关键词:
超结
半超结
绝缘栅场效应晶体管
载流子存储
雪崩耐量
摘要:
超结绝缘栅场效应晶体管(Super-Junction Insulated Gate Bipolar Transistor,SJ-IGBT/SJBT),将经典IGBT的一维纵向电场分布拓展为二维,能有效提升IGBT的性能,被认为是IGBT未来的重要发展方向之一。具有载流子存储层的超结IGBT(Carrier-Storage SJ-IGBT,CS-SJBT),可以改善超结柱(SJ-pillar)由于高掺杂浓度带来的电导调制能力不足的缺陷,有效改善SJ-IGBT的折中关系,因而得以快速发展。商用全超结650 V CS-SJBT产品刚问世,但针对CS-SJBT的理论和可靠性研究尚存不足:首先是具有CS层的全超结650V CS-SJBT的工作机理及其相比于经典N型漂移区IGBT(N-drift IGBT,NDBT)的差异和优势,认知并不统一;其次是半超结(Semi-Superjunction,Semi SJ)技术在1200 V IGBT中的作用机理和效果尚未完全清晰,尤其缺乏可供参考的设计实例评估Semi SJBT的性能水平;同时针对CS-SJBT的雪崩耐量的研究还未见相关报道。
本文以工业界常用的45μm SJ-pillar为基本超结结构,重点研究具有CS层的650V全超结和1200V半超结CS-SJBT的器件特性与机理,基于45μm多层外延(Multilayer Epitaxy,Multi-Epi)超结工艺平台开展了650V/1200V CS-SJBT的设计研制,并重点研究了650V全超结CS-SJBT的雪崩耐量,具体内容包括:
1.650V全超结CS-SJBT的折中关系与工作机理
在全超结650V CS-SJBT方面,研究了其静动态性能折中受柱区掺杂浓度影响的趋势,给出了最优掺杂浓度的确定依据,将传统超结金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-MOSFET)中受柱区掺杂浓度影响的击穿电压-导通压降(BV-Ron)折中关系转移/扩展到CS-SJBT中的击穿电压-开关损耗(BV-Eon/Eoff)折中。并基于将SJBT相比于NDBT的优势明晰为降低开关损耗。通过仿真CS-SJBT在导通和开关过程中的载流子和电场分布规律,展示了SJ-pillar在CS-SJBT中的作用机理。这些研究统一了对全超结CS-SJBT工作机理和优势的认知。
2.基于Multi-Epi超结工艺的650V全超结CS-SJBT器件研制
基于45μm多层外延SJ-pillar和槽栅场截止(Trench Field-stop,Trench-FS)工艺平台,研制了具有CS层的全超结650V/30A CS-SJBT。测试结果表明:CS-SJBT的静态特性参数BV/Vth/Von/Area分别为711V/3.9V/1.71V/3.4×3.4mm2,均与同电压量级商用NDBT相近;动态特性参数td,on/tr/Eon/td,off/t_f/Eoff相比于Trench-NDBT降低75%/41%/59%/54%/30%/35%,且与微沟槽(Micro-Parrten-Trench,MPT)NDBT相当;综合优值是Trench NDBT的1.7倍,是MPT NDBT的1.3倍。
3.650V全超结CS-SJBT雪崩耐量研究
实验和仿真研究了全超结650V CS-SJBT的雪崩耐量。在非钳位感性开关(Unclamped Inductive Switching,UIS)条件下,测得650V NDBT/SJBT的雪崩失效电流分别为2.7 A/7.8 A,对应雪崩能量大小分别为36.5 m J/307 m J,其中SJBT的有源区面积仅为NDBT的39%。仿真结果指出,SJBT更强的雪崩耐量源于其击穿特性曲线在雪崩被测电流范围内呈正差分电阻特性,使得失效前的电流和热量均匀分布在SJ-pillar,从而抑制了雪崩应力下电热正反馈诱发的提前失效。正差分电阻/电热均匀分布强度均与超结柱的掺杂浓度正相关,因此更高的柱区掺杂浓度是其具有更强雪崩耐量的根本原因。
4.1200V半超结CS-Semi SJBT的机理与折中关系
以具有45μm SJ-pillar的1200V CS-Semi SJBT作为主要研究对象,明晰了Semi SJBT相比于NDBT/SJBT的差异:Semi SJBT利用全超结SJBT一半厚度的超结柱,实现了与全超结相近的薄晶圆和拖尾电流改善能力,将Thickness/t_f/Eoff从NDBT分别降低22%/87%/47%,同时关断电压过冲相比于全超结SJBT降低了47%,从而在1200V电压量级提供了良好的性能-工艺难度-可靠性折中。仿真给出了器件性能关键值随SJ-pillar厚度比例变化的趋势,为实际设计选取合理的SJ-pillar厚度提供了参考依据。
5.基于