关键词:
IGBT
Pb相粗化
纳米孪晶铜
金属间化合物
扩散
摘要:
后摩尔时代下,对更高封装密度和性能的微系统的需求日益增长,同时还要兼顾电子产品的小型化和便携性,使得3D封装的封装效率进一步增大。焊点作为封装系统中提供电路连接、机械支撑的重要互连组件,其尺寸也持续减小;而焊点服役过程中的电流密度和机械负载逐渐持续增大,焊点结构的可靠性问题愈发严重。焊料的微观组织受温度的影响会发生组织粗化、蠕变等现象,使焊料的机械强度降低,金属间化合物(Intermetallic compounds,IMC)的生长厚度、组织结构、柯肯达尔空洞是影响焊点性能的重要因素。本论文首先以服役寿命低于预期的失效绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件入手,以超声波扫描图像中的焊点内白区为检测对象,使用2D、3D X-ray对焊点内的缺陷进行定位分析,之后在SEM下对焊点的截面进行观察分析。结果发现,新品焊点的单个Pb相平均面积为13.15μm,维氏硬度为10.3HV;新品器件经过功率循环之后,单个Pb相平均面积达到16.12μm,维氏硬度为8.8HV;在经过服役5年后,单个Pb相平均面积达到45.3μm,维氏硬度为9.475HV;在经过服役10年后,单个Pb相平均面积达到87.42μm,维氏硬度为9.03HV;服役10年器件经过功率循环后,单个Pb相平均面积达到129.83μm,维氏硬度为8.24HV。服役过程和功率循环过程中的焦耳热导致焊料合金发生严重的蠕变和Pb相组织粗化,从而出现导致焊点失效的贯穿性裂纹和空洞。以择优取向的纳米孪晶铜(111)nt-Cu作为凸点下金属层(Under Bump Metallization,UBM)金属,选用Sn9Zn和SAC305焊料制备成焊点。Sn9Zn与电镀Cu基底在回流后的界面出现出两层IMC,EDS线扫描分析显示两层IMC均接近CuZn的原子占比,推断是由于Cu基底与不同温度下焊料反应生成两种晶粒尺寸不同的CuZn。在Sn9Zn焊料与电镀Cu基底反应热时效后,(111)nt-Cu上界面IMC厚度为3.59μm,Cu原子扩散区域(CDR)平均厚度为6.27μm;而普通商用电镀铜(C-Cu)界面的IMC厚度为6.92μm,CDR平均厚度为3.46μm。由于CuZn容易剥落的特性和(111)nt-Cu在表面上Cu原子扩散较快,(111)nt-Cu/Sn9Zn界面的IMC厚度增加幅度较小;而(111)面在垂直方向上原子释放较难,使得(111)nt-Cu的CDR平均厚度较小。SAC305焊料与电镀Cu焊点在热时效后,(111)nt-Cu界面IMC平均厚度为9.47μm,C-Cu界面IMC平均厚度为9.18μm。扇贝型IMC的成熟过程主导了CuSn的生长,成熟过程中更多的Cu原子供给来自于Cu表面,使得具有高表面原子扩散的(111)面上IMC的生长速率更快,而垂直方向上Cu原子扩散较慢,使热迁移中冷端IMC增厚程度较小。(111)nt-Cu中存在5.71%的杂质元素,C-Cu中存在4.15%的杂质元素,较多杂质元素的存在导致(111)nt-Cu界面的CuSn层存在大量柯肯达尔空洞。此外,较高(111)择优取向的nt-Cu结构由于高密度纳米孪晶片层的存在,比等轴晶粒结构的C-Cu具有更高的抗拉强度,测得(111)nt-Cu平均抗拉强度为419.29MPa,而C-Cu平均抗拉强度为196.72MPa。