关键词:
RC-IGBT
FS层
集成二极管
反向恢复特性
摘要:
经过40多年的发展与创新,绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)目前的性能已经接近极限,IGBT的一个重要方向是多功能集成化,其中典型代表逆导型RC-IGBT(Reverse Conducting IGBT,RC-IGBT)。RC-IGBT将续流二极管集成到IGBT芯片内部,可以有效消除寄生电阻和电容,减小芯片尺寸和降低成本,但存在着反向恢复性差和电压回弹等问题。随着社会的发展,RC-IGBT需要逐渐应用到高压硬开关环境中,集成二极管反向恢复性不佳的问题成为研究人员的重点研究对象。基于此,本文对RC-IGBT集成二极管的反向恢复过程进行推导建模,并重点研究分析了场截止(Field-Stop,FS)层结构参数对器件特性的影响,同时提出了一种具有穿通PNP晶体管的RC-IGBT结构来优化反向恢复特性,且不会影响器件的其它性能。本文的主要研究内容如下:
1.分析并研究了RC-IGBT集成二极管的反向恢复过程,建立了RC-IGBT集成二极管反向恢复过程中关键指标的物理模型,并根据动静态各个参数模型,总结了RC-IGBT中重要结构参数对器件静态和动态性能参数的影响。
2.对RC-IGBT的场截止(Field-Stop,FS)层进行优化设计,通过仿真分析了FS层设计参数(掺杂剂量和掺杂深度)对RC-IGBT动静态特性的影响,得出了FS层的设计准则;深FS层可以提高器件软度,浓FS层可以降低损耗。由于本文的所设计的器件需要应用于高压硬开关环境下,需要选择深FS层设计,但由于实际工艺的水平限制,本文采用多次外延工艺来模拟深FS层的制备,并对由多次外延形成的FS-RC-IGBT进行动静态仿真分析,得出了由多次外延工艺形成的深FS层具有良好的拟合效果,外延层数越多,拟合效果越好,但制造成本越高。
3.提出了一种具有穿通PNP晶体管结构的RC-IGBT(Reverse-Conducting IGBT with punch-through PNP transistor,PP-RC-IGBT)。该结构通过在浮空P区添加额外结构,使浮空P区与发射极之间通过一个穿通PNP三极管(Punched Through PNP transistor,PT-PNP)连接。相较于传统FP-RC-IGBT,击穿电压,正向导通压降和逆向导通压降几乎没有劣化,关断时间缩短了47.3%,关断损耗降低了11.6%,反向恢复电荷降低了26.2%,反向恢复时间降低了44.9%。随后对PP-RC-IGBT进行了工艺流程设计与版图绘制,新结构展现出优秀的工艺兼容性,最后发往工厂进行流片验证。