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关键词： FPGA   HBM   DRAM   高级可扩展接口   双倍数据速率  

摘要： 为了满足高性能现场可编程门阵列（FPGA）和动态随机存取存储器（DRAM）之间的高速、可靠的数据传输，设计了一种多通道HBM2-PHY电路。该电路采用12 nm工艺进行设计，最多支持8个独立通道和最高1.6 Gbps的数据传输速率。通过在HBM2-PHY电路的地址和数据路径中设计先进先出（FIFO）缓存来提高数据的读写效率；通过设计可调节的延迟链电路，对高速接收和发送电路中的数据采样时钟进行调节，提高了数据传输的可靠性。仿真结果表明，采样时钟信号的延迟可进行512步调节，每步调节的延迟时间约为0.003 ns，其积分非线性度（INL）约为0.3 LSB；眼图显示该电路在1.6 Gbps的数据速率下，高速接收和发送电路性能良好。

摘要： 各相关单位:为更客观准确的反映电子电路行业发展态势,正确把握行业发展趋势,现就填报2024年度中国电子电路行业企业数据统计通知如下: 一、填报对象印制电路制造及专用材料、专用化学品、专用设备与仪器、环保洁净企业等相关企业.

关键词： 碳纳米管场效应晶体管   静电放电防护   能带结构分析  

摘要： 针对碳基集成电路静电放电（ESD）防护器件存在失效电流差和失效电压低等问题，基于栅控电场调制技术与动态电位调制的协同设计理论，系统性地提出了两种新型碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）ESD防护器件。首先，通过研究传统CNTFET的直流特性，当施加高栅极电压时，CNTFET处于高阻状态特性，符合ESD防护设计需求。基于此，创新性地提出了栅接漏（GD）CNTFET结构，实验结果表明GD-CNTFET的失效电流It2达93 mA，但失效电压仅46 V。因此，进一步通过栅压调控与动态电位调制的协同设计，提出浮空电极结构的CNTFET（FE-CNTFET），有效抑制栅氧化层的高电场集中，实现79 V的失效电压。构建的新型器件与实验数据为碳基集成电路ESD防护体系提供了重要的设计思路。

关键词： 集成电路布图设计专有权   独创性声明   知识产权  

摘要： 为完善集成电路布图设计保护制度,2024年12月26日国家知识产权局公布《集成电路布图设计保护条例修改草案(征求意见稿)》(以下简称《修改草案(征求意见稿)》)。本文结合集成电路产业发展的最新形势及布图设计登记实践面临的问题,对《修改草案(征求意见稿)》的修订背景、修订主要内容进行了评析。

关键词： 人才模块化   集成电路   横向协同模式   纵向成长路径   战略性新兴产业  

摘要： 集成电路产业发展对我国在国际竞争中获得战略主动权至关重要,而集成电路人才是先进制程研发与产品良率的关键支撑。基于人才模块化视角,全链条揭示集成电路人才的横向链式协同模式与纵向梯度成长路径。为此,整合文本建模、生成树分析与质性研究等混合方法对集成电路产业的招聘信息、人才履历及其他文本数据进行分析。分析发现:集成电路由集成电路设计、前道工艺、后道工艺三个模块构成,分别具有精密集成、标准制程和线性工序的工作特征,要求对应的人才具备博专兼具、精技熟工和严控精测的综合素养,进而形成模块间横向的链式协同模式;集成电路各模块人才表现出邻域融合、技艺精进与同域流动的差异化梯度成长路径,需要嵌入式教育、师徒制度和技能认证等来助推模块内纵向的梯度成长路径。基于以上经验事实,进一步发展出战略性新兴产业人才模块化的理论命题,回应已有人才研究不足的同时,为战略性新兴产业人才开发提供实践方向。

关键词： LTSpice   振荡电路   电感测量   微距测量  

摘要： 本文设计了一种基于比较器的有源锁相振荡电路,并通过LTSpice进行仿真验证。该电路能够产生稳定的交流时钟信号,可用作数字电路中的时钟源。通过结合外接频率计,能够间接测量电路中的电感值,提供了一种便捷精确的电感测量方法。也可通过电感测量,借助互感效应进行微距测量。该振荡电路具有结构简单、成本低廉、输出无需额外整形的优点,具有较高实用价值,适合于低成本电路中的时钟信号产生和电感测量与微距测量等应用。

