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关键词： 集成电路   集成电路制造   核心制造装备   专利分析   技术趋势   技术识别  

摘要： 集成电路制造装备作为集成电路技术不断迭代升级的基石，对集成电路产业的发展至关重要。以集成电路核心制造装备以及光刻机、刻蚀机、离子注入机细分领域为研究对象，综合运用文献调研、专家咨询和专利分析等方法，从技术发展趋势、地域分布、重要机构、主要技术布局、关键技术领域分布等方面梳理了集成电路核心制造装备技术发展现状。研究发现，美国、日本集成电路核心制造装备技术全球领先；我国相关专利申请数量虽然处于上游水平，但迫切需要在关键技术领域布局上进一步提升自主可控能力。在此基础上，对我国集成电路制造装备领域的发展提出了建议，为我国集成电路核心制造装备领域的关键技术突破、科技创新等提供决策支撑。

关键词： 数字化转型   数字逻辑电路课程   教学改革  

摘要： 数字化转型是提高教学质量的重要途径,有助于推进现代教育教学改革。结合应用型本科高校数字逻辑电路课程实际,文章探讨了数字逻辑电路教学面临的核心问题,并针对教学资源、师资培养、教学策略、评估体系等方面,研究了该课程向数字化转型的明确执行方案。实践表明该数字化转型可以提高课堂教学效率,促进创新型人才培养,为新工科背景下应用型本科高校数字化转型教学改革提供参考。

关键词： DAM10kW 中波发射机   联锁保护电路   故障处理  

摘要： 随着广播电视技术的飞速发展,DAM10kW 中波发射机作为广播传输系统的核心设备,其稳定性和可靠性直接关系到广播节目的播出质量和覆盖范围。本文基于作者多年的实践经验,深入探讨了 DAM10kW 中波发射机的联锁保护电路原理及其常见故障处理。通过对发射机工作原理、联锁保护机制的系统阐述,结合具体故障案例的分析与处理,总结了高效、安全的故障处理策略,旨在为同行提供有益的参考与借鉴,进一步推动广播电视发射设备维护技术的发展与创新。

关键词： 光子辐射器件   缺陷能级   等效电路   载流子复合   性能优化  

摘要： 为探究光子辐射器件(PRD)的等效电路与热-光-电特性协同调控,综合运用等效电路模型、普朗克热辐射理论以及载流子复合理论,构建了载流子非辐射复合率与等效电路、掺杂浓度及温度之间的依赖关系.在此基础上,深入剖析了掺杂浓度、输出电压、热源温度以及缺陷能级对能量转换性能的影响规律.通过协同优化输出电压和掺杂浓度,在800 K的条件下获得最大功率密度(450 W·m-2)和最大转换效率(9.79%).在综合考量功率密度和转换效率的基础上,确定了掺杂浓度和输出电压的优化判据.分析结果表明,当缺陷能级越接近价带顶能级(即浅能级缺陷)时,越有利于PRD实现高效能量转换.此外,存在一个最优工作温度,使得转换效率达到最高值;而功率密度会随着工作温度的升高而单调递增.然而,高温运行会对半导体的稳定性和寿命产生不利影响,这一点不容忽视.因此,在实际应用中,应合理选择热源温度,以平衡性能与可靠性.本研究成果可为PRD的优化设计和实验研制提供重要的理论依据.

关键词： 国产化   微电流测量   跨阻放大电路  

摘要： 在核辐射探测中针对输出微电流的探测器，普遍采用美国ADI公司设计生产的ADA4530芯片搭建跨阻放大电路来进行微电流信号的测量。目前国内暂无ADA4530的国产替代，为解决该芯片的卡脖子问题，基于分离的场效应管和常规运算放大芯片搭建I-V跨阻转换电路，实现纯国产器件的弱电流放大电路设计。该电路的输出电压范围在0到10V之间，经过测试，当反馈电阻为100GΩ，输入电流为0.1～100pA时，其线性拟合优度为0.99998，相对偏差为0.235%，噪声峰峰值为0.057pA。当反馈电阻为10GΩ，输入电流为1pA时，在-10℃～80℃的温度变化范围内，其温漂小于0.042pA/℃。当反馈电阻为10GΩ，输入端悬空时，在室温6小时的稳定性测试中，输出漂移小于0.2662pA。

