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关键词： 绝缘栅双极型晶体管   无电压回跳   N+集电区   反向恢复电流  

摘要： 提出了一种无电压回跳的逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)结构,在集电极侧场截止层下方加入了一个N型层作为高阻层且把N+集电区部分替换为P型薄层,通过加入的N型高阻层增加集电极电阻,同时用P型薄层保证在初始导通时集电区的空穴能够在第一时间注入,消除了电压回跳现象,并且使器件的反向恢复电流峰值降低了15 A/cm^(3),同时改善了器件的关断特性,关断时间减小了103 ns。相较于传统FS RC-IGBT,反向恢复峰值电流降低了33.3%,关断时间减小了9.93%。

关键词： 中压变频器   旁路方式   运行技术   两相分时旁路   变频调速技术  

摘要： 旁路方式的选择与运行技术直接关系到中压变频器变频性能的发挥,是中压变频器核心技术。文章对中压变频器旁路方式选择与运行技术进行分析。选择两相分时旁路对中压变频器故障功率单元旁路进行切换,采用变频调速技术实现中压变频器运行。经试验证明,应用选择的旁路方式,中压变频器对电机旁路切换的过程中电机转子转速稳定,能耗较低,选择的旁路方式和运行技术应用效果良好。

关键词： 变频器   应用   维护  

摘要： 变频器作为一种在船闸电机拖动中广泛应用的调速节能设备,选型应用及检查维护十分重要,本文从基本类型选择、控制方式、加减速设置、检查维护要点、典型故障处理等方面入手,提出了较为全面的建议,为通用变频器在船闸电机拖动中的应用提供了有效地参考。

关键词： 降压斩波电路   升压斩波电路   Proteus仿真  

摘要： 直流变换电路在电力电子技术中应用非常广泛。降压斩波电路和升压斩波电路是直流变换电路中最常用的两种电路。本文运用Proteus软件搭建了仿真电路模型,通过改变电路的元件类型和参数,分析其对输出电压的影响,从而为具体的工程实践应用提供一种新的研究思路。

关键词： 电机调速   变频器   行车   安全  

摘要： 本文详细介绍了安川变频器在宁波钢铁热轧厂磨辊间起重机运行机构中的应用,讲述了其改造方案、工作原理、功能等,分析了其应用后的效益。其应用可大幅提升起重设备的安全性能,增加智能故障诊断,减少故障时间,降低维护成本。

关键词： 超低排放改造   协调控制   脱硫塔   逻辑组态   炉膛负压   引风机   变频控制   动叶  

摘要： 实施背景我厂600MW流化床机组于2020年进行了超低排放改造工作,在工程最后阶段,由于各种原因设计方和组态调试方未给出我厂变频器动叶与变频控制的协调控制方案。我厂组织试验研究,确定方案,由我进行逻辑组态及调试。大型循环流化床引风机动叶与变频器协调控制,此种控制方式控制的被调量较多,可以控制炉膛负压,可以控制脱硫塔入口负压,可以控制脱硫塔出口负压.

关键词： 变频器   漏电流   零序电流保护  

摘要： 阐述变频器工作原理和主电路结构,变频器漏电流产生原因,探讨影响漏电流大小的因素,煤矿对漏电保护的要求,分析漏电保护方法有附加直流电源检测、零序电流保护法、零序功率方向法。

关键词： 双馈风力发电机   变速恒频   控制策略  

摘要： 本文通过研究双馈异步风力发电机的控制策略,来实现双馈风力发电机的变速恒频,并对其运行过程进行仿真分析。文中根据建立的双馈风力发电机数学模型研究其控制策略,本文研究的是转子侧基于定子电压定向的控制策略,对双馈异步风力发电机定子侧输出的有功和无功功率进行解耦控制。和转子侧基于定子磁链定向的控制策略相比,这种控制方法减少了定子磁链的计算,减小了误差。通过此控制方式,使用Matlab/Simulink软件搭建了双馈异步风力发电机的仿真模型,通过仿真验证了该控制策略可以有效地对有功和无功进行独立控制。

关键词： 绝缘栅双极晶体管   功率半导体器件   功率晶体管   饱和电压   栅极驱动   开关电源   电子开关   三端  

摘要： 绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种三端功率半导体器件,主要用作电子开关,在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管,将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用,如开关电源、牵引电机控制和感应加热。

关键词： Condition monitoring   degradation   insulated-gate bipolar transistors (IGBT)   reliability  

摘要： Condition monitoring (CM) of the components with highest probability of failure in converter circuits can significantly contribute to having a long-term reliable operation. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) are considered as one of the most fragile parts with the highest failure rates in many power electronics applications. This article proposes a real-time CM technique for assessing the IGBT gate oxide degradation level. The proposed technique is based on the device turn-OFF delay time interval, which as we discovered, decreases during the device gate oxide degradation (DGOD) process. Therefore, this article proposes a practical fully analogue circuit to capture the device turn-OFF delay time and convert it to a dc voltage as the final output of the CM circuit. The DGOD precursor output can be effectively used to assess the health status of IGBT gate oxide layer during the device real-time operation. Two different types of 600 V/60 A discrete IGBTs from different manufacturers are used in the experimental verification process. In addition, the proposed CM technique is applied to a 500 W boost dc-dc converter to evaluate the applicability of the proposed CM technique to real-world converter operation. The results indicate that the proposed DGOD precursor shows a 50% change when the device experiences full gate oxide degradation.