关键词:
IGBT解析模型
高额定电压
大通态电流变化率
载流子复合
载流子浓度变化速率
参数提取方法
摘要:
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)被广泛地用于新能源发电、电力传输和舰船电力推进等领域的电力电子装置中,建立准确的IGBT电气模型对指导电力电子技术研发意义重大。电气模型有行为和物理模型两类,其中物理模型可反映器件物理特性,具有普适性。物理模型主要分为数值模型和解析模型,数值模型能准确表征器件特性,但计算过程复杂,解析模型兼具准确性和快速求解能力,在主流电力电子仿真软件中被普遍采用。随着半导体器件和高压大功率电力电子装置的发展,IGBT额定电压不断升高、大通态电流变化率应用场景增加,现有解析模型忽略了器件开/关暂态下载流子双极输运复合效应和通态下载流子浓度变化速率,其计算精度和参数提取准确度无法满足上述发展需求。本文针对高额定电压IGBT、大通态电流变化率场景,开展计及载流子双极输运全过程影响的IGBT解析建模、参数提取和典型应用研究,对完善提升模型性能、指导装置优化设计具有重要科学意义和工程应用价值。
开展了计及载流子复合过程的IGBT开/关暂态解析建模研究。揭示了载流子复合过程对IGBT开/关过程中载流子浓度随基区宽度增加(即额定电压升高)的影响规律,基区宽度由小变大,载流子浓度沿基区分布由近似线性分布趋向近似双曲正弦分布,据此推导建立了开/关过程中IGBT端电压和电流的解析公式。针对1700/3300/6500 V三种典型高额定电压IGBT,用数值模型、现有解析模型和本文解析模型进行了开/关暂态电压电流和损耗对比计算,结果表明,以数值模型为基准,本文解析模型获得的电压电流波形与基准结果更吻合,开通和关断损耗,本文模型结果与基准结果相对偏差最大为13.5%和10.4%,而现有解析模型的相对偏差最大为25.6%和24.2%,本文解析模型显著提升了对IGBT开/关过程电学特性计算的准确度。
开展了计及载流子浓度变化速率的IGBT通态解析建模研究。基于同伦分析法对通态时变双极扩散方程进行了解析求解,获得了计及浓度变化速率后通态载流子浓度的解析分布,推导建立了IGBT大通态电流变化率下端电压和电流的解析公式。针对50/100/150/200 A/μs四种通态电流变化率,用数值模型、现有解析模型和本文解析模型进行了IGBT通态端电压和损耗对比计算,结果表明,以数值模型为基准,本文解析模型结果与基准结果的相对偏差最大为3.2%和2.8%,而现有解析模型的相对偏差最大为35.1%和31.1%,本文解析模型显著提升了对IGBT通态电学特性计算的准确度。
开展了适用于高额定电压IGBT的参数提取方法研究。分析了IGBT恒压关断过程中载流子双极扩散过程,推导了电流的初始骤降特征量和拖尾衰减特征量同基区和场终止层的宽度、掺杂浓度和过剩载流子寿命等七种参数的解析关系,建立了基于参数隔离实验获得电学特征量并利用上述解析关系反演获得IGBT固有参数的方法。针对3300 V高压IGBT,采用现有参数提取方法与本文方法分别开展了参数提取实验和反演计算,获得了两组器件固有参数。将其带入本文解析模型分别进行了开/关暂态损耗和50/100/150/200 A/μs四种通态电流变化率下通态电压的对比计算,结果表明,与实验结果相比,本文方法获取参数的开/关损耗偏差最大为7.3%和6.5%,通态电压偏差最大为4.8%。而现有方法获取参数的开/关损耗偏差最大为32.5%和29.1%,通态电压偏差最大为13.4%,本文方法提高了高压IGBT参数提取的准确性。
开展了本文解析模型在典型高压、大通态电流变化率电力电子装置中的应用研究。以推挽-反激式冲击高压发生器为对象,采用现有解析模型和本文解析模型进行了发生器输出电压、IGBT开通电流震荡峰值、通态损耗和关断电压震荡峰值的对比计算,与实验结果相比,本文解析模型的相对偏差分别为1.8%、5.6%、13.5%和4.7%,而现有解析模型的相对偏差分别为7.2%、15.2%、51.9%和16.8%,本文解析模型可以更准确地预测发生器电学特性。利用本文解析模型改进了发生器控制脉冲序列计算方法,以目标波形为基准,改进后脉冲序列计算方法获得的输出电压波形与基准波形相对偏差最大为3.7%,而现有计算方法的相对偏差最大为15.3%,本文模型可为高压、大通态电流变化率电力电子装置优化设计提供依据。