关键词： OFET   solution-processed   contact resistance   inverter  

摘要： 全溶液法制备的有机场效应晶体管（OFETs）因其降低生产成本的潜力而受到学术界和工业界的广泛关注.然而,与传统方法相比,溶液法沉积的电极和有机半导体之间的界面相容性差会对这些器件的性能产生不利影响.为了应对这一严峻挑战,我们在不同的商用p型半导体上插入了多功能缓冲层,从而生产出具有低接触电阻的全溶液处理OFETs.缓冲层聚（3,4-亚乙二氧基噻吩）聚（苯乙烯磺酸）(PEDOT:PSS)旨在有效降低Ag/半导体界面的肖特基势垒.PEDOT:PSS还具有与Ag适当亲和的功能,从而形成了PEDOT:PSS/Ag混合电极图案.基于此,我们实现了高性能PDVT-10 OFET,包括789Ωcm的低接触电阻、10.5cm2V-1s-1的高迁移率、优异的工作稳定性和弯曲稳定性,与传统方法相比性能大幅提升.我们进一步开发了一种基于全溶液和缓冲层方法的伪互补逆变器,其电压增益大于260.我们的方法有望克服全溶液法导致的器件性能限制,并推动低成本、大规模、柔性全溶液处理OFETs的高性能发展应用.

关键词： 串频信号检测   解码算法   干扰   轨道电路  

摘要： 为解决车站ZPW-2000A区段串频干扰信号的问题,研究串频干扰信号检测技术,开发辅助检测装置,以为解决车站ZPW-2000A区段串频干扰信号问题,研究串频干扰信号探测技术,开发辅助探测装置,以解决综合检测车对铁路线路的探测无法对全区区段及人工仪表进行逐点覆盖而导致探测效率低下的难题。选取现有成熟、通用的组件为基础,搭建硬件平台,并对译码算法和数据分析处理软件进行专门编写,设计专门的数据采集调理接口电路和可靠的轨道分路机制,最终实现全载波、低频和串频信号25Hz、50Hz信号的自动连续获取和译码分析,建立一种新的串频干扰辅助检测方法。

关键词： 有机材料   微带电路结构   带通滤波器   平面工艺   柔性电子  

摘要： 本文基于有机导电材料设计了一款小型化的柔性平面带通滤波器。通过选取低介电损耗的有机介电材料，有效降低了插入损耗、提高了滤波器的传输效率。建立了三维物理模型和等效电路，采用场路结合的方法分析了该滤波器结构。仿真结果表明，该滤波器工作在0.20～4.02 GHz，中心频率为1.77 GHz，最小插入损耗为1.56 dB。根据该滤波器在1.77 GHz的磁场分布和表面电流分布分析了其滤波机理，研究了衬底介电常数等关键参数对电路性能的影响。采用矢量网络分析仪对该滤波器实物进行测试，测试结果与仿真结果具有良好的一致性。

关键词： 集成电路用光刻胶   电感耦合等离子体质谱法   金属杂质元素  

摘要： 为了解决集成电路用光刻胶中由于光致产酸剂成分差异对钛、钒、锌、铬等4种金属杂质元素产生的质谱干扰，通过辅加氧气消除了碳沉积的影响，使用Mass Shift模式消除了32S16O+对48Ti+的干扰，使用On Mass模式消除了35Cl16O+对51V+的干扰，通过降低射频（RF）功率结合On Mass模式消除了34S16O2+对66Zn+的干扰，通过降低RF功率并以高分辨率On Mass模式消除了40Ar12C+、34S18O+对52Cr+的干扰，采用标准加入法消除基体效应。用丙二醇甲醚乙酸酯将集成电路用光刻胶样品稀释成10%（质量分数）光刻胶溶液，采用电感耦合等离子体质谱法测定4种金属杂质元素的含量。结果显示，4种元素工作曲线的相关系数均不小于0.999 0，检出限为0.001 1～0.011 1 μg·kg-1。对实际样品进行加标回收试验，回收率为91.0%～108%，测定值的相对标准偏差（n=5）为0.80%～4.1%。