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关键词： 集成电路   产教融合   跨界多能   产业学院  

摘要： 深度产教融合是实现职业教育成为类型教育的唯一路径,产业学院是走向深度产教融合的主要载体和抓手。依托集成电路产业学院,校企共同探索创新“1+1+N”人才培养模式,以岗位技能要求为标准,校企混编师资团队,共同制定专业人才培养方案,构建课程体系,推动课程内容与职业标准对接。学校教师参与企业研发、技改项目实践,企业技术人员参与学校教科研项目、教材开发等,共同培养双方人员教科研能力。

关键词： 充电机   绝缘栅双极晶体管(IGBT)   高频   驱动器   欠压监测  

摘要： 随着国内地铁行业的快速发展,辅助系统充电机所用绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关频率已经可以达到上百千赫兹,一般的驱动器已经无法满足高频条件下对驱动信号的要求,IGBT高频驱动成为当前的研究焦点。基于MOS管开关速度快的特性以及比较器高精度、良好的稳定性、灵敏性、开关等特性,设计了一款IGBT高频驱动器。比较器把接收到的驱动信号转换为两路不同的驱动信号传输至PMOS管与NMOS管,从而实现IGBT高频驱动功能。搭建实验平台,经测试IGBT高频驱动开关频率可以实现100 kHz。和传统驱动电路对比,IGBT开关频率提高了50 kHz,实现了IGBT开关频率高频化。研究成果对大功率IGBT及SiC MOSFET驱动技术的应用具有一定的参考价值。

关键词： 产业政策   企业创新   创新补助   集成电路  

摘要： 本文以《国家集成电路产业发展推进纲要》为准自然实验,利用2009—2021年上市公司数据,通过双重差分法考察产业政策对集成电路企业的创新激励效应。研究表明,产业政策显著激励集成电路企业增加研发投入。同时,政策协同效应分析发现,产业政策的实施有助于提高集成电路领域政府创新补助的研发激励效果。上述影响在大型企业、资本密集行业以及人力资本和知识产权保护程度更高的地区更为突出。机制分析表明,产业政策实现创新激励效应的关键机制在于激发集成电路企业自主创新意愿,且提高股权融资水平、降低债务融资成本以及发挥竞争效应是该政策激发企业创新意愿的潜在渠道。本文研究证明,未来政策需充分考虑如何激发企业创新意愿,进一步构建政策工具间有效协同的产业政策体系。

关键词： 集成电路产业   供应链协同   创新主体   集成电路制造   发展瓶颈   技术依赖   经济全球化   国际国内形势  

摘要： 一、引言。随着经济全球化深入发展,我国集成电路产业面临着发展瓶颈。一方面,国际国内形势变化导致产业链供应链稳定性降低;另一方面,高端集成电路制造与设计能力不足导致“卡脖子”技术依赖国外。为实现产业自主可控发展,必须充分发挥创新主体作用,提高自主创新能力。因此,构建有效的集成电路产业创新模式,是推动产业高质量发展的重要战略举措。

关键词： 机车入库   调车作业   电路修改   行车安全  

摘要： 针对莱芜东机务折返段改造工程,对传统的机务段出入库线功能电路进行分析和改进:一方面解决莱芜东站入口调车信号机室内外显示不一致的问题;另一方面针对机车出入库线存在推送调车作业的特殊需求,解决机务段入口调车信号机关闭时机与调车作业冲突的问题,解除存在的安全隐患,达到机车出入库作业的安全与顺畅。

关键词： 电梯曳引机   电磁制动器   续流电路   反电动势   制动响应时间   制动噪声  

摘要： 当断开外部电源时,电梯曳引机电磁制动器的线圈上会产生与正常电压极性相反的反电动势。反电动势的大小、续流电路的设计会影响制动器的响应时间和噪声。为了验证续流电路对制动器的反电动势、响应时间、噪声等方面的影响,采用电阻-电感(RL)一阶电路的阶跃响应分析方法进行理论计算,并设计了一个试验电路。在试验电路中,分别在励磁电压和维持电压条件下,通过改变续流电阻值,测量了制动器的反电动势、响应时间、噪声等参数。通过理论计算和试验测量可知,当有续流电路时,线圈的反电动势随着续流电阻值的增大而增大,制动器的响应时间随着续流电阻值的增大而减小,续流电阻值对制动器的噪声也有明显的影响。

关键词： 理想变压器   动态电路   高中物理  

摘要： 当前,电路系统已成为考试的重要部分.本文针对高中物理教学中理想变压器与动态电路的问题进行详细探究.分析在原、副线圈匝数比不变的情况下,负载的改变如何影响电路,以及在负载不变的情况下,原、副线圈匝数比的变化对电路的影响.通过这两种情况的分析,揭示理想变压器在实际应用中的复杂行为,并强调理解匝数比与负载之间的关系对于电路分析和设计的重要性.

关键词： 高频电路   工程教育认证   实验教学   校企合作  

摘要： 工程教育专业认证背景下,为满足工程教育专业认证对本科层次人才培养应能解决复杂工程问题的质量要求,对高频电路课程教学进行改革探索。在明确课程目标的基础上,通过分析高频电路课程的特点和教学中遇到的问题,进行高频电路课程理论教学改革、实验教学改革和校企合作工程实践,旨在提高学生解决复杂工程问题的能力,培养学生的动手能力、创新意识和工程实践能力。

关键词： 压电   MEMS振动传感器   调理电路   设计  

摘要： 为解决铌酸锂单晶薄膜的压电MEMS振动传感器输出电荷信号过小、采集困难的问题,研究基于TLE2064CDR集成运放芯片,特别设计一种信号调理电路。此电路融合电荷-电压转换、电压放大以及前后置滤波等多重功能,旨在精准捕捉那些微弱的信号。为验证其效能,借助ACT2000振动台进行了实验,同时使用标准电荷放大器和我们所设计的电路对压电MEMS振动传感器进行测试。实验数据显示,电路与标准电荷放大器的输出结果高度吻合,能够有效地采集到5~130pC范围内的电荷。在5~20g的加速度加载下,输出电荷与输入加速度维持了良好的线性关系;特别是在5g加速度、50~2000Hz的工作频率下,输出电荷的偏差被严格控制在±1.6pC之内,显示出优异的一致性和稳定性。总的来说,这款电路凭借其高集成度和出色的灵敏度,在微弱信号采集领域显示出广阔的应用潜力。

关键词： 电源管理芯片   过温保护   高精度   双重功能   带隙基准   温度检测   比较器   迟滞逻辑  

摘要： 电源管理芯片在超过可承受温度范围工作时会对自身造成不同程度的损坏,过温保护电路对提高该类芯片的可靠性和鲁棒性具有重要作用。文中设计了一种具有温度过高关断和温度过低提醒等双重功能的高精度过温保护电路。利用正、负温度系数电压对芯片温度进行实时检测,并与带隙基准电路输出端的不同基准电压分别进行比较得到4个逻辑翻转点,进而通过高精度比较器电路和迟滞逻辑电路处理后,输出迟滞逻辑信号来控制芯片的工作状态或进行温度过低提醒。基于0.18μm BCD(Bipolar-Complementary Metal Oxied Semiconductor-Double diffused Metal Oxide Semiconductor)工艺设计并完成了相关仿真验证,仿真结果表明,在电源电压范围为3.0~5.5 V时,该电路输出端的迟滞逻辑翻转信号对应的温度阈值最大偏移量在0.3℃以内,具备较高的精度,可广泛集成于各种需要过温保护功能的电源管理芯片。