关键词:
读出电路
成像芯片
模数转换器
胶体量子点
短波红外
摘要:
基于胶体量子点(Colloidal Quantum Dots,CQDs)的新型短波红外探测技术具有工艺简单、成本低等优势,有望推动短波红外成像在工业检测等领域的规模化应用。CQDs成像芯片由探测器和读出电路构成,目前使用的读出电路多为铟镓砷或者碲镉汞探测器而开发,存在满阱容量等电路参数不匹配问题,同时现有读出电路表面存在起伏,与CQDs探测器集成后成像效果差。本文基于CQDs探测器特征,研究高线性度、高一致性、数字化、平坦化的专用读出电路设计技术。构建了读出电路信号链模型,提出了一种基于标准流片工艺的客制化电路表面与像素电极加工工艺,提出了一种列级多步式单斜坡(Single Slope,SS)模数转换器(Analog-to-digital Converter,ADC)电路,设计了一款640×512阵列的读出电路,并成功实现了与探测器的异质集成、成像系统搭建以及成像指标评测,还设计了一款2048×2048阵列的读出电路,完成了后仿真验证。本课题基于中芯国际180 nm工艺共进行了5次共计7款芯片的流片,包括2次Full Mask流片,除了1次Full Mask芯片加工中以外,其余芯片均已完成测试。全文的主要研究内容如下:
首先,根据CQDs探测器特性,立足于电路设计与电路工艺的协同开发,研究高一致性、高线性度读出电路设计方法和电路表面加工工艺,并成功研发成像芯片与成像系统。针对探测器光、暗电流随偏压波动导致成像线性度变差的问题,设计了高偏压稳定性的缓冲直接注入结构像素电路,将偏压波动控制在3.45 m V。设计了带开关控制的像素级尾电流源,解决了列线寄生导致信号线性度和一致性降低的问题,在功耗不变的情况下实现了大于99%的线性度和不同行像素响应一致性的提高。针对读出电路表面起伏导致的CQDs探测器开裂等问题,设计了一种客制化前道流片工艺,实现了电路表面平坦化,同时开发了专用的后道金质互联电极制备工艺,解决了铝电极降低器件性能的问题,将像素电路填充因子从7%提升至81.5%。在中芯国际180 nm工艺下实现了一款640×512阵列、15μm像元尺寸的读出电路,并依次实现了与探测器的异质集成、成像系统研发和成像测试。成像芯片列级固定模式噪声为4.69%,动态范围为60.19 d B,满阱容量为468.75 Ke-,读出噪声为458.48 e-,帧率56.2 fps。目前,读出电路已流片加工了2批次共计37片晶圆,达到量产水平,支撑了CQDs探测器的工艺优化和成像验证。
然后,面向数字化读出电路设计需求,支撑后续2048×2048阵列下30 fps帧率的数据转换,针对传统SS ADC转换周期数过多导致转换速率慢的问题,提出了一种多步式SS ADC结构。通过将量化过程分为半区间转换、粗量化以及细量化三步,将12-bit量化所需的转换周期数减少了14倍至276个周期。针对比较器共模电压变化导致线性度变差的问题,提出了一种采样网络和控制时序协同的设计方法,将电压变化范围缩小了32倍至31.25 m V。提出了一种高精度的粗细斜坡斜率误差校准方法,通过将细斜坡总电压放大8倍后和粗斜坡总电压进行比较,将斜率误差校准精度提高了8倍。采用中芯国际180 nm工艺实现了一款多路SS ADC芯片,测试结果表明ADC量化范围为0.2~1.2 V,在61.7 Ks/s转换速率下ADC功耗为31.2μW,微分非线性为+0.46/-0.45 LSB,积分非线性为+1.29/-1.09 LSB。
最后,为了实现分辨率更高、细节更清晰的成像,在上述读出电路和ADC芯片的基础上,设计了一款2048×2048阵列、10μm像元尺寸、12-bit量化位数的数字型读出电路,芯片面积达到24.88 mm×22.53 mm。针对大面阵下偏置电路一致性差的问题,将2048列电路分为64组,采用组间电流偏置、组内电压偏置的混合方式提高偏置信号一致性。构建RC延时链模型,分析ADC模块中横向信号线寄生参数对不同列ADC量化过程的影响,采用增加线宽、增加缓冲器等方式优化延时,不同列ADC量化结果差异小于2 LSB。电路采用26-bit并行接口以65 MHz速率并行输出数字信号,帧率30 fps,线性度大于99%,满阱容量468.75 Ke-。
本文提出的电路设计与电路工艺协同的开发思路和具体实现方法,将推动CQDs短波红外成像技术在器件制备、异质集成工艺、成像系统开发、成像应用等方面的发展。