关键词:
磁耦隔离
片上变压器
IGBT
驱动电路
保护电路
摘要:
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)驱动技术一直以来在现实电力应用中发挥着重要作用,是IGBT应用技术中的关键技术之一,其性能影响着整个系统的效率和可靠性。目前国内外的专用驱动器已经投入批量生产,但依旧存在诸多缺陷,传统的驱动器已经无法满足市场需求。磁耦隔离驱动电路因其具备信号传输速率快、共模瞬态抗扰度(Common-Mode Transient Immunity,CMTI)能力强和隔离性能好等优势备受关注。因此,针对以上问题,本文设计了一款带高低压隔离功能的高速磁耦合隔离驱动电路,主要内容如下:
(1)分析了IGBT器件的结构、工作机理、栅极特性和安全工作区,并通过原理分析和计算结合的方式提出了IGBT驱动的隔离要求、驱动要求和保护要求,最后总结得出驱动电路的总体方案,主要分为数字隔离器、驱动电路和保护电路三大模块。
(2)设计了一款高速高可靠性数字隔离器,通过对目前主流的三种隔离方式进行分析和对比,选择隔离性能更优的片上变压器隔离传输模式,能够同时传输信号和功率的同时,实现了完全的电气隔离。针对信号调制方式的选择,对目前现有的信号调制技术做出分析并探讨优缺点,随后针对所提出的问题创新性的提出两种脉冲型信号调制方式,一种利用三层片上变压器,实现脉冲计数信号调制和极性脉冲调制的结合,另一种是脉冲计数信号调制技术解码电路在现有的脉冲计数调制解码方式的基础上做出改进和创新,最终结合电路性能、制造成本和可靠性等因素,选择改进型脉冲计数调制,降低了解码误码,提高了传输速率的上限,具有高数据传输速率、高可靠性、低延时和低信号失真的性能参数。
(3)设计了驱动主体电路。设计了死区时间产生电路,避免了IGBT在开通过程中由于开通时间的影响导致控制信号的错误而造成的桥臂贯通现象;功率放大电路选择P沟道和N沟道组成的推挽电路,采用分级控制MOS管的导通,即分级控制拉罐电流,使得IGBT栅极电压呈现阶梯型,从而减弱IGBT器件的di/dt和dv/dt问题,优化EMI。
(4)设计了保护电路,包括栅极过压保护电路、短路保护电路、欠压锁定和过温保护。分析了栅极过压的原因,介绍了TSV管和肖特基二极管实现栅极过压保护的两种电路,并选择肖特基二极管实现栅极过压保护功能;防止IGBT的关断过程造成IGBT栅极尖峰电压造成的误开启,设计了弥勒钳位电路;利用IGBT短路时发生退饱和的原理,设计了短路保护电路;欠压锁定是为了监测并防止电源电压过低;过温保护是保护电路在可靠温度范围内工作。
(5)对隔离驱动芯片进行了整体仿真和实验测试。优化了版图设计,利用Cadence spectre仿真验证了双高互锁、使能控制、整体延时和峰值电流。仿真结果表明驱动器的输出驱动电流完成了三级阶梯型灌电流和两级阶梯拉电流控制,峰值灌电流为6.78A,拉电流为6.25A,最低延时为29.5ns,最高延时为65ns,输入输出具有较小的延时。实验测试结果表明峰值灌电流为5.32A,峰值拉电流为5A,传播延时为54ns,最高工作频率为1MHz,总体指标表明驱动芯片设计性能达到预先设定指标且能应用于实际。