关键词:
金刚石/铜基复合材料
金刚石表面改性
热扩散法
振荡力
微观组织
热导率
摘要:
随着现代电子信息技术的快速发展,电子器件逐渐向高功率、小型化、高集成度的方向发展,传统封装材料已无法满足散热需求。将具有极高导热率和低热膨胀系数的金刚石与具有良好导热性、易加工的金属铜结合,以获得高导热、低热膨胀系数及优异力学性能的金刚石/铜基复合材料,其并与半导体芯片具有很好的匹配性,逐渐受到现代电子技术领域的青睐。本文针对金刚石/铜基复合材料中存在的金刚石与铜的润湿性差和烧结困难等问题,采用热扩散法对金刚石颗粒进行表面改性,并通过振荡热压烧结(HOP,hot oscillating pressing sintering)和振荡压力熔渗(OPI,Oscillating Pressure Infiltration)方法制备高导热的金刚石/铜基复合材料。研究不同镀覆工艺、烧结方法对于金刚石/铜基复合材料的微观组织、致密度、抗弯性能和热物理性能的影响,主要研究结果如下:
通过研究金刚石镀钨工艺,揭示镀覆时间、品级、体积分数及粒径对金刚石/铜基复合材料性能的影响。发现镀覆时间为60 min(金刚石:W:WO3=1:1:0.5)时镀层结构致密且厚度为626 nm,镀覆时间的延长导致镀层疏松、晶粒粗大;金刚石品级提升使镀层厚度与质量呈负相关。研究金刚石体积分数发现,随着体积分数的增加,复合材料的热导率为先增大后减小;当VDiamond=50vol.%时,界面结合最佳,此时复合材料致密度99.59%,导热系数达592 W/(m·K),抗弯强度为125 MPa。粒径的优化表明,从45/50减小至100/120时,镀层由疏松转变为致密,而进一步减小至140/170出现局部脱落的现象。经优化镀覆工艺后金刚石镀层厚度为726 nm,所制备的复合材料致密度为99.92%,热导率与抗弯强度分别提升至628 W/(m·K)和174 MPa,较优化粒径前分别提高约6%和40%。
通过优化金刚石镀覆工艺(金刚石:W=1:1),探究镀覆温度对镀层的微观组织及复合材料性能的影响。研究发现,镀覆温度对物相组成未产生显著影响。镀覆温度为950℃时,镀层质量最优,其晶粒细小致密(镀层厚度为240 nm,较W+WO3镀覆降低约67%)。进一步探究振荡热压烧结(HOP)工艺对复合材料性能的影响,与热压烧结(HP)对比,发现HOP+HP工艺展现出独特优势,通过短时振荡使金刚石颗粒重排和Cu塑性流动,随后恒压稳定界面,综合性能最优,其致密度为97.95%,热导率为717 W/(m·K),抗弯强度为218 MPa;而纯HOP烧结因振荡力长时间作用导致金刚石与Cu界面结合减弱,界面热阻增大,导致性能最差,热导率仅为499W/(m·K)。
通过探究振荡压力熔渗(OPI)工艺对复合材料性能的影响,并与传统压力熔渗(PI)进行对比。研究发现,OPI+PI烧结通过动态振荡力促进金刚石重排和液相Cu在金刚石缝隙流动,促进Cu的均匀分布和材料的致密化,界面W元素梯度扩散,结合静态热压形成界面结合良好的复合材料。OPI+PI工艺制备的复合材料热导率达721 W/(m·K),较单一OPI工艺(388 W/(m·K))和PI工艺(559 W/(m·K))分别提升85.8%和29.0%;抗弯强度达247 MPa,较OPI(190 MPa)和PI(235 MPa)分别提升30.0%和5.1%;且热膨胀系数低至4.18×10-6/K。通过建立材料热导率理论模型发现,界面热阻是导致实际热导率(721 W/(m·K))较理论值(840 W/(m·K))低的重要原因。研究证明OPI+PI为制备高导热/低膨胀复合材料提供了一种新型制备手段。