关键词:
微波介质陶瓷
氟化物
低介电常数
LTCC
热膨胀系数
摘要:
随着无线通信技术的不断发展,通信频段也不断向更高的频率扩展,高频信号带来高带宽、低时延、高数据吞吐量等显著优势的同时也对通信系统中的元器件提出了更高的要求。作为构成微波通信系统中关键元器件的材料,对具有低介电常数(εr)、低介电损耗(高品质因数Q×f)、近零谐振频率温度系数(τ_f)的微波介质陶瓷的需求日益旺盛。作为一种新的低介微波介质陶瓷研究体系,氟化物在一定程度上丰富了低介微波陶瓷的研究对象,但是简单组分的氟化物陶瓷普遍表现出致密化困难的问题,其中MgF2陶瓷还表现出更高的烧结温度,难以满足低温共烧陶瓷(Low-Temperature Co-fired Ceramics,LTCC)技术的要求。此外。氟化物基微波介质陶瓷的研究多聚焦于一元组分,对多元组分氟化物陶瓷研究较少。为此,本文针对MgF2烧结温度高、致密度低,介电损耗与谐振频率温度系数协同优化,二元氟化物组分设计与微波介电性能优化开展了相关研究,具体内容如下:
(1)MgF2是一种具有优异介电性能的氟化物微波陶瓷,但是单相烧结MgF2陶瓷所需温度过高(>1000℃),难以满足LTCC的技术要求,同时其致密化水平也较低。通过引入LiF烧结助剂可以有效降低MgF2陶瓷烧结温度,同时有助于提高其致密度。为了研究LiF的最佳添加比例,避免第二相过分恶化陶瓷的Q×f值,设计了不同比例的组分。实验表明,MgF2-xwt%LiF(x=0.5,1.0,2.5,4.0,5.0)复相陶瓷可以在500℃~600℃的温度区间烧结,其中MgF2-0.5wt%LiF在550℃烧结3 h后,获得了优异的微波介电性能,εr=5.09,Q×f=100,733 GHz,τ_f=–67.4ppm/℃,致密度达到97.6%。值得注意的是LiF添加量为0.5wt%和1.0wt%的两组样品其致密度和介电性能的表现非常相似,这表明LiF烧结助剂的最佳添加量很有可能小于等于1wt%。基于红外光谱数据的分析表明,MgF2的介电损耗主要由非本征因素决定。此外,添加了烧结助剂LiF的复相陶瓷与金属Al表现出良好的化学相容性,证明该陶瓷是适用于LTCC乃至ULTCC技术的良好候选材料。
(2)为了实现陶瓷Q×f值与谐振频率温度系数协同优化的目标,受层叠堆垛工艺的启发,设计了具有核壳结构的组装陶瓷来调控MgF2-0.5wt%LiF复相陶瓷的τ_f值,采用TiO2作为温度补偿剂。作为对照实验的MgF2-0.5wt%LiF-ywt%TiO2(y=5,10,20)复相陶瓷在调控τ_f值时会造成Q×f值的急剧恶化,而使用预致密化的TiO2陶瓷为核心的组装陶瓷则成功实现了Q×f值与τ_f值的协同调控。另外,核壳结构陶瓷的烧结特性没有发生大的变化,而对照实验的复相陶瓷因TiO2过高的烧结温度(>1200℃)使得整个复相陶瓷的烧结温度升高。均匀混合的复相陶瓷中,当TiO2为20wt%时,对应的τ_f值约为–9 ppm/℃,获得的Q×f值仅有25,933 GHz;核壳结构陶瓷中,当TiO2核心的尺寸为2 mm×2 mm×0.9 mm时(质量分数约为1.27wt%),核壳结构陶瓷对应的τ_f值约为–1.97 ppm/℃,Q×f值为50,302 GHz。借助结构简约、紧凑可靠的特点及优越的调控效果,核壳结构陶瓷在高性能微波介质陶瓷的设计与制造过程中,提供了有效的策略和新的研究方向。
(3)采用标准固相法成功制备了Ba6Mg11F34二元氟化物陶瓷,并首次报道了其微波介电性能。针对烧结过程中容易产生第二相的问题,提出Ba6Mg(11+x)F(34+x)的非化学计量比配比方式,通过引入过量的MgF2来抑制第二相的生成。XRD测试数据表明当x大于等于0.25时,第二相的XRD衍射峰消失,证明了该方法的可行性。XRD的精修结果显示,Ba6Mg11F34陶瓷属于三斜晶系,空间群为P-1,晶格参数,a=7.5084(?),b=9.9192(?),c=10.0354(?),α=81.536°,β=72.402°,γ=71.798°。在烧结温度为825℃,x=0.25时,陶瓷获得了最优的微波介电性能,在24 GHz下,测得εr=8.2,Q×f=77,700 GHz,τ_f=–83.95 ppm/℃。相较于MgF2、Ba F2陶瓷,该陶瓷具有更低的接触角(46.1°),表明其表面能更高,致密化更简单。另外,该材料的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE)达17.6 ppm/℃,与金属铜(17 ppm/℃)的热膨胀系数十分接近,利用COMSOL软件对其潜在的LTCC基板应用展开有限元分析模拟,结果显示这些陶瓷中的热应力显著降低,突出了其在高可靠性电子系统中的巨大应用潜力。