关键词： 电化学阻抗谱   弛豫时间分布   等效电路模型  

摘要： 等效电路模型(ECM)是一种常见的电池建模方法,能够反映电池的化学特性。然而,ECM的选择通常依赖于实验数据和经验判断,导致ECM的泛化能力较差。通过引入弛豫时间分布(DRT)方法,从镍钴铝(NCA)电池的电化学阻抗谱(EIS)中提取特征频率,并建立其与ECM中不同电路元件的对应关系,进而计算出合理的初始参数,为ECM的选型与拟合计算提供理论依据。

关键词： 红外读出电路   低噪声   相关双采样技术   CTIA  

摘要： 读出电路作为红外探测器组件的关键组成部分,其噪声特性对信号读出以及整个成像系统的性能影响重大。噪声在信号传递的过程中是不可避免的,但可以通过降噪技术以及合理的设计来优化噪声性能。本文从分析红外探测器读出电路噪声入手,基于CTIA输入级仿真对比了两种相关双采样技术:像素级相关双采样和列级相关双采样。旨在根据不同的红外探测器的需求特点,选择更适合的相关双采样技术,以降低读出电路的开关复位噪声、MOS管噪声、FPN噪声,同时兼顾动态范围、线性度和功耗等要求。

关键词： 电子垃圾   砷   氧化亚铁硫杆菌   生物浸出   重金属  

摘要： 随着全球经济的持续发展和消费者对电子产品的需求增加,使包括含砷(As)电路板在内的多种电子垃圾材料成为城市垃圾中增长最快的部分,借助湿法冶金技术获取有用资源已成为重要的研究手段。采用嗜酸性氧化亚铁硫杆菌(Acidithiobacillus ferrooxidans BY3)对含As电路板进行了重金属浸出试验。以含NaAsO_(2)为1 600 mg/L的9K培养基对*** BY3进行驯化,探究了Cu^(2+)、Ni^(2+)、Zn^(2+)、Co^(2+)、Pb^(2+)、Cr^(3+)等对其生长的影响,同时利用单因素试验及响应面法探讨了*** BY3对含As废电路板中的重金属浸出的最优条件。研究结果表明,*** BY3在NaAsO_(2)驯化后仍具有较高的金属离子抗性,其金属离子耐受能力依次为Cu^(2+)>Mn^(2+)>Mg^(2+)>Na^(+)>Al^(3+)>Co^(2+)>Ni^(2+)>Zn^(2+)>Pb^(2+)>Cr^(3+)。响应面法分析发现,在pH=2.0,温度为31℃,装液量44%,转速175 r/min条件下,Fe^(2+)的氧化速率最高,达到0.321 9 g/(L·h),pH的变化对反应体系影响最为显著。在此条件下,其对含As废电路板颗粒中的Cu、Ni、Zn、Co、Pb、Cr的生物浸出率分别为96.5%、89.1%、100%、72.9%、65.1%、86.3%。*** BY3能有效浸出含As电路板中的有价金属,从而为后期相关电子垃圾的再利用提供参考。

关键词： 短波红外   偏振成像   集成电路芯片   偏振图像融合   缺陷检测  

摘要： 针对集成电路芯片污染缺陷高速、高精度的检测需求,设计并研制了一种基于短波红外显微成像技术与偏振测量技术相结合的高精度短波红外偏振显微成像系统。检测光源透射穿过样品,样品偏振光经过显微镜收集,入射到由波片和检偏器构成的偏振分析装置,从而完成样品偏振图像测量。利用偏振图像融合技术将测量得到的图像进行融合,完成样品偏振图像特征提取,从而实现对集成电路芯片污染的缺陷检测。采用Op-Amp集成芯片对芯片的边缘和中心进行了测试实验。实验结果显示,本系统所测试的缺陷特征清晰、数量完整,能够提供重要依据,确保了集成电路芯片污染缺陷检测的准确性。