关键词:
SiC IGBT
导通电压
栅氧化层长期可靠性
开关损耗
开关噪声
摘要:
基于碳化硅(Silicon Carbide,SiC)制备的绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)兼具SiC材料宽禁带、高击穿电场、高电子饱和漂移速度、高热导率和IGBT器件高输入阻抗、高阻断电压、强电导调制的核心优势,有望发展为固态变压器、超高压柔性直流输电、大功率机车和动车组牵引等系统中电能管理和控制的“芯”脏,SiC IGBT器件的性能是决定上述超高压电力电子系统高效且安全可控地运行的关键。国际领先的研究机构和厂商在SiC IGBT样片研制方面已取得突破性进展,然而,进一步提升SiC IGBT的电学性能面临以下挑战:
(1)导通电压与阻断电压存在折中关系,当采用载流子存储层提升注入增强效应时,一方面,过厚的载流子存储层致使阻断电压急剧衰退并引发栅氧化层长期可靠性问题。另一方面,过薄的载流子存储层则严重削弱器件的电导调制;(2)导通损耗与开关损耗的“内在矛盾”亟待优化解决,以降低器件整体的功率耗散;(3)沟槽栅结构是SiC IGBT的重要发展路径,如何兼顾接地与浮空电位P+屏蔽层的优势,仍然缺乏完整的解决策略。因此,如何通过结构设计实现SiC IGBT器件的低损耗、低噪声和高可靠性是产学研各界共同关注的核心科学问题。
据此,本文围绕SiC IGBT器件设计中新机制与新结构开展较为深入且系统的研究。建立双浮空P岛全耗尽与非全耗尽和P+屏蔽层电势自适应钳位新机制,提出集成型平面栅和沟槽栅SiC IGBT器件新结构,并对其进行器件建模与仿真分析。本文主要创新点包括:
1、建立双浮空P岛全耗尽与非全耗尽新机制,提出集成双浮空P岛(Dual Floating P-island,DP)的15k V平面栅SiC IGBT器件新结构。在传统平面栅SiC IGBT中,载流子存储层设计对导通电压与阻断电压的矛盾关系缓解效果不佳。因此,提出在器件P阱下方引入双层浮空P岛以及厚载流子存储层,并根据DP在器件雪崩击穿时是否全部耗尽,建立了非全耗尽(Non-Fully Depleted,NFD)与全耗尽(Fully Depleted,FD)双重机制。基于此机制,提出集成双浮空P岛的平面栅SiC IGBT器件新结构,其特点在于“DP对栅氧化层电场的自适应屏蔽”:在阻断状态,DP将被开基区PNP晶体管导通所钳位,与P阱一同对栅氧化层进行保护;在导通状态,厚载流子存储层显著增强电导调制;在关断瞬态,存储在发射极侧的载流子可以迅速抽取;在开通瞬态,DP降低了栅集电容,提升开通速度。基于Sentaurus TCAD进行元胞设计并完成电学特性分析,仿真结果显示,与传统平面栅SiC IGBT相比,在导通电压相同时,非全耗尽型DP-IGBT和全耗尽型DP-IGBT的关断损耗分别下降了55.3%和64.2%,并且非全耗尽型DP-IGBT的栅氧化层电场峰值下降了1.03MV/cm,开通损耗降低了29.9%。此外,由于存储于DP中的负电荷的补偿机制,DP-IGBT对多次开关过程中的动态退化效应具有免疫性。另外,DP-IGBT可采用“多次外延-多次注入”的工艺制备流程,无需增加额外的掩模板。
2、建立P+屏蔽层电势自适应钳位新机制,提出集成P+屏蔽层(P+shield)电势自钳位的12k V沟槽栅SiC IGBT器件新结构。传统沟槽栅SiC IGBT中P+shield为接地(Grounded P+shield,GP)或浮空(Floating P+shield,FP)电势,难以兼顾器件的损耗与噪声。而本文提出电势自钳位P+屏蔽层的是自适应调控电势,兼具接地或浮空电位优势。基于此机制,提出两种沟槽栅SiC IGBT新结构:(1)集成穿通型PNP BJT与增强型PMOS的SiC IGBT(PNP-IGBT),(2)集成增强型PMOS的双沟槽SiC IGBT(DT-IGBT)。其特点在于“P+屏蔽层电势的自适应钳位”:在阻断状态,P+shield将被增强型PMOS导通所钳位在低电势,类似于接地电势;在导通状态,存在空穴势垒使得P+shield为浮空电势,而在开关过程中,P+shield电势在浮空与钳位之间自动切换。基于Sentaurus TCAD进行元胞设计并完成电学特性分析,仿真结果显示,相比GP-IGBT,在关断损耗相同时,PNP-IGBT和DT-IGBT的导通电压分别下降了10.8%和8.6%;相比FP-IGBT,在开通损耗相同时,PNP-IGBT和DT-IGBT的过冲电流分别下降了31.9%和27.1%。此外,PNP-IGBT和DT-IGBT在多次开关过程中P+shield电势的变化也验证了自钳位P+屏蔽层机制有效地结合了接地或浮空电位优势。
本文获得的新机制与新结构研究成果,为高性能超高压平面栅和沟槽栅S