关键词:
PbSe
PbSnSe
石墨烯
光敏二极管
分子束外延
摘要:
PbSe是一种具有直接带隙的窄禁带半导体材料,其室温禁带宽度约为0.27e V,在红外探测领域具有极大应用潜力,此外,通过与SnSe合金化形成的三元化合物半导体PbSnSe,可将截止波长由中波红外拓展到长波红外。当然,PbSnSe所固有的介电常数偏大、载流子迁移率偏低等物性缺点对其光电探测性能产生了一定负面影响,也导致其技术发展长期受阻。作为二维材料的典型代表,石墨烯的Dirac锥状能带特征导致载流子迁移率极高,但对于红外探测而言,石墨烯的光吸收率偏小,且光生载流子寿命很短,也存在一定的局限性。为了充分利用PbSnSe和石墨烯的物性优点,本实验室曾通过转移技术构筑了石墨烯/PbSnSe异质结,并研制了异质结光敏二极管,获得了良好的光电响应特性,但因转移工艺难以确保界面特征,其光电响应速度仍然偏慢,响应时间常数维持在百毫秒量级。为此,实验室改用分子束外延作为基本技术手段,在石墨烯表面生长PbSnSe薄膜,原位构筑石墨烯/PbSnSe异质结,并研制异质结光敏二极管,期望改善其光电响应速度特性。本论文先以Sn组份为零的PbSe为研究对象,通过石墨烯/PbSe异质结的原位构筑,并研究其光敏特性,为原位构筑石墨烯/PbSnSe异质结的光敏特性研究提供基本工艺支持及基本规律参考。本论文首先对原位构筑石墨烯/PbSe异质结的工艺参数进行了研究,通过对所生长PbSe薄膜的XRD、SEM、XPS分析结果,初步确定出了优化的衬底温度为300℃,当然,因PbSe和石墨烯的结构差异,在优化的衬底温度下所沉积PbSe薄膜为(100)择优取向的多晶薄膜。在此基础上,论文利用Se热蒸发源,对所生长PbSe薄膜常见的Se空位进行补偿,期望对所生长PbSe薄膜晶体质量有所改善,实验结果显示:当Se蒸发温度设定为160℃~180℃时,所生长PbSe薄膜具有较好的结晶质量和电学特性。为此,论文采用优化工艺条件原位构筑了石墨烯/PbSe异质结,并研制了基于石墨烯/PbSe异质结的光敏二极管,测量了该光敏二极管的光电响应特性。测试表明:在3.70 m W/cm2光功率密度、1050 nm波长近红外光源照射下,石墨烯/PbSe异质结光敏二极管具有良好的光电探测性能参数,响应度R为2.0 A/W,探测率D*达到8.0×10~9Jones,响应速度的上升时间常数tr为16.3 ms,响应速度的下降时间常数td为16.2 ms。在石墨烯/PbSe原位构筑研究基础上,本论文进一步开展了在石墨烯表面PbSnSe薄膜的MBE生长研究,了解了SnSe热束流源蒸发温度对所生长薄膜结晶质量、表面形貌和Pb/Sn组份比的影响,当SnSe蒸发温度设定为425℃时,所生长PbSnSe薄膜组份大致为Pb0.9Sn0.1Se,并利用该组份比PbSnSe薄膜所构筑的石墨烯/PbSnSe异质结研制了光敏二极管,测试结果表明:在3.70 m W/cm2光功率密度、1050 nm波长近红外光源照射下,该石墨烯/PbSnSe光敏二极管具有良好的光电探测性能参数,响应度R为1.1 A/W,探测率D*达到1.2×1010Jones,响应速度的上升时间常数tr为8.4 ms,响应速度的下降时间常数td为8.6 ms。