关键词:
IGBT器件
正交试验
双面封装结构
风冷散热
液冷散热
摘要:
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是智能电网、风力发电及电动汽车等清洁能源应用领域中的重要模块,随着这些行业的迅速发展,IGBT器件的设计研发与可靠性研究已经成为最重要的课题之一。研究表明,温度在电子元器件失效原因中占比高达55%,所以合理的热分析和热设计对IGBT模块的可靠性至关重要。为了满足碳化硅IGBT功率模块的散热要求,本文设计了一种新型的双面针翅封装结构,并基于传热学相关理论,通过有限元仿真和正交试验分析,对双面针翅封装结构进行了优化。根据优化得到的IGBT器件最优结构,设计了双面针翅强制风冷散热和双面水冷散热两种散热方案,以满足芯片结温150℃以下的设计指标。本文主要工作归纳如下:
1.设计了一种新型的双面散热高性能封装结构。以芯片结温为指标,选取了五个可优化的结构参数设计五因素四水平的正交试验,并基于ANSYS有限元软件对IGBT模块进行了温度场仿真。根据仿真结果分析了各个因素对芯片结温的影响,得到封装结构的理论最优组合。结果表明:散热底板厚度和钼柱高度对器件散热的影响较大,且随着散热底板厚度的增加和钼柱高度的减小,芯片结温降低。各因素的理论最优水平组合为纳米银浆厚度0.10mm,金锗厚度0.20mm,钼柱高度4mm,芯片左右间距2mm,散热底板厚度5mm。理论最优器件温度场仿真得到的芯片结温为264.75℃,比十六组正交试验中的芯片最低结温267.24℃降低了2.49℃。
2.基于理论最优封装结构,从两方面优化了IGBT模块的强制风冷散热方案,一方面是优化散热翅片结构,从三种翅片结构中(原矩形翅片、针肋翅片、空心矩形翅片)选择芯片结温最低的翅片结构;另一方面是增大风速,即增大对流换热系数,通过设置不同的对流换热系数,得到了不同风速下的芯片结温。结果表明:空心矩形翅片的散热效果最好,当对流换热系数增大到100W/(m2·℃)时,原矩形翅片理论最优器件的芯片结温为170.10℃,优化后空心矩形翅片理论最优器件的芯片结温为98.70℃,比原矩形翅片降低了71.4℃,降幅约为41.98%。
3.基于多物理场耦合仿真软件COMSOL的流固耦合仿真模块,设计了一种带总流道和二级流道的微流道冷板结构。选取了冷板中三个可优化因素设计了三因素三水平正交试验,分析了不同因素对芯片结温的影响,得到了冷板的最优结构。结果表明:随着微流道宽度、二级入水口数量和入水口直径的增大,芯片结温均先减小后增大。各因素的理论最优水平组合为微流道宽度0.49mm,二级入水口数量9个,入水口直径3.4mm。理论最优结构流固耦合仿真得到的芯片结温为67.6℃,比九组正交试验中的芯片最低结温68℃降低了0.4℃。
4.考虑到功率模块的实际使用场景,选取BL Series微泵,确定微泵安装方案,并对安装微泵后的水冷散热结构进行了流固耦合仿真,得到该水冷方案的芯片最终结温。结果表明:微泵安装会增加流体流动的沿程阻力,导致芯片结温升高,芯片最终结温为80.6℃。