关键词:
自旋电子器件
Hall-bar
存算一体电路
多态存储
摘要:
传统的冯诺依曼架构在存储与处理大量数据时存在“内存墙”瓶颈,因而对有望解决解决该问题的基于存内计算新架构的研究日益深入,其中基于磁存储器(MRAM)的存内计算方案因具有功耗低、非易失性存储等优势而倍受关注,但该方案的存储单元一般不具备多态存储的能力,而霍尔条(Hall-bar)作为一种新型基于自旋轨道矩的自旋电子器件,具有和SOTMRAM相同的非易失编程和容易制备等特点,更具有阻值连续变化和支持多比特存储的优势,但当前常规器件阻态调节非线性大、器件一致性差、多态存储位数较少,其在存内运算系统中的应用尚不成熟,因此本文围绕如何实现Hall-bar的多态存储,以及如何实现基于自旋忆阻器件阵列的乘累加运算硬件电路系统,开展了如下研究工作:
(1)Hall-bar性能测试与电学等效模型建立。基于自旋电子学相关理论确定了器件具体结构,实现无外磁场下自旋轨道矩诱导翻转,利用电学测试平台探究器件的相关特性,获得了能够实现多个阻态的器件调控规律,参考与脉冲电流宽度和个数相关的调控规律,使用Verilog-A语言构建了Hall-bar电学等效模型并验证了模型的正确性。
(2)开展了器件高线性度高重复性的多阻态调控方法研究。首次提出Hall-bar器件的反常霍尔电阻线性化编程脉冲电流参数测定方法。对Hall-bar模块电路中的Hall-bar器件按照该方法进行实验,通过不断调整施加脉冲电流的幅度、宽度及个数等参数,最终实现器件阻态线性化编程,得出对应阻态下的所施加的脉冲电流参数,使得Hall-bar器件具有3bit的可重复的状态存储。实验结果表明,采用该方法有效地解决了器件在等量脉冲电流调节下难以实现多态调控的问题。
(3)开展了基于Hall-bar器件阵列的乘累加运算硬件电路系统研究。根据Hall-bar器件存储计算一体的特性,首次以硬件电路的形式实现基于Hall-bar阵列的乘累加存内运算。根据Hall-bar电学等效模型对乘累加硬件电路系统进行设计与仿真,实现并测试了基于Hall-bar阵列的乘累加运算硬件电路系统,验证了电路系统的乘累加模拟运算的准确性。
本文进而搭建了基于Hall-bar阵列的乘累加运算硬件电路系统,包含9个Hall-bar器件,单个器件可实现超过36个(5位以上)的类线性变化的阻态调控。其中Hall-bar模块有效实现了对Hall-bar反常霍尔电压的偏置补偿和反常霍尔电阻与运算电流的模拟乘法运算,实际值与目标值之间的误差最大值分别为0.37m V(目标值100m V)和-4.123m V(目标值摆幅1265m V)。实现了具有3bit存储状态的3×3的Hall-bar阵列的乘累加存内计算硬件电路系统,在输入电流大于1m A时,乘累加模拟运算的实际结果值与目标值之间的误差最大为1.67%,与系统仿真结果得出的误差0.128%相比具有一定距离,这是由于硬件电路所存在的噪声、电路非线性和电路偏置等因素的影响。实验验证了基于自旋忆阻器阵列的乘累加电路系统设计与实现的可行性,并且通过器件优化及电路改进可进一步提高乘累加运算位数和精度,为多态存内运算应用提供更好的解决方案。