关键词:
硒化铅薄膜
化学浴沉积
沉积工艺
第一性原理
薄膜性能
摘要:
随着材料纳米科学及器件纳米工程的不断发展,光导型红外探测器由于在红外光谱范围具备高光电导性、室温下可正常工作以及高灵敏度等优点,一直是近年来红外探测器领域的研究热点。其中硒化铅(PbSe)类半导体因其独特的物理特性和较低的制备成本,仍然是中红外探测器领域的主要研究方向。本文利用化学浴沉积(CBD)的方法在Si(100)单晶衬底上制备了PbSe薄膜,并采用理论模拟与实验验证相结合的方法研究了PbSe薄膜在Si(100)基体上的生长机制以及沉积时间、Na OH浓度、热处理温度对PbSe薄膜的微观形貌、晶体结构及光学性能的影响。具体研究结果如下:
(1)采用第一性原理计算了PbSe薄膜在Si(100)基体上的生长热力学能,模拟计算结果表明,PbSe薄膜生长时的择优取向受表面能、界面能和应变能的控制。当表面能和界面能在生长过程中起控制作用时,PbSe薄膜在Si(100)基体的择优生长取向为[200],而当应变能起控制作用时,PbSe薄膜在Si(100)基体的择优生长取向为[220],并且当界面能和应变能处于动态平衡状态时,PbSe薄膜无明显的择优生长取向。另外,研究结果还表明对于PbSe1-xOx掺杂薄膜,当界面能在生长过程中起控制作用时,其主要择优取向仍然为[200]。另外,氧元素的掺入以及掺杂位置和掺杂比例都会改变PbSe薄膜的禁带宽度。PbSe薄膜在掺入氧后其禁带宽度明显变窄,并且态密度计算结果显示氧的掺入会导致PbSe薄膜的价带顶和导带底向费米能级附近发生不同程度的偏移。
(2)采用化学浴沉积方法,在沉积温度70℃和不同沉积时间(30 min-120 min)条件下,成功在Si(100)单晶衬底上制备了PbSe薄膜。研究结果表明,生长机制随沉积时间的延长而发生改变,在本文制备条件下PbSe薄膜以逐离子伴随着团簇机制生长时,其薄膜致密性和平均微粒尺寸最大,且薄膜的生长取向始终保持为[200]晶向。而且研究还发现,当沉积时间为60 min时,晶格常数最大为6.306(?),禁带宽度最窄约为0.159e V,对近红外光的吸收度最高。
(3)采用化学浴沉积方法,在沉积温度70℃、沉积时间60 min和不同Na OH浓度(10 mg/L-40 mg/L)条件下,成功在Si(100)单晶衬底上制备了PbSe薄膜。研究结果表明,Na OH浓度的增加会抑制Pb(OH)2胶体的生长,进而提高PbSe薄膜的合成效率。PbSe薄膜的生长取向始终保持为[200]晶向,并且当Na OH用量为40 mg/L时,薄膜的晶格常数最大为6.354(?),禁带宽度最窄约为0.149 e V,光学敏感性最佳。
(4)通过对化学浴沉积制备的PbSe/Si(100)薄膜进行不同温度(140℃-350℃)的热处理退火,以提高薄膜的光电敏感性。研究结果表明,随着热处理温度的升高,PbSe/Si(100)薄膜生长过程中由于脱水缩聚反应发生团聚现象颗粒尺寸明显变大。PbSe/Si(100)薄膜在整个热处理过程中的晶体取向始终保持为[200]晶向,并且在280℃时其结晶性最好。另外,发现在140℃时存在SeO2(311)杂质峰,并随着热处理温度的升高,该峰逐渐被削弱。当热处理温度为280℃时,PbSe/Si(100)薄膜的晶体生长取向为[200]晶向,薄膜厚度最低为653 nm,晶格常数最大为6.353(?),禁带宽度最窄约为0.171 eV,表明PbSe薄膜此时的光学敏感性最佳。