关键词:
IGBT
可靠性
寿命预测
温度循环
功率循环
摘要:
随着电力电子技术的发展,绝缘栅双极型晶体管IGBT因其低损耗、低导通电阻和高开关速度等优点逐渐成为电力电子系统的核心部件。但在IGBT模块长期服役过程中,受器件内外部因素影响,会发生可靠性问题以及产生老化失效现象。有研究表明,50%的IGBT功率模块失效是由焊料层故障引起,而恶劣温度载荷、功率载荷对焊料层寿命影响最为显著,因此对功率器件焊料层失效机理、失效过程和可靠性问题进行研究显得尤为重要。本文设计了一种新型的碳化硅IGBT模块封装结构;基于ANSYS有限元分析软件,对IGBT模块可靠性进行仿真研究,分析不同材料焊料层对IGBT模块寿命的影响规律;探究不同类型、不同程度损伤的裂纹对IGBT模块结壳热阻的影响。本文主要工作归纳如下:
(1)设计了一种新型的芯片曲线排布双桥臂双面散热碳化硅IGBT模块封装结构。基于工艺标准,设计了一种六因素(纳米银层厚度、Au Ge厚度、钼柱高度、芯片左右间距、芯片上下间距、散热底板厚度)五水平的正交试验;利用极差与方差法分析得到了影响试验指标(芯片结温)的因素主次为钼柱高度>散热底板厚度>芯片左右间距>芯片上下间距>纳米银层厚度>Au Ge厚度,确定了IGBT模块最优结构组合为纳米银层厚度0.13mm;Au Ge厚度0.1mm;钼柱高度4mm;芯片左右间距1.8mm;芯片上下间距2.8mm;散热底板厚度6mm。
(2)建立了双面散热碳化硅IGBT模块模型,利用ANSYS Workbench进行热-结构耦合仿真,分析模块在-65℃~+175℃温度循环载荷下的应力应变响应特性,确定危险焊料层位置;采用基于塑性应变的Coffin-Manson模型预测模块疲劳寿命;探究焊料层在三种不同封装方案下对IGBT模块疲劳寿命的影响。结果表明,采用纳米银作为焊料层与缓冲层的方案1寿命最长为1600.4h;焊料层为纳米银,缓冲层为Sn5Pb92.5Ag2.5的方案2寿命次之为1225.1h,寿命下降了23.5%;采用Sn5Pb92.5Ag2.5作为焊料层与缓冲层的方案3寿命最短为554.7h,寿命下降了65.3%。
(3)分析了IGBT模块在功率循环载荷下的热响应特性,采用改进的Lesit模型预测IGBT模块疲劳寿命,得到双面散热碳化硅IGBT模块功率循环疲劳寿命为5229.9cycles,即871.65h。基于裂纹扩展理论,利用ANSYS有限元软件探究焊料层边缘裂纹率对IGBT模块结壳热阻的影响。结果表明,当裂纹率为0%时,最高结温为151.99℃,裂纹率分别为2%、5%、7%、10%时,最高结温分别为152.82℃、154.92℃、162.8℃、171.24℃,对应的温度分别上升了0.55%、1.93%、7.11%、12.7%;且当裂纹率小于5%时,结壳热阻变化很小;当裂纹率大于5%时,结壳热阻随裂纹率增大呈指数增长。最后分析边缘裂纹、尖端裂纹、随机裂纹三种不同类型裂纹对IGBT模块结壳热阻的影响。研究表明,当裂纹率小于5%时,不同裂纹类型对其热阻的影响并不显著;当裂纹率大于5%时,尖端位置裂纹的IGBT模块结壳热阻骤然升高,随机裂纹次之,边缘裂纹变化最小,相比随机裂纹和边缘裂纹,尖端裂纹对IGBT模块结壳热阻影响最为显著。