关键词:
MoSe2
MoSe2/MoS2
MoSe2/CoSe2/rGO
电磁波损耗
阻抗匹配
界面极化
摘要:
随着隐身技术和电磁干扰屏蔽领域的快速发展,开发“薄、轻、宽、强”的电磁波吸收材料成为迫切需求。在众多微波吸收材料中,二维材料由于其感应电子能够沿二维分子网络转移,在交变电磁场下形成耗散电流,有利于电磁波损耗。其中,MoSe2因其特殊的二维分子结构和优异的本征电导率引起了科研人员的兴趣,但单一相结构MoSe2存在阻抗匹配差、损耗机制单一等问题。因此本研究聚焦MoSe2基材料,通过相结构调控、构建异质结及多组分协同设计策略,优化其微波吸收性能并揭示其损耗机理。
首先,通过低温热处理调控MoSe2中1T/2H两相的比例。采用水热法和后续热处理,成功合成了不同1T/2H比例的混合相MoSe2材料。30℃热处理样品在3.363 mm厚度下最小反射损耗(RLmin)为-77.27 dB,有效吸收带宽(EAB)达3.6 GHz(覆盖X波段),表现出优异的微波吸收性能,RCS电磁仿真结果证实了其远场电磁响应优势,RCS衰减值高达-12.07 dB·m2,1T/2H比例显著影响材料的电磁损耗能力与阻抗匹配性能,异构相界面改善了材料的阻抗匹配并且界面交界处产生的界面极化效应增强了材料的介电损耗能力。
其次,采用水热法构建了MoSe2/MoS2异质结构,获得了空心球壳结构MoSe2/MoS2复合材料,通过MoSe2/MoS2比例实现了吸波频段的调控。随着MoSe2占比增加,RLmin对应频率向低频移动,MoS2占比增加则使吸收频率向高频移动。当Mo:Se:S=4:4:4时,在1.798 mm超薄厚度下RLmin达-76.07 dB,EAB为3.54 GHz,表现出优异的微波吸收性能,异质界面优化阻抗匹配并产生了显著的界面极化效应,从而提高了样品对电磁波吸收能力。
最后,构建了MoSe2/CoSe2/rGO(还原氧化石墨烯)多组分复合样品,获得了多种异质界面,增强了电磁波的多重反射损耗和界面极化损耗,样品在2.184 mm厚度下EAB达4.52 GHz,RLmin为-63.02 dB,表现出优异的微波吸收性能。rGO的引入优化了样品的的阻抗匹配并增强其电导损耗,协同异质界面的界面极化效应实现了对电磁波的宽频吸收。
本研究的研究成果为开发高效、轻薄、宽频的电磁波吸收材料提供了理论依据与实验支撑,展现出MoSe2基材料在电磁波吸收领域的应用潜力。