关键词:
碳化硅
氮化硅
微波加热技术
多孔材料
力学性能
摘要:
氮化硅(Si3N4)是一种强共价键化合物,凭借耐腐蚀、耐磨、导热性佳、生物相容性良好以及高温力学性能出色等特性,在多个领域具有重要应用价值。然而,Si3N4陶瓷存在脆性大、抗热震性能低、高温性能易衰减等缺陷。为了克服这些问题,科研人员通过在Si3N4基体中添加第二相碳化硅(SiC),制备出性能更优异的SiC/Si3N4复合材料。SiC/Si3N4复合材料在航空航天、能源环保、生物医学等领域应用潜力巨大。但现阶段制备SiC/Si3N4复合材料需要高温烧结、气氛控制,且反应耗时较长。此外,工艺参数的微小波动,就会导致材料性能出现较大差异,给工业化大规模生产带来挑战。
本文采用升温速率快、生产效率高、节能环保的微波加热技术得到SiC/Si3N4复合材料,通过XRD进行物相分析,SEM进行结构观测,通过测量孔隙率-体积密度、抗弯强度等性能测试比较选取最佳制备SiC/Si3N4复合材料工艺,并通过改变增强相粒径和添加剂含量对SiC/Si3N4复合材料性能进行进一步优化。
研究结果表明:
(1)通过微波加热技术实现了SiC/Si3N4复合材料的高效制备,在微波场的作用下,SiC和Si3N4的强共价键结合,在低于传统制备温度下得到性能优异的SiC/Si3N4复合材料;同时对制备工艺进行了优化,使样品孔隙率从44.7%降低至37.9%,而抗弯强度从3.2 MPa提高至60.0 MPa。过高的制备温度和过长的保温时间会导致α-Si3N4过多的向β相转变,也会导致SiC颗粒间团聚,阻碍Si3N4晶粒生长,导致力学性能下降。
(2)为了进一步使其力学性能获得提升,在前文最优制备的工艺下对增强相粒径和烧结助剂含量进行调整。通过微波工艺制备出孔隙率为30.0%-52.6%,抗弯强度为35.1-81.4 MPa,抗热震测试后抗弯强度为13.1-94.7 MPa,强度保持率为37.32%-193.67%的SiC/Si3N4复合材料;为了制备出在高孔隙率下仍有部分力学性能的SiC/Si3N4复合材料,通过微波加热技术结合Al2O3-Y2O3烧结助剂和造孔剂,液相辅助烧结与造孔剂的协同作用,制备出样品孔隙率为46.8-55.8%,抗弯强度为15.8-48.9 MPa,抗热震测试后,抗弯强度为16.7-94.7 MPa,强度保持率105.57%-193.67%。过大的SiC粒径会导致SiC/Si3N4复合材料致密度过高,过小的SiC粒径导致Si3N4无法很好地附着在SiC上,导致强度降低。适量的烧结助剂有助于复合材料的力学性能提高,过量烧结助剂导致样品孔隙率急剧下降,样品形状收缩,添加淀粉造孔剂会导致样品强度出现显著降低,但仍保留有可使用强度。