关键词:
AlGaN
石墨烯
MoS2
范德华外延
紫外光电探测器
摘要:
AlGaN基材料作为一类宽禁带半导体材料,因其可调节的直接带隙、高击穿场强、高化学稳定性和高热稳定性等优异特性,被广泛应用于紫外及深紫外光电器件、5G射频通信技术和高压电力电子器件。然而,由于同质外延衬底昂贵且产率较低,AlGaN基材料通常采用异质外延方法制备,存在晶格失配和热失配问题,因而引发了外延层中大量位错缺陷和高残余应力,限制了材料质量的优化和器件性能的提升。此外,由于异质外延衬底的刚性,且外延层与衬底之间较强的共价键作用阻碍了外延结构的剥离和转移,给柔性和可穿戴AlGaN基光电子器件的发展带来了挑战。
为解决这些问题,本论文利用范德华外延技术,从范德华外延衬底构建出发,结合金属有机化学气相沉积方法,开展了AlGaN基材料的范德华外延研究。通过利用二维材料层间弱范德华力相互作用,将衬底与外延层之间的作用由强共价键转变为弱范德华力,不仅能降低外延层应力,还能实现剥离转移及柔性应用。同时,本论文还对范德华外延氮化物柔性光电探测器件的制备以及高性能紫外光电探测器件的性能优化开展了前沿探索。主要研究成果如下:
1.二维材料的原位生长与范德华外延衬底构建
本论文聚焦于石墨烯和二硫化钼(MoS2)的生长调控,并用于构建氮化物范德华外延衬底。针对石墨烯在转移过程中易产生裂纹和污染的问题,本论文采用含碳的有机光敏聚合物作为固态碳源,在多种非催化衬底上原位生长晶圆级石墨烯。针对化学反应沉积生长MoS2,在调整温度和气流等工艺参数的基础上,采用间断载气供给策略以增强MoS2分子的迁移,促进小单晶畴合并为大单晶畴;通过引入并精准控制氧气刻蚀作用,提高晶圆级MoS2薄膜的均匀性;对于硫化前驱体薄膜的制备方案,通过Si O2/Mo Ox/石墨烯“三明治”结构退火处理提高前驱体膜质量,进而优化提升MoS2薄膜质量。
对于石墨烯上生长的MoS2,石墨烯层减弱外延层与衬底的相互作用,实现了99.83%的MoS2阵列图形转移良率,验证了二维插入层对外延层剥离的提升作用。该策略还显示出对其他过渡金属二硫化物的良好适用性。由于石墨烯与MoS2薄膜之间更强的相互作用,随MoS2薄膜一同剥离的石墨烯可作为光电探测器的电荷传输通道,使制备的柔性光电探测器光电流提升了约10~5倍。
2.范德华外延AlGaN基材料的成核生长调控
在石墨烯作为插入层的范德华外延中,针对氮化物成核生长质量与石墨烯晶格完整性难以兼顾的问题,本论文提出了“双缓冲层”结构,在保留石墨烯完整晶格结构的同时,提升了氮化物的成核特性和生长质量。该结构包括低温成核层和高温延展层,并利用横向迁移增强的氨脉冲法生长高温厚层Al N,实现外延材料晶体质量的进一步优化。
通过对MoS2薄膜上AlGaN基材料范德华外延的研究,本论文发现MoS2中S原子和Mo原子间显著的电负性差异,使得S原子与Ga/Al原子间形成强的库仑相互作用,从而调控氮化物原子的成键和沉积行为,相比于蓝宝石上直接生长的氮化物薄膜,获得了高质量N极性氮化物外延层。这一发现为二维材料上生长高质量且极性可调控的半导体材料提供了新的策略。
***基材料范德华外延紫外光电探测器应用
在AlGaN基材料成核生长调控研究的基础上,进一步对范德华外延氮化物材料的柔性应用及光电器件性能优化进行了探索。
利用“双缓冲层”结构,保证了范德华外延过程中石墨烯结构的完整性,能够有效降低高质量AlGaN外延层与衬底之间的相互作用。因此,通过施加机械力即可实现Al N外延层的剥离转移。石墨烯与AlGaN外延层一同被剥离,衬底上无AlGaN基材料及石墨烯残留。在剥离的样品表面沉积金属电极以制备柔性紫外光电探测器,石墨烯层作为电荷传输通道,实现了对193 nm远紫外光的有效探测。在弯曲状态下,探测器展现出稳定的脉冲光响应,证明了基于氮化物范德华外延技术制备柔性光电子器件的可行性。
同时,在MoS2薄膜上实现N极性GaN范德华外延的基础上,转移石墨烯作为电荷传输通道,制备了紫外光电探测器。通过对比蓝宝石上直接生长的Ga极性GaN薄膜,石墨烯与N极性GaN薄膜的功函数差异更大,形成了更宽的空间电荷区和更强的内建电场,更多的光生载流子在内建电场的作用下漂移至石墨烯中,引起石墨烯层表面电势的更显著的变化和器件电流大幅增加,实现紫外光电探测器性能提升,展示了基于范德华外延氮化物极性调控的高性能器件优化方案。