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关键词： 内置熔断体   多物理场耦合   仿真分析   挠性印制电路板  

摘要： 基于一种应用于新能源汽车动力电池模组集成母排上的挠性印制电路板(FPCB)内置熔断体结构,建立电-热-结构多物理场耦合仿真模型,对熔断体进行多场耦合仿真分析。仿真结果表明:室温环境下,电流密度最大值出现在熔断体弯折处;最高温度出现在熔断体中间熔体部分;环境温度越高或对流传热系数越小,熔断体升温速率越快。基于仿真模型发现,增大电流后熔断时间缩减。仿真结果可为FPCB内置熔断体结构设计、生产及测试提供重要参考。

关键词： 电源管理   电路设计   电压调整   冗余设计   电源转换  

摘要： 阐述嵌入式系统电源管理的特点、关键组成部分。分析电路中的节能策略、电压调整以及故障恢复技术,提出设计过程中应综合考虑电磁兼容性、热设计以及成本因素。

关键词： 忆阻器   个性特征   情绪   记忆电路  

摘要： 提出了一种考虑不同个性特征的忆阻记忆电路,该电路由感知模块、情感生成模块和记忆突触模块组成。为了正确模拟生物神经元从感知刺激到响应的过程,在感知模块中采用易失性忆阻器来构建感知神经元。情感生成模块利用阈值型忆阻器作为情感突触,实现了不同人格到情绪的转换。记忆突触模块则整合情绪信号和学习信号,利用忆阻突触的可塑性实现学习和遗忘的功能。PSPICE仿真结果表明,所提出电路能正确模拟不同个性特征对记忆的影响。

关键词： 发信机电源   交流开关按键   NTC   上电切换   Saber仿真   浪涌电流  

摘要： 某发信机电源采用软件延时关机,在交流开关按键关闭后,微机还需维持电源供电,并开始计时,累积到延时关机时间,微机发送信号关闭PFC电源,从而关闭发信机所有电源。由于交流开关按键电路直接切换交流220 V时,后级有滤波电容和负载,因此切换瞬间浪涌电流非常高,而按键开关在过高浪涌电流下易被锁死,导致关机失效,给发信机电源带来一定的安全隐患。针对上述问题,首先抓取交流开关按键电路上电切换瞬间的电流波形,并对该电路进行Saber仿真电流波形分析;然后在该电路上串联热敏电阻NTC,并对不同NTC阻值的浪涌电流进行分析,确保在低温低电压环境中,发信机电源仍能够正常开机与关机。该措施简单易行,工作稳定可靠,可有效解决交流开关机失效问题。

关键词： 永磁同步电机   模块化多电平逆变电路   空间矢量脉宽调制算法   电容电压平衡控制  

摘要： 针对永磁同步电机传统三电平逆变电路无法满足高压场景的问题,采用空间矢量脉宽调制算法对模块化多电平逆变电路进行调制分析,观察其输出电压波形。然后针对模块化多电平逆变电路各相之间容易出现环流现象,对电容电压平衡控制算法进行简化。在Matlab/Simulink中搭建模型仿真,观察和分析模块化多电平逆变电路的输出电压,实验结果验证了采用空间矢量脉宽调制算法对改善模块化多电平逆变电路的输出特性的有效性和简化后的电容电压平衡控制算法具有稳定性。

关键词： 工艺优化   系统回收率   占地面积   运维费用  

摘要： 12寸集成电路生产线回收水主要是分别收集处理机台的初道冲洗水(FRD)和末道冲洗水(LRD),水中主要含TOC、SS及偏酸性,回收处理后排至超纯水预处理段的过滤水箱,由于某项目的占地面积有限,出水指标偏高。本文从占地面积、能耗及运行成本、系统回收率、货期进行4个方面及国内同等项目对比,优化出水指标,优化处理工艺,达到在有限的空间内,将回收水处理满足进纯水处理系统的标准。

关键词： MIPI   CSI-2   数据类型   压缩数据  

摘要： 随着移动设备摄像模块的像素越来越高,所需传输的数据量也越来越大,导致数据传输时间越来越长。文中提出了一种应用于MIPI CSI-2协议的接收端口电路,在传统的MIPI接口电路支持数据类型的基础上,增加了支持RLE和MJPEG两种压缩格式的数据类型,可有效减少所需传输的数据量,提高传输效率。这两种压缩格式数据可应用于不同的工作场景,采用无损压缩数据传输模式在不影响图像质量的情况下可将传输效率提升95%,而采用有损压缩数据传输模式则可在保证较高图像质量的前提下将提升效率约154倍,与传统MIPI接口相比具有显著优势。

关键词： 国家会议中心   新书发布会   集成电路产业   施普林格   邬书林   业务总裁   英文版  

摘要： 2024年6月19日下午,第六届“施普林格·自然:中国新发展奖”颁奖仪式在北京国家会议中心举办。施普林格·自然全球图书业务总裁汤恩平(Niels Peter Thomas)博士、中国出版协会理事长邬书林、施普林格·自然大中华区总裁安诺杰(Arnout Jacobs)出席颁奖仪式并致辞。

关键词： 集成电路   现代化产业体系   新质生产力   新型举国体制   使命驱动   场景驱动创新  

摘要： 集成电路产业具有高度系统复杂性特征,其关键核心技术的突破高度依靠体系化能力支撑。美西方加速推进遏制中国崛起的“小院高墙”策略、“新华盛顿共识”和“去风险”等体系化政策,中国集成电路产业“阻链”“断链”等极端风险加剧;同时,面临中国式现代化和加快发展新质生产力的新使命新要求,亟须以新发展范式和战略逻辑加快推进集成电路产业现代化。文章基于新型国家创新体系、使命驱动型创新和场景驱动创新理论,探讨从“后发追赶”和“前瞻引领”双元整合视角,统筹“使命牵引”与“场景驱动”,重构集成电路技术创新体系,加快集成电路产业现代化;并进一步提出把握场景机遇、健全新型举国体制、统筹科技教育人才“三位一体”、建设国家级创新联合体、加强企业主导的产学研深度融合、构建全球本土化创新生态等对策思考,为加快以科技创新引领集成电路产业现代化、助力新质生产力培育提供理论与战略支撑。

关键词： 欠压保护   带隙基准   CMOS工艺   低成本   高精度  

摘要： 提出了一种低成本、高精度欠压保护电路。采用负反馈电路将电源采样电压、带隙基准负温度系数电压和带隙基准正温度系数电压分散于两条不同的支路中;通过对电阻比例进行合理的设计,两条支路的输出电压差能够同时包含电源的采样电压和精准的带隙基准电压。在采用比较器对该两条支路输出电压差进行比较后,等效实现了对电源采样电压和基准电压的比较。所提电路结构简单,避免使用了启动电路、偏置电路等辅助电路,精准地实现电源电压与基准电压的比较,同时实现了高精度和低成本。基于HHGRACE 0.11μm工艺对上述欠压保护电路进行了设计和版图实现。后仿真结果显示,当电源电压正常为3.60 V,欠压保护点下降阈值设计为2.44 V,上升阈值设计为2.50 V时,在不同工艺角情况下,温度范围为-40℃~125℃时,欠压点最大偏差为120 mV(6σ),功耗为21μW,整个电路的面积为18000μm^(2)。