关键词:
精神分裂症
中脑腹侧被盖区(VTA)
电刺激
DA
抗精神病药
摘要:
目的 精神分裂症(简称精分)发病机制与中脑多巴胺(DA)系统功能过度或敏化密切相关。中脑腹侧被盖区(Ventral tegmental area, VTA)是脑内DA能神经元集中的脑区,其DA纤维投射到边缘系统和大脑皮质有关脑区如伏核(NAc)、额前皮质(PFC)等组成中脑-皮质-边缘系统,研究其功能活动所表现的特征行为可作为揭示脑内精神活动的突破口。本文用电刺激技术建立精神分裂症的动物模型,对该模型进行药理学评价,进一步探讨VTA在精分发病中的作用。 方法 ①雌性Wistar大鼠30只,在其右侧VTA脑区埋置电极。术后恢复2周,在其安静状态下进行刺激。刺激参数为:波宽1ms,频率为100Hz,持续时间2s,从10μA起以10μA为梯度刺激10次直到100μA,刺激间隔为5min。观察大鼠行为学及脑电图改变,筛选出有精神病样行为学表现大鼠24只并对其行为评分。②电刺激大鼠VTA,给予不同剂量的DA受体拮抗剂氟哌啶醇(HAL)、SCH23390,观察给药前后大鼠行为学改变情况;将大鼠分为三组给予低中高三个剂量组的氯氮平,观察氯氮平对模型的影响;观察DA释放剂苯丙胺对模型大鼠的影响。③大鼠分为正常对照组,模型组,HAL组3组,每组10只。正常对照组,断头取双侧NAc和PFC;模型组在100μA电刺激后断头取双侧NAc和PFC;HAL组腹腔注射HAL30min后100μA电刺激后断头取双侧NAc和PFC;用高效液相色谱电化学检测法(HPLC)测定两核团内多巴胺及其代谢产物含量。 结果 ①电刺激VTA引发大鼠类似精分的阳性和阴性症状异常行为;大鼠脑电无异常改变;大鼠行为学改变随刺激电流的增加而增强;②经典抗精神病药HAL0.30 mg·kg和0.60 mg·kg可提高VTA刺激阈值,降低其行为评分(P<0.01);非经典抗精神病药CLZ40 mg·kg和80 mg·kg可提高大鼠VTA刺激阈值,降低其行为评分(P<0.01);SCH233900.10 mg·kg和0.20 mg·kg可提高大鼠VTA刺激阈值(P<0.01);慢性给予苯丙胺4.0 mg·kg,大鼠VTA刺激阈值降低(P<0.01)。③HPLC测定结果:模型组右侧NAc和PFC DA及代谢产物含量高于正常对照组(P<0.01);HAL组右侧NAc和PFC DA及代谢产物含量