表明,ESD防护单元有较好的HPM鲁棒性。最后,进行了ESD防护单元传输线脉冲(TLP)作用仿真和注入实验研究,实验得到的损伤位置与仿真结果中的高温位置一致;同时总结不同HPM注入幅度下仿真结果,获得了HPM作用于ESD防护单元的损伤阈值变化规律。上述研究成果为CMOS器件和引脚电路的过电应力失效分析和防护设计提供了案例分析;并且上述研究中多物理量电路级仿真方法具有一定的扩展性,结合不同器件模型,可开展多种CMOS电路功能模块的过电应力分析。
4.结合HPM注入实验和多尺度建模仿真,分析了三结GaAs基太阳能电池的HPM作用效应和失效机理。首先,描述了三结GaAs基太阳能电池HPM损伤实验平台及注入实验过程,并对实验后光伏性能退化的太阳能电池样品开展了电学特性测试和微观检测分析。然后,开展多尺度仿真分析,建立了太阳能电池宏观等效电路数学模型和微观光伏单元物理等效数值