关键词:
C=C
石墨烯
硼烯
扫描隧道显微镜
表面环加成反应
摘要:
作为自下而上策略在二维表面精准建构分子低聚物或二维高分子的有效方法,表面合成(On-surface synthesis)提供了在亚分子水平研究分子反应过程进而揭示反应机理的模型体系,还可以实现溶液化学中难以发生的反应。烯烃基团(C=C)之间的耦合反应是有机合成中一类重要的反应,已广泛应用于各种工业过程。多种C=C之间的多类型耦合反应已在溶液合成化学中被广泛研究;然而,在表面合成中,仅有含C=C官能团的分子间发生的C=C脱氢直连反应已被报道,而含C=C官能团的分子在表面的环加成反应还少有研究,而这类反应却是合成多环芳烃和石油化工材料的关键步骤。相比于C=C脱氢直连反应,C=C官能团的环加成反应所需反应能垒更高,依靠传统的热激发触发反应容易导致分子热致脱附,从而导致反应无法发生、反应产率低、选择性差和产物有序性差等问题。针对以上问题,本论文通过将光致化学反应引入表面合成,研究了以紫外辐照高效触发含C=C官能团的同种分子和不同分子之间多种类型的环加成反应,有效控制了其反应的过程和选择性。具体研究内容如下:
以含C=C的2,4,6-三(4-乙烯基苯基)-1,3,5-三嗪(C27H21N3,TVT)分子作为前驱体,研究了含C=C官能团的同种分子的表面环加成反应。结合扫描隧道显微镜(STM)和密度泛函理论(DFT)计算,证明通过采用次表层碳掺杂的Cu(111)(即C-Cuδ+)为新型催化平台,可以有效提升C=C官能团的环加成反应产率。在298 K和323 K时,TVT分子在C-Cuδ+表面的反应速率分别是TVT分子在Cu(111)表面的10.5倍和6.3倍;C-Cuδ+可以显著降低C=C去质子化、环化和线性偶联的反应能垒,从而提高总的表面反应速率和环加成反应的反应比例。同时,在次表层引入碳可以提高衬底的光学吸收性能,更好利用入射光子能量。在紫外照射下,TVT分子和C-Cuδ+对光的有效吸收和利用为克服反应能垒提供了额外的能量,将环化反应的比例从21.8%增加到40.3%。作为首个将光化学引入表面合成的例子,这些结果为高效克服表面反应能垒和有效改变和控制表面反应过程提供了新思路。
采用3,5-二(羧酸)-苯基-3-马来酰亚胺(C12H7NO6,BCPM)分子为前驱体,研究了含C=C的异类分子之间的表面环加成反应。BCPM分子马来酰亚胺环中的C=C可以和石墨烯发生环加成反应。STM和DFT计算研究表明,当BCPM分子在外延生长于Cu(111)衬底的单层石墨烯表面物理吸附、组装成平行于石墨烯层的二维长程有序多孔网络时,网络孔洞所形成的围栏可以有效束缚通过与石墨烯相互作用而在垂直于表面方向延展的Cu(111)表面自由电子,形成电子态束缚;同时,这种范德华力吸附的分子层可以锐化石墨烯电子态的色散关系。STM、红外线反射-吸收光谱、拉曼光谱和DFT计算证实,紫外辐照可以引发BCPM马来酰亚胺环中C=C与石墨烯之间的[2+2]和[2+4]环加成反应;该反应在足够长的辐照下表现出可逆性,正逆反应平衡条件下反应产率为~56%;反应位点具有高度空间选择性,排列成二维有序阵列。角分辨光电子能谱结果表明,与BCPM分子层发生的环加成反应可以有效打开石墨烯带隙,使单层石墨烯变成窄禁带半导体材料。
此外,研究了含C=C分子与其他sp2杂化材料之间的表面环加成反应,选用了含C=C的富勒烯分子(C60)和硼烯。C60独特的三维共轭电子结构使其与平面分子的环加成反应不同;单层硼烯的各项异性结构也使其反应性能与单层石墨烯截然不同。STM和DFT计算研究表明,室温下C60分子以物理吸附的形式吸附于在Ag(111)衬底外延生长的单层χ3相结构硼烯表面,吸附位置根据硼烯表面的电荷分布来确定;紫外辐照可以引发C60分子中C=C与硼烯之间发生[2+2]光致环加成反应,反应具有空间选择性,其中C60分子充当电子受体,接收硼烯的电子。该环加成反应可得到两种不同的产物,使加成的C60分别呈现两瓣和三瓣形貌,产物比例为71.2%和28.8%,二瓣产物的环加成反应能垒更低。这些结果有助于加深对含C=C分子的表面反应以及含有C=C分子与其他二维材料反应的理解,进而推动单分子器件的构筑和新型半导体材料器件的研发。