关键词:
多芯片IGBT模块
宽频振荡问题
振荡表征平台
寄生电感提取算法
受迫振荡模型
PETT振荡模型
封装抑制方法
摘要:
大功率多芯片绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Translator,IGBT)模块是大容量高效功率变换装备的核心部件,广泛应用于新能源发电、电气化交通和柔性直流输配电等重要领域。上述领域的蓬勃发展对功率变换装备提出了高运行效率、高输出功率、高功率密度的发展需求,因此,IGBT模块朝着低通态损耗、高开关速度、多芯片并联、高密度封装的趋势发展,引发了高幅值高频激励、低阻尼系数与高频振荡回路等振荡触发条件,从而诱发了模块内部的宽频振荡,严重影响功率变换装备的运行性能和可靠性。IGBT模块内部宽频振荡类型多、频率范围宽、振荡机理复杂,如何实现融合芯片运行特征和封装分布参数的宽频振荡建模及抑制是确保其可靠运行的关键挑战。然而,现有宽频振荡方面的研究面临着表征不清、机理不明、抑制边界不明的问题,难以快速准确地对模块内部宽频振荡问题进行分析及抑制。为此,本文聚焦于IGBT模块内部宽频振荡问题的分析及抑制方法,着重开展表征平台构建、特征参数提取、受迫振荡与等离子体抽取渡越时间(Plasma Extraction Transit Time,PETT)振荡建模与抑制方法等方面的研究,为大功率多芯片IGBT模块内部芯片与封装优化提供理论指导,提升功率模块的运行可靠性。论文的主要研究内容和创新成果如下:
首先,针对IGBT模块内部宽频振荡频带宽、难表征的难题,搭建基于空间近磁场的宽频振荡表征平台。借助空间磁场中蕴含模块内部高频振荡信息的特征,建立基于高带宽近磁场探头表征内部宽频振荡的方法。考虑到近磁场仅发生在功率模块换流过程,探究功率模块连续工况解耦为离散开关工况的测试方法以及前提条件,在此基础上利用工况离线测试、探头位置操纵、后期数据处理等多功能协同方式详细描述振荡表征平台构建方法,该平台近磁场探头带宽高达2.3GHz,远高于现有功率模块宽频振荡频率范围。进一步基于实验结果验证了不同频率范围的多类型振荡表征、高频振荡触发阶段定位、空间近磁场时空/频空分布绘制等平台功能,为探究功率模块内部宽频振荡机理提供新工具。
其次,针对IGBT模块内部寄生电感数值小、提取误差大的挑战,建立基于多数据点线性拟合的寄生电感高精度提取方法。通过对功率模块开关过程不同阶段的分析,结合电流快速变化阶段对模块运行安全产生的影响,探明适合用于寄生电感提取的阶段。揭示现有提取方法精度低的原因是仅采用开关过程中两采样点进行计算,易受测量噪声的影响,在此基础上构建基于开关过程多采样点拟合的线性拟合算法,利用数据处理残差与测量误差均服从正态分布的特点从而消除测量误差的影响。进一步基于不同工况下实验数据提取模块内部寄生电感,提取结果表明与现有方法相比,所提方法将误差从7.6%~11.2%降至2.2%~3.5%范围内,且一致性较好。
再次,针对多芯片并联IGBT模块受迫振荡谐振频率多、封装分布参数复杂的难题,提出基于多端口网络模型的受迫振荡建模方法和抑制手段。考虑到多芯片并联功率模块内部复杂的寄生参数分布,提出一种将模块内部芯片特征与封装参数解耦的多端口网络模型,基于该模型探究多芯片功率模块内部不同芯片端口对应的阻抗特征,在此基础上量化寄生电感和芯片寄生电容对端口阻抗的影响,通过与实验结果相比,构建模型可准确预测模块内部多谐振频率特征且主导频率误差小于3%。进一步,基于实验结果探究受迫振荡阶段近磁场分布特征与母线电压、负载电流以及运行结温之间的相关性,并依据构建模型分别从芯片和封装布局角度提出受迫振荡抑制方法,实验结果表明增加芯片栅极内阻的方式可将低频振荡幅值从73.77d BμV抑制到55.25d BμV,降低25%,优化芯片和封装布局的方式可有效抑制幅值为50.71d BμV的高频振荡。
随后,针对多芯片并联IGBT模块PETT振荡机理复杂、耦合因素多的难题,提出融合器件运行特性-封装分布参数的PETT振荡建模方法和抑制手段。基于振荡阶段器件半导体微观载流子运行规律,提出融合器件特征-封装参数的二极管反向恢复过程PETT振荡物理解析模型,揭示器件负阻特征是引发PETT振荡的先决条件,在此基础上,探究母线电压、负载电流、运行结温及驱动电阻对PETT振荡特征参数的影响,提出封装抑制方法将回路寄生电感调整至优化范围内,从而避免回路负阻以抑制PETT振荡的出现,并基于实验结果验证所提方法有效性。进一步,将二极管PETT振荡分析方法延申至IGBT短路关断过程PETT振荡机理与敏感性分析,并针对短路PETT振荡提出相应封装抑制方法,实验结果表明所提抑制方法可有效消除PETT振荡,且不影响器件动态特征。
最后对本文的研究工作进行总结,简述本文的主要贡献,并对后续研究做出展望。