教学课程资源库 更多>>

关键词： 光开关阵列   马赫-曾德尔干涉仪   驱动控制电路   校准算法   载流子色散效应  

摘要： 为满足高速光信号交换，本文设计并实现了基于拓展DLN结构的硅基8×8光开关阵列芯片，以及一套外围驱动控制电路和状态校准算法。该光开关阵列芯片分别通过热光效应与载流子色散效应来实现芯片初始状态校准与高速切换。通过采用推挽驱动，降低了载流子吸收损耗，提升了开关单元的消光比，结合拓展DLN结构，有效降低了芯片的串扰。通过片上的光电探测器，结合外围驱动控制电路，并将校准算法部署在FPGA上，实现了芯片的快速状态校准，单个开关单元的校准时间低至36ms。该系统可以在较低的插入损耗和串扰的情况下实现～ns级的切换速度。通过实验测试，整个芯片在1310 nm波长处的片上插入损耗为～9dB，串扰为～-32dB，上升时间为17ns，下降时间为81ns。

标准号: GB/T 44806.1-2024

摘要： 本文件提供了在网络条件下用于有线网络的收发器集成电路(IC)的电磁兼容性(EMC)评估的通用条件和定义。 本文件适用于IEC 62228其他部分的通用试验条件、通用试验布置以及试验和测量方法。

标准号: GB/T 44807.1-2024

摘要： 本文件规定了集成电路(IC)电磁兼容(EMC)宏建模的框架和方法，规定了IEC 62433其他部分中常用术语的定义、不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式。

标准号: GB/T 44796-2024

摘要： 本文件规定了12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺（以下简称划片工艺）的一般要求、详细要求和评价要求。 注： 1 in=2.54 cm。 本文件适用于12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺。

标准号: GB/T 42968.2-2024

摘要： 本文件描述了集成电路（IC）对射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。本文件适用的频率范围为150 kHz～1 GHz或为TEM小室和宽带TEM小室的特性决定的频率范围。

标准号: GB/T 43034.2-2024

摘要： 本文件给出了评价集成电路（IC）对快速传导同步瞬态骚扰抗扰度试验方法的通用信息和定义。这些信息包括试验条件、试验设备、试验布置、试验程序和试验报告的内容要求。 本文件的目的是描述通过建立相同的试验环境获得IC抗扰度的定量度量的通用条件，同时也描述了预期会影响试验结果的关键参数。与本文件的偏离需在试验报告中明确地注明。 本文件给出的同步瞬态抗扰度测量方法是使用具有不同幅值、持续时间和极性的，上升时间快速的短脉冲以传导的方式耦合给IC。在本方法中，施加的脉冲需与IC的功能运行同步，目的是确保可控的和可复现的条件。

标准号: GB/T 44766-2024

摘要： 本文件描述了微波电路限幅器主要电参数的测试方法。 本文件适用于微波电路限幅器，包含无源限幅器、半有源限幅器、有源限幅器等。

标准号: GB/T 44775-2024

摘要： 本文件规定了集成电路三维封装中使用引线键合工艺及倒装工艺进行的芯片叠层工艺过程和评价要求。 本文件适用于集成电路三维封装中使用引线键合及倒装工艺进行叠层的电路。

标准号: GB/T 20870.4-2024

摘要： 本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义，规定了额定值和特性，描述了测试方法。 开关的射频端口有多种组合，如单刀单掷（SPST)、单刀双掷（SPDT)、单刀三掷（SP3T)、双刀双掷（DPDT)等。本文件基于SPDT型开关，其他类型的开关也适用。

标准号: GB/Z 44472-2024

摘要： 本文件给出了照明标准中为涵盖LED光源和可控产品相关新技术所引入的绝缘配合要求的说明，包括对工作电压数学加法，电路间绝缘，保护特低电压（PELV）的使用、以及低压（LV）电源和控制线路导体间绝缘的说明。 本文件描述了第一次故障发生时，电源电压和工作电压的叠加方式，以评估系统的电气绝缘要求（例如爬电距离和电气间隙）。 此外，本文件还详细解释了GB/T 7000.1—2023中附录X和GB/T 19510.1—2023中第15章给出的实际失效情况，并给出了每种情况的保护要求的基本原理[例如可能的LV一次电路到特低电压（ELV）二次电路的失效不会导致二次电路的绝缘过载]。 本文件还描述了PELV与LED共同使用时提高电子电路抗干扰和可靠性的可能性以及该系统的相关安全后果。 LV电源和控制线路导体间的绝缘同样重要，本文件解释了为什么这是一个完整安装系统的基本安全考虑因素。