关键词:
RC-IGBT
Eoff-Von折中特性
多元线性回归模型
反向恢复
电压折回
摘要:
由于逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conduction Insulated Gate Bipolar Transistor,RC-IGBT)同时将IGBT和快恢复二极管(Free-wheeling Diode,FWD)集成在同一个元胞内部,与传统IGBT相比,RC-IGBT的集成度、功率密度得到极大提升,节约了生产、测试和封装成本,并提高了功率循环能力和可靠性。然而,普通RC-IGBT仍存在正向导通过程中的电压折回现象等问题需要解决。此外,与普通IGBT相比,RC-IGBT具有更差的关断损耗-导通压降(Eoff-Von)折中特性,这些问题将会在很大程度上限制RC-IGBT的工程应用。为此,本文提出一种新型RC-IGBT,围绕解决这些问题展开研究。
首先,基于RC-IGBT的基本元胞结构推导出其等效电路,并对它的基本工作原理进行介绍。对RC-IGBT的阻断特性、导通特性等静态特性进行了公式推导、模型近似和理论分析,详细阐述了整个导通过程的载流子输运机制。对RC-IGBT的关断特性和反向恢复特性的测试电路、工作波形、重要参数进行了详细分析和介绍。
然后,以普通RC-IGBT的元胞结构为研究对象,通过逐步设计结构参数、掺杂参数,来综合优化它的输出特性、阻断特性、反向导通特性等静态特性和关断特性、反向恢复特性等动态特性。根据优化后的仿真结果得出,与普通IGBT相比,普通RC-IGBT具有更差的Eoff-Von折中性能,对该现象进行理论分析。在此基础上选取不同导通压降等级的普通RC-IGBT和IGBT单管器件进行双脉冲实验测试,经过数据滤波、计算等过程后,得到RC-IGBT和IGBT的Eoff-Von折中性能曲线,对比得出,普通IGBT比RC-IGBT具有更优的Eoff-Von折中性能,该结论在理论-仿真-实验三个层面一一印证。
最后,提出了一种新型RC-IGBT元胞结构,以Eoff-Von折中性能为最重要的优化指标,同时兼顾解决电压折回问题和器件可靠性,并保证尽可能小的元胞尺寸,对新器件的正面发射区、漂移区、集电区的各项结构参数和掺杂参数不断进行优化设计,得出普通IGBT、RC-IGBT、SJ-IGBT、TPRC-IGBT和新型RC-IGBT的综合性能对比。此外,在优化Gate区参数部分提出一种基于多元线性回归模型的预测方法,能够有效缩短参数优化时间,提升优化效率。最终得出结论,相较于普通IGBT、RC-IGBT、SJ-IGBT和PRC-IGBT,经过逐步优化后的新型RC-IGBT具有最佳的Eoff-Von折中性能,并兼顾阻断、正向导通等重要特性,在实现以上目标的同时新型RC-IGBT具有很小的元胞尺寸,其元胞宽度仅为普通IGBT和RC-IGBT的1/8,极大地提升了器件的集成度和功率密度,此外,新型RC-IGBT还具有最大的击穿电压、最小的正向导通压降和最小的关断时间,达到预期的设计目的。