关键词:
三维石墨烯
应力自折叠
异质结
硅纳米线
光电特性
摘要:
石墨烯具有从紫外至远红外的宽光谱吸收特性、室温下超高的载流子迁移率,将石墨烯与半导体材料结合形成异质结光电器件,可应用于超宽谱和超快光电探测器等领域。但是,本征石墨烯由于光吸收率低,导致石墨烯探测器的光响应率较低;石墨烯自身的光生载流子寿命短,且难以有效收集,也影响了探测器的性能。本文为解决石墨烯光响应率低的问题,采用化学气相沉积和脉冲激光沉积法,辅以转移工艺,以石墨烯为基材直接制备Si纳米线及超薄Ge外延层,实现了柔性、可见-近红外高响应的石墨烯基光电器件。在该基础上,进一步采用模板法和应力自折叠法,构建了三维石墨烯网络和规则立方体结构,实现了对可见-近红外光的响应和生命体征的探测,为开发三维石墨烯光电探测器在柔性探测、空间光信息探测等领域的应用奠定了实验与理论基础。本文的主要研究内容和成果如下:1.研究了一种PMMA/PDMS双支撑层的转移方法,并利用该方法在柔性衬底上转移制备了高质量、可移植的石墨烯/Si纳米线结构。采用金属催化的CVD法,利用Si纳米线对可见-近红外光的高敏感度,在石墨烯基底上生长Au诱导Si纳米线并转移至柔性衬底。通过实验分析了 Si纳米线的生长机理及纳米线受应力影响弯曲后的晶向变化。测试结果表明,Si纳米线具有单晶结构,直径为~22nm,其生长取向为[21-1]晶向,受应力弯曲后其结构由单晶转变为非晶。可见-近红外辐照下,该器件具有具有明显的光响应,光生电流ISC和开路电压VOC分别为4.85μA和265mV。2.提出了一种柔性、可移植的石墨烯/超薄Ge异质结光电器件,拓展了近红外光响应范围。使用激光脉冲沉积法,在石墨烯上沉积了厚度为~50nm的超薄Ge薄膜,并利用湿法转移法将其转移至柔性衬底上。研究了工艺条件对Ge薄膜性能的影响因素并优化了工艺。测试结果表明,柔性石墨烯/超薄Ge薄膜在可见-近红外区光吸收率明显提高,该器件表现出良好的整流特性,在暗状态下异质结整流比为3.78。在±3V下整流比为7.8,-3V时反向漏电流为1.42×10-5A,计算得异质结肖特基势垒高度为0.81eV。在VIS-NIR光辐照下,Gr/超薄Ge异质结有明显的光响应,响应度为0.08mA·W-1,探测率为2×104Jones。使用650nm和850nm激光照射时响应度分别为0.38mA.W-1和0.25 mA·W-1,探测率分别为9.5×104Jones和6.25×104Jones。开关特性表明,异质结响应和恢复时间分别为600ms、400ms。3.提出了一种高孔隙率的三维石墨烯结构的制备方法,并制备了三维石墨烯光电器件。该器件具有良好的光敏及压敏特性,测试结果表明,氧化石墨烯(GO)均匀的覆盖在PDMS骨架表面,三维石墨烯的孔隙率为57%,GO层厚度约为5μm。在光照时三维石墨烯具有良好的光电响应,偏压为3V时光电流为0.9μA,响应度为30μA/·W-1。在受压下也具有明显的压敏特性,当外加5kPa压力时,压敏电流从0.14μA增大至96μA;外加光照及5kPa压力时,3V偏压下电流进一步增加至182μA。同时,柔性三维石墨烯的压电测试结果表明,受到压力时三维石墨烯处于高响应状态,电流为35μA;反之,三维石墨烯处于弛豫状态,电流为30μA。该器件在循环测试中表现出了良好的稳定性。4.为探索应力自折叠的机制,建立了应力自折叠过程中的表面张力瞬态模型,实验和理论探究了应力自折叠的内在机制。模拟结果表明,铰链熔化初期的表面张力方向平行于水平面,随着铰链熔化,表面张力方向逐渐由水平方向转为垂直方向,自折叠速度随之加快,且此时最大表面张力为16.6kPa,远大于SU-8面板重量以及面板与衬底的结合力。当熔液稳定向外扩散时,随着表面张力逐渐由16.6kPa减小为12.2kPa,此时折叠速度也由最高的22.5°/s降低至7°/s。模拟结果表明,玻璃化温度以上的高温引起了 SPR-220铰链的固-液转化,表面张力的作用使得液体表面具有收缩趋势,这也是应力自折叠制备三维石墨烯立方体结构所需驱动力的来源。5.初步探索了三维石墨烯的应力自折叠制备方法。根据模拟结果,使用应力自折叠法成功制备了三维石墨烯立方体结构,研究分析了应力自折叠的工艺条件。结果表明,SU-8面板结构曝光时间20s、前烘与后烘的温度和时间均为95℃和15min、显影时间120s时,SPR-220铰链结构曝光时间440s,前烘温度和时间为115℃和60s,显影时间5min时,二维微纳框架图像清晰锐利,形成了图形化石墨烯,无掩膜处石墨烯去除彻底。二维微纳框架的应力自折叠温度大于130℃,自折叠时间为8s。应力自折叠制备的三维石墨烯微纳结构中,石墨烯有着良好的结构完整性,在包括应力自折叠在内的三维结构化过程中,石墨烯中未产生明显损伤,处于低缺陷状态。