关键词:
软磁复合材料
有机包覆
FeSiAl
低损耗
高磁导率
摘要:
软磁复合材料通过粉末冶金工艺将软磁粉末与绝缘层结合,形成具有优异磁性能的复合材料,其在高频应用中表现出低磁芯损耗和高磁导率,填补了传统硅钢和铁氧体之间的性能空白。通过调控包覆层组成、优化绝缘包覆技术和热处理工艺,有效提升磁粉芯综合性能,降低软磁复合材料的总损耗,成为软磁复合材料领域的主要课题。传统的有机绝缘包覆受限于热分解温度,无法进行高温退火,无机绝缘包覆存在绝缘层与磁粉表面结合力弱且磁芯成型能力差等问题。因此,寻找合适的绝缘包覆材料和工艺成为亟需解决的关键问题。本文通过水热法,使用聚多巴胺,聚乙烯亚胺等有机材料对铁硅铝磁粉进行绝缘包覆,通过优化绝缘包覆技术和热处理工艺,来提高样品的最佳退火温度,从而实现涡流损耗与磁滞损耗同步降低,最终降低样品总损耗的目的。具体研究结果如下:
(1)制备了聚多巴胺(PDA)绝缘包覆的FeSiAl软磁复合材料,并通过调控包覆浓度和退火温度,优化包覆层的完整度及均匀性,进一步改善综合软磁性能。通过分析500℃-800℃退火温度时软磁性能表现,700℃为本系列样品的最佳退火温度。作为功能界面层的包覆层需满足结构完整、厚度均一及参数可控等条件,方能有效抑制材料损耗并维持其磁导特性及软磁综合性能。实验分析表明,在包覆浓度为12 mg/m L,退火温度为700℃时,磁粉芯的磁性能最佳,即:磁芯损耗Pcv为60.93 mW/cm3(50 mT,100 kHz)、140.64 mW/cm3(100 mT,50 kHz)、328.55 mW/cm3(100 mT,100 kHz)、50.93 mW/cm3(10 mT,1 MHz),μe为43,在10 kHz-1 MHz频率范围内以及20-140℃温度范围内能够保持很好的稳定性,在100 Oe下直流偏置值为66.4%。该优异的软磁性能归因于PDA在FeSiAl表面形成一层均匀致密的绝缘层。
(2)开发了聚乙烯亚胺(PEI)绝缘包覆的FeSiAl粉体,其包覆层在700℃仍能保持稳定。完整致密的绝缘外层形成了有效的电隔离和磁隔离,保证了磁芯良好的综合性能。经过700℃退火1 h,磁芯在1 MHz,20 mT下的Pcv为278 mW/cm3,有效磁导率μe为57.6;在800℃退火后,损耗Pcv为61.6 mW/cm3(50 mT,100kHz)、121.2 mW/cm3(100 mT,50 kHz)、307.3 mW/cm3(100 mT,100 kHz),在100Oe下的直流偏置为51.5%。同时,有效磁导率具有良好的频率稳定性和温度稳定性,在1 MHz和140℃下磁导率μe仍然稳定在55.6。
(3)在PDA、PEI包覆工艺的基础上,进一步研究了PDA/PEI复合包覆FeSiAl磁芯,实现兼顾低磁芯损耗,高磁导率μe性能和大直流偏置特性。随着处理温度由500℃逐步升至700℃,Pcv参数呈现显著下降趋势,这归因于材料内应力的释放过程促使磁滞损耗(Ph)值减小。当温度继续提升至800℃时,Pcv性能出现轻微劣化,主要源于绝缘结构失效导致涡流损耗(Pe)值大幅上升,从而抵消了Ph值的下降。对比不同试样发现,包覆浓度为12 mg/m L的S12样本展现出最优的Pcv表现,这得益于适中的绝缘层厚度能有效抑制Pe和Ph值。以12 mg/m L的浓度包覆并在700℃下退火的S12-700磁芯样品具有良好的综合性能:μe=53.2,在1000 kHz之前表现出优异的频率稳定性;μe振幅从20℃到140℃不超过1.4%,具有良好的热稳定性;Pcv为63.8 mW/cm3(50 mT,100 kHz),141.7 mW/cm3(100mT,50 kHz),341 mW/cm3(100 mT,100 kHz),58.8 mW/cm3(10 mT,1 MHz);在100 Oe时,直流偏置达50.9%。