关键词:
复合微波介质陶瓷
微波介电性能
陶瓷电镀
谐振频率温度系数
相组成
摘要:
目前5G、6G等微波通讯技术成为全球关注的热点,全世界范围内都在加快脚步部署5G基站,带动了微波元器件的巨大需求。同时作为微波元器件的基础—微波介质陶瓷的需求也在不断提高。现阶段国内的5G宏基站中波导元器件大多数采用的Mg O-TiO2体系陶瓷,行业内预计在未来6G宏基站建设部署中,仍采用Mg O-TiO2体系陶瓷。所以未来十几年内对Mg O-TiO2体系陶瓷的需求量将不断扩大,对其性能要求也会更加严格,仍需不断研究发展完善。本文以MgTiO3基陶瓷为研究对象,通过传统固相反应法制备出过量Zn2+掺杂的Mg0.95Zn0.05+xTiO3+x(MZT)陶瓷,并选取了最佳的Zn2+掺杂浓度的组分,分别与Mg2Si O4(MS)、Mg2Si0.2Ti0.8O4(MST)复合,通过添加Ca TiO3(CT)调节陶瓷的谐振频率温度系数,制备了MSC和MMC两种新型复合微波介质陶瓷。使用XRD、SEM、SEM、EDS和矢量网络分析仪分析了其物相和微波介电性能变化,并探究了两种新型陶瓷的电镀可行性。主要研究内容如下所示:
(1)传统固相反应法制备出了Mg0.95Zn0.05+xTiO3+x(MZT)陶瓷,发现适量的Zn2+离子掺杂下可以促进Mg TiO3相的形成,但掺杂量超过一定值会在烧结中产生Zn TiO3第二相恶化陶瓷的介电性能,同时使得晶粒出现异常长大。从XRD精修结果看,Zn2+离子掺杂导致晶体结构发生畸变,晶格常数和晶胞体积变大。在1300℃烧结的Mg0.95Zn0.1TiO3.05陶瓷具有优异的介电性能:εr=17.85,Q×f=173,300GHz(@11GHz),1)=-52.04 ppm/℃。
(2)由于MZT、MS和CT具有不同的晶体结构,三者复合烧结过程中能够互相共存,XRD结果显示烧结后的复合陶瓷不存在其他杂质相。EDS结果分析,在烧结过程中,三相会发生离子扩散。在1300℃烧结的MSC094复合陶瓷具有较好的综合介电性能:εr=19.7,Q×f=49,900GHz,1)=0.57ppm/℃。对MSC陶瓷添加0.3wt.%Zn O和0.3wt.%Si O2在电镀过程中能在金属层和陶瓷层形成一定面积的过渡层,有助于提高电镀后的抗拉结合强度。
(3)(1-x)MZT-x MST复合陶瓷结果发现MST相的添加对MZT陶瓷的晶粒均匀性和介电性能有一定改善作用。烧结温度在1350℃时,组分x=0.3的复合陶瓷取得最大的Q×f值(202,333GHz)。通过CT能够调节其谐振频率温度系数,在烧结温度为1300℃时,0.7MZT-0.3MST-8wt.%CT和0.9MZT-0.1MST-8wt.%CT具有优异的介电性能;(εr=18.58,Q×f=70,333GHz,1)=-2.9 ppm/℃)和(εr=19.44,Q×f=45,390GHz,1)=-2.2 ppm/℃)。同时MMC陶瓷的电镀抗拉结合强度较好。