关键词:
IGBT模块
可靠性
Cauer热网络模型
状态监测
摘要:
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)目前广泛应用于多种高可靠性系统,例如电动汽车、飞机和工业驱动系统等领域。结温是造成IGBT失效的原因之一,同时也是反映IGBT模块健康状态的重要参考因素,因此,结温的精准监测对预防IGBT模块故障和对其进行寿命评估至关重要,而热网络法是监测IGBT模块结温的重要手段。
在IGBT模块的实际应用中,往往伴随着老化的出现。由于IGBT模块工作时的恶劣环境和其高速开关频率,使得IGBT模块会面临较大的温度波动,因芯片和键合线之间热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE)不同,会导致芯片与键合线之间产生热-机械应力,从而造成键合线的失效,引起IGBT模块结温升高,这不仅影响功率变换器的性能,严重时还会造成系统损坏,故对键合线的老化状态监测也尤为重要。同时,虽然随着工艺技术的改进,在IGBT模块生产时会尽量消除焊料层空洞,但仍不可避免,且IGBT芯片在开通状态和关断状态中不停切换,会使焊料层老化程度逐渐加深。焊料层老化在初期时面积很小,但随着老化程度的加深,会使其内部的传热路径改变,使焊料层更容易老化,从而导致模块失效。因此要对IGBT模块焊料层老化程度进行监测。基于上述分析,本文开展了对结温和老化状态监测方法研究,具体内容如下:
首先,针对国内外已有的监测IGBT模块结温的热网络模型法,总结其利弊,并结合IGBT模块物理结构和其中硅胶材料的物理特性,根据其实际热流路径,建立了一种侵入式硅胶测温方法的双向Cauer模型,并研究硅胶温度和芯片温度的关系。
其次由于IGBT模块在实际应用中由于承受热-机械应力,键合线会逐渐发生老化,通过对已有的理论进行分析,研究了基于侵入式硅胶测温方法的IGBT双向Cauer模型计算得到的结温和键合线老化之间的关系,从而提出了一种新的键合线老化监测方法,并用仿真和实验验证其正确性。
最后IGBT模块在生产之初本就存在少量焊料层空洞,且随着IGBT模块的使用老化程度会逐渐加深。针对上述情况,本文通过计算和仿真,研究了利用本文所建立的Cauer模型区分底板和芯片焊料层老化对温度的影响,探究出了一种新的区分焊料层老化的方法,并通过实验验证了其正确性。