关键词:
固体高次谐波
石墨烯
刻蚀晶体
掺杂半导体
P-N结
摘要:
随着激光技术的发展,强激光与物质的相互作用引发了广泛的关注,其中激光驱动固体产生的高次谐波