关键词:
二维材料
范德华异质结
石墨烯
近邻效应
反常霍尔效应
介电屏蔽效应
磁光克尔
摘要:
为满足人们日益增长的信息化需求,芯片的集成度越来越高,随着晶体管尺寸微缩至纳米尺度,迁移率降低、漏电流增大、静态功耗增大等问题层出不穷,迫切需要开发新工艺和新材料。石墨烯的问世为利用二维范德华材料开发新型器件提供了一个新方向。一方面二维范德华材料已发展成具有金属、半导体、绝缘体、半金属以及各种拓扑材料的大家族并具有优异的磁电、光电等性质,特别是磁性二维范德华材料的发现,为低功耗自旋电子器件的发展提供了机遇。另一方面二维范德华材料具有无悬挂键的光滑表面,可通过范德华力任意堆垛组装成范德华异质结器件,实现更多超越传统电子和光电子器件的应用。因此,利用二维范德华材料结构和性能优势去开发新型器件,有望克服传统硅基半导体的局限性,带动新一代电子器件的发展。然而,大部分二维材料性质单一,限制了其进一步应用。因此,扩展已有的二维材料的性能以及开发新的二维材料仍是当前研究的重点。本论文从扩展二维材料性能和开发新材料两个方面对二维范德华材料进行了系统研究:第一,通过针对性的制备基于石墨烯的二维范德华异质结器件,利用近邻效应和介电屏蔽效应等异质结界面之间的耦合相互作用,有效地补充与提升石墨烯的性能,进一步提高了其在新型二维电子器件中的应用价值。第二,依据理论计算,设计并实验合成了新型范德华铁磁材料CrVI6,扩大了二维范德华材料的种类,并通过磁光克尔表征建立了斯格明子的磁光学标志。该系列成果将对二维范德华绝缘体系的表征及应用产生广泛的影响,为未来信息技术的颠覆性改革打下基础。具体的研究内容如下:(1)通过构建MnPS3/石墨烯范德华异质结器件,利用反铁磁MnPS3的磁近邻效应,成功将磁性引入石墨烯中。电输运研究发现,该石墨烯基异质结中的霍尔电阻率曲线呈现非线性行为,且在不同的栅压下,其非线性行为不变,该实验结果表明石墨烯中存在与铁磁有序相关的反常霍尔效应。温度依赖的反常霍尔电阻率的研究显示反常霍尔效应的转变温度与MnPS3的奈尔温度一致,进一步证实了石墨烯中的磁性来源于其近邻的MnPS3。理论计算结果也显示,在高场下,MnPS3自旋翻转产生的磁有序,通过磁近邻效应提高了石墨烯的自旋轨道耦合,使石墨烯的时间反演对称性被破坏,导致石墨烯中出现非零的贝利曲率,进而在霍尔电阻率曲线上表现出非线性行为。这个研究成果为实现基于石墨烯的新型二维自旋电子器件提供了机会。(2)通过构建CrOCl/单层石墨烯范德华异质结,利用CrOCl的介电屏蔽效应,成功提高石墨烯的载流子迁移率。低温电输运测量发现,该石墨烯基异质结中纵向电阻出现舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡行为,表明石墨烯的载流子迁移率被显著提高,背栅扫描后证实CrOCl/单层石墨烯范德华异质结中载流子迁移率可被有效提高到35000 cm2 V-1s-1。温度依赖的输运结果表明由于迁移率的提高,在高达100 K的温度下仍能观察到SdH量子振荡和霍尔电阻平台,这远高于文献报道的温度。研究表明具有高介电常数的CrOCl可以提供介电屏蔽效应,有效降低电子与电荷杂质之间的库仑相互作用,减少电子的库仑散射,进而提高了载流子迁移率,使SdH振荡更容易被观测到。这项成果为提高石墨烯的载流子迁移率,实现高温量子输运打开了大门,为低功耗器件的应用提供了机会。(3)通过化学气相输运法首次合成二维范德华铁磁单晶CrVI6,并利用磁光克尔探测到CrVI6中存在斯格明子。物相与磁学表征证明块体CrVI6具有高的结晶质量,是易磁化轴为面外、居里温度为51 K的铁磁单晶。厚度依赖的磁光克尔表征发现少层CrVI6的磁滞回线在62-115nm的厚度区间里出现反对称峰,且反对称峰具有温度依赖性,仅在17 K以下存在。结合理论计算确定克尔峰起源于斯格明子,是拓扑电荷的表现形式之一,被称为拓扑克尔效应(TKE)。该成果发现了一种具有新型自旋有序的铁磁绝缘材料,并通过磁光克尔表征建立了斯格明子的磁光学标志,即TKE,为在绝缘体系中检测斯格明子提供了一种可行性方案。