关键词:
C/SiC复合材料
Ti3Si(Al)C2
Al2O3/SiC-Ti3Si(Al)C2复合材料
力学性能
电导率
电磁屏蔽性能
摘要:
近年来,电磁屏蔽材料在宇宙空间站、载人飞船、人造卫星、着陆飞行器、高空歼击机、质子加速器、核反应堆等特殊领域迫切需要。在这些场合,材料不仅要能屏蔽电磁波,保护内部人员及敏感元器件安全,还需防御雷暴、机械损伤、高能脉冲、宇宙射线、质子等影响和干扰。这要求材料除了具备优异的电磁屏蔽性能,还应具备良好的力学、热物理化学稳定性。因此研究兼具良好力学和电磁屏蔽性能的结构功能一体化材料迫在眉睫。C纤维增韧SiC陶瓷基复合材料(C/SiC)具有低密度、高强度、耐高温、裂纹不敏感等特点,是一种理想的热结构材料。此外,由于C纤维良好的导电性能,C/SiC有望作为一种理想的电磁屏蔽材料。Al2O3纤维具有强度高、耐腐蚀、抗氧化等优点,Al2O3纤维增强SiC陶瓷基复合材料(Al2O3/SiC)能满足作为热结构材料长时抗氧化的要求,特别是在中低温区(500~800oC)。但Al2O3纤维导电性能不佳,Al2O3/SiC很难满足电磁屏蔽性能的要求。本文首次将C/SiC和Al2O3/SiC作为结构功能一体化材料进行系统研究。从界面设计和电导率设计角度出发,通过理论计算,论证了C/SiC作为结构功能一体化材料的可行性,系统分析了SiC含量对C/SiC力学和电磁屏蔽性能的影响规律和机理,可为后续设计和制备结构功能一体化材料提供一定的理论依据;从界面设计和电导率设计角度出发,通过理论计算,指出了Al2O3/SiC作为结构功能一体化材料的不足,综合力学性能和电导率两方面因素,确定了通过反应熔体渗透法(RMI),将兼具优异导电性能、抗氧化性能和力学性能的Ti3Si(Al)C2引入Al2O3/SiC基体中以期实现材料结构功能一体化的解决途径,制备了Ti3Si(Al)C2改性Al2O3/SiC复合材料,系统分析了Ti3Si(Al)C2引入对Al2O3/SiC力学和电磁屏蔽性能的影响规律和机理。本文的主要研究内容和结论如下:1.为实现材料结构功能一体化,从材料界面设计和电导率设计角度出发,优化设计导电C和不导电Al2O3两种纤维增韧SiC陶瓷基复合材料。(1)根据He-Hutchinson模型和理论计算,当C/SiC界面层为Py C且界面经过热处理后,材料能实现很好的界面脱粘,纤维可较好承载,满足材料力学性能设计要求;经计算,当Al2O3/SiC界面层为BN其未经热处理,材料也可实现界面脱粘,但是不理想;界面热处理后将更有利于材料脱粘,裂纹偏转,满足材料力学性能设计要求。(2)C纤维导电性能优良,经计算,C/SiC可满足材料电导率设计基本要求(在X-band,电导率高于6.9S/m);Al2O3呈电绝缘特性,SiC呈半导体特性,经计算,Al2O3/SiC不满足材料电导率设计基本要求;在Al2O3/SiC中引入导电相Ti3Si(Al)C2后,材料可满足材料电导率设计基本要求。2.首次系统研究了SiC含量对C/SiC弯曲强度、断裂韧性、电导率、电磁屏蔽性能的影响及机理。(1)随着SiC含量的提高,材料弯曲强度由38提高到375MPa。断裂韧性由6.2提高到21MPa·m1/2。SiC含量的提高,使得纤维及纤维束间协同作用得到更好的发挥,纤维拔出更明显,有效纤维承载体积分数增多,纤维界面脱粘、纤维滑移、拔出、断裂更明显,纤维吸收能量更多,材料强度和断裂韧性均提高。(2)随着SiC含量的提高,材料的电导率由6.8±0.4S/cm下降到2.7±0.1S/cm。材料的总屏蔽效能由42.7d B降到31.4d B,材料以吸收屏蔽效能为主。电导率降低削弱了材料对电磁波吸收能力,从而导致材料吸收屏蔽效能的降低。3.研究了Al2O3/SiC在800oC下长时抗氧化性能,以及Ti3Si(Al)C2引入对Al2O3/SiC弯曲强度、断裂韧性、电导率、电磁屏蔽性能的影响及机理。(1)Al2O3/SiC在800oC氧化100h后,材料失重率为0.1%,且材料氧化后强度和韧性均有一定程度提升,表明材料具有很好的抗氧化性能。(2)由于Al-Si渗透过程温度过高,Al2O3纤维晶粒粗化严重,纤维严重受损,所制备Al2O3/SiC-Ti3Si(Al)C2材料弯曲强度和断裂韧性都低于Al2O3/SiC材料;Ti3Si(Al)C2高的强度、韧性及损伤容限在一定程度上保持了Al2O3/SiC-Ti3Si(Al)C2的强度和韧性,使得其强度和韧性没有因纤维损伤而严重衰减。(3)随着Ti3Si(Al)C2的引入,Al2O3/SiC的导电性能由0.53S/cm提升到6.66S/cm。电导率的提高一方面会增强材料的电磁波吸收能力,另一方面电导率的提高会加剧材料与空气的阻抗失配情况,使得材料反射电磁波的能力也增强。材料总的屏蔽效能由27.6提高到42.1,材料以吸收屏蔽效能为主。材料的吸收屏蔽机制主要有导电性能决定的导