关键词:
绝缘栅双极型晶体管
EMI噪声抑制技术
折中关系
新型器件结构
摘要:
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor,IGBT)集成了MOS器件与三极管器件结构上的优点,自其发明以来一直是功率半导体领域的重要研究对象,在电力电子系统中发挥着重要作用。IGBT作为开关使用的应用场景要求器件具备更低的导通压降与更快的开关速度,同时具备良好的鲁棒性,以避免特殊工况下器件失效。然而,随着应用环境日趋复杂,电力电子设备在实时运行时伴随着电磁能量转换,作为处理高压大电流的功率级器件,IGBT在高速开关过程中会产生极高的dI/dt与dV/dt,耦合在系统回路的寄生电感与电容上,或是在空间内产生电磁波,均会导致对系统其他敏感部件产生强烈的电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)。因此,对于如何能够在高速开关瞬态下实现更低的EMI噪声,本文开展了IGBT器件噪声抑制技术相关的研究。包括理论及机理研究、相应的噪声抑制技术在新型结构上的应用及改进结构的流片验证,主要内容如下:
(1)提出基于等效电容网络、载流子输运行为及降低开关损耗的EMI噪声抑制关键技术三项。
针对IGBT器件开关过程中的高dI/dt与dV/dt时段进行分析,明晰高EMI噪声的产生对应器件内部的物理机制,厘清多个瞬态参数之间的联系及对EMI噪声的敏感性,通过时域、频域的对照分析,建立了从器件结构参数变化,对应器件瞬态行为变化,到EMI噪声频谱变化的分析流程。之后,结合IGBT本身的MOS寄生结构提出了基于器件整体电容优化的EMI抑制技术,通过Cres/Cies比值调节EMI相关的dICE/dtmax及dVKA/dtmax与Eon的折中关系;结合IGBT器件寄生三极管结构,即开关瞬态器件内部空穴载流子输运特性,一方面通过等效电容网络模型的建立,明晰传导通路函数f(CGE/COXS)对位移电流抑制的关键作用并提出分布电容优化技术,另一方面,考虑在瞬态过程中降低dVA/dt大小,通过优化器件内部横向电场分布,抑制空穴载流子在电场作用下聚集在栅极附近的现象,提出了基于载流子输运行为的优化技术;最后对IGBT器件EMI噪声评估折中关系中的开关功耗进行优化,通过优化器件电容以及开关瞬态电流路径的方式减小器件的瞬态功耗。综上所述,提出了基于等效电容网络、载流子输运行为、降低开关损耗的IGBT器件EMI噪声抑制关键技术三项,以指导后续新型器件结构的开发及流片设计。
(2)提出基于栅极工程的低EMI噪声IGBT结构。
基于EMI噪声抑制关键技术中的分布电容、载流子输运行为及器件开关功耗优化技术,提出一种具有N-P-N三层堆叠栅结构的PG IGBT器件。通过其栅极内部电容在器件不同工况下的自适应变化,优化了器件的关断损耗,提升了Eoff-VCEsat折中关系的同时,PG IGBT在ISurge-Eon及dVKA/dtmax-Eon关系上,实现了相同Eon变化范围内ISurge及dVKA/dtmax值的大幅优化。同时,综合对比了器件的基础性能—EMI噪声—鲁棒性参数的三维评估关系,所提PG IGBT结构在VCEsat-ISurge-t SC与VCEsat-ISurge-Eoff(RBSOA)三维度折中关系中表现出最优性能。
(3)提出具有MIS自调节空穴通路的IGBT器件。
基于EMI噪声抑制关键技术中的整体电容、载流子输运行为及器件开关功耗优化技术,通过在SFP IGBT的分离浮空P区域内插入MIS栅结构及自适应空穴通路,提出了SH IGBT器件。空穴通路在器件导通、关断状态下,能够自适应地关断、开启,实现正向导通状态与SFP IGBT导通压降持平的基础上,进一步优化阻断状态下,槽栅附近的电场分布,提升器件耐压。在开关瞬态,空穴通路结构对SFP区域的钳位效果,抑制了空穴聚集,减少了浮空P区对栅极产生的位移电流,实现了在开启瞬态dICE/dtmax-Eon折中关系评估中,SH IGBT结构的曲线更靠近原点,开启EMI噪声更低。同时,对于|dICE/dt|max-Eoff折中关系,相同Eoff条件下,|dICE/dt|max优化了23.4%,SH IGBT结构表现出更低的关断EMI噪声。
(4)提出具有双发射极槽的深FP IGBT结构。
基于EMI噪声抑制关键技术中的整体电容、载流子输运行为及器件开启功耗优化技术,在1700V的电压量级,设计优化了两种结合ET结构的深FP IGBT芯片。通过ET的与发射极电极的电位连接,降低器件Cres/Cies的比值,同时降低深FP的电位,提升了开启瞬态由栅槽底部指向ET底部的横向电场,优化了载流子输运行为,增强了器件栅极控制能力,同时降低了开启损耗。后续进行实际流片,最终验证ET2 IGBT在三种EMI折中关系上均具备优化效果,实现了相同Eon条