关键词:
TFA-MOD
厚度
钉扎中心
钉扎力
元素掺杂
SZO
BZO
REBCO涂层导体
临界温度Tc
在场性能
摘要:
自高温超导材料被发现以来,其高载流能力在电力系统中的应用前景吸引了人们广泛关注。超导在电力方面应用的关键问题是获得低成本、高临界电流的线带材。近年来基于薄膜外延技术发展起来的REBa2CuO7-x(REBCO)涂层导体(即第二代高温超导带材)已经在全球范围内正在以不同技术路线逐步实现产业化批量化制备。高品质REBa2Cu3O7-x超导膜的制造工艺,如脉冲激光沉积(PLD),共蒸发(CE),化学气相沉积(CVD)液相外延(LPE)和金属有机沉积(MOD)等的研究已经取得了重大进展。这些制备方法可以产生高取向度的超导薄膜,并获得了高性能涂层导体。在不同沉积工艺中,不降低临界电流密度的情况下实现膜厚度的有效增加,均是一个重要的研究问题。MOD是实现涂层导体低成本、批量化制备非常有优势的途径之一。目前,国内外研究团队在这方面已经做了很多工作,采用该方法获得的超导临界电流已经达到了300-500 A/cm(77K,自场)。在MRI、能量存储系统、发电机、发动机、电缆、超导线材和带材、加速器、电磁铁等中使用超导材料可以大大提高其机械性能。在这些应用过程,即使高的磁场中HTS在低温区也具有非常高的Jc值。许多结晶缺陷如非超导相的细小析出物、位错、空位、晶界等被认为是超导材料的钉扎中心。然而,Jc值随着磁场中温度的升高而迅速降低,其主要原因是超导体中缺乏有效的钉扎。鉴于此,已经开发了一种新的技术,即通过纳米结构工程在HTC材料中引入人工钉扎中心。其目的在于以纳米点、纳米棒或纳米颗粒作为钉扎中心提高临界电流密度及改善的REBCO超导膜的钉扎性能。如通过引入有效的人工缺陷来增强磁通钉扎,进而改善高磁场下的载流能力。本论文主要针对金属缓冲层上REBa2Cu3O7-厚膜外延生长及人工磁通钉扎性能提高等方面开展研究。主要研究内容和成果如下:(1)使用不同氟含量的或者不同的起始浓度的前驱液进行实验,制备了一系列不同厚度的超导膜。实验结果表明,同一种前驱溶液制备的Y(Gd)BCO薄膜存在厚度限制。基于起始溶液浓度,选用合适的提拉速度,制备出具有良好超导性能的REBa2Cu3O7-x厚膜。在这项研究中,还着力于将不同的第二相纳米粒子引入REBa2Cu3O7-x基体中,以提高其涡旋钉扎性能。(2)提出了一种基于一维人造中心(SrZrO3纳米粒子)与三维人造中心(Dy2O3纳米粒子)组合掺杂的方法。使用SLF-MOD,成功生长了Dy2O3和SZO共掺杂的高性能的单层YBCO薄膜,并达到了非常高的临界电流密度。所有的薄膜都具有由钉扎中心组成的丰富的微结构。采用3M%的SZO和50%Dy2O3,获得了表面光滑和织构良好的外延YBCO膜,并提高了其自场Jc和Fp(B),实现了15 NG/m3的钉扎能(1.8 T的磁场,50 K)。尽管Tc略有下降,但Jc与磁场有很好的相关性。此外,发现低温下纳米颗粒的Fp,max(B//c)比纳米棒要强得多。在这项工作中,两种类型的APC的有效组合同时被添加到YBCO薄膜中,这实现了强磁通钉扎,而导致磁场中Jc和Fp的总体增强。(3)提出了另一种基于在低氟MOD在双层YDyBCO膜的基质中插入SrZrO3(SZO)或BaZrO3(BZO)的中间层的方法。通过在膜中添加插层,加深理解YBCO膜Tc和Jc性能的基本机制和超导性能的机理。众所周知,在场Jc与磁通钉扎密切相关。通过引入SZO使得Jc(B)曲线钉扎优势和高电流密度在大磁场范围内得以保持(外场从B=0升至5 T,温度范围为50 K至77 K)。 (4)通过改变溶液组成获得第二相显著分布的高温超导涂层导体薄膜,其已被证明在三维人造钉扎中心方面是成功的。该方法通过改变溶液组成在YDyBCO中获得Dy2BaCuO5二次相。该超导膜的厚度相对较大(约1μm),为双层结构YDyBCO/YDYBCO+Dy211。使用改进的Bean模型,讨论了具有不同插层薄膜中的磁通钉扎机制。总之,本论文通过REBa2Cu3O7-x低氟MOD的制备和表征,重点研究了第二相掺杂量的优化,获得了优质的厚膜,明确了掺杂量对微结构,超导转变温度和临界电流密度的影响。