关键词:
发光二极管芯片
图形化衬底
光提取效率
光学设计
纳米压印技术
感应耦合等离子体刻蚀
摘要:
在高分辨率发光二极管(Light Emitting Diodes,LEDs)显示技术中,图形化衬底的设计对于提升LED芯片性能至关重要。目前,传统微米级图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate,PSS)在小尺寸LED应用中面临光提取效率(Light Extraction Efficiency,LEE)低和光调控不均匀等挑战。因此,优化纳米级图形化衬底的设计显得尤为重要。本研究聚焦于倒装LED的纳米级图形化Al2O3-SiO2复合材料衬底(Multi-Material Substrate,MMS)的设计,以填补这一研究空白。通过波动光学方法对不同尺度的MMS进行了透射率模拟,揭示了纳米级图形化结构在增强LEE方面的机制。此外,采用蒙特卡罗光线追踪方法模拟并计算了不同材料和尺寸的图形对LEE和发光角的影响,从而设计出性能最优的纳米级MMS。该设计的圆锥形图形阵列呈六角密排,周期为1.0μm,图形直径范围为800至900 nm,高度范围为550至650 nm。结果显示,纳米级MMS上的倒装LED在轴向出光方面较传统微米级MMS提高了47.15%。与同尺寸的纳米级PSS和平面蓝宝石衬底相比,倒装LED芯片的轴向LEE分别提高了9.85%和112.53%,发光角较纳米级PSS减小了7.46%。最后,我们利用柔性纳米压印技术(Nanoimprint Lithography,NIL)和感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀技术制备了纳米级MMS。本研究为纳米级MMS在高分辨率自发光LED显示中的应用提供了重要的理论和实验依据,预示着该领域的发展潜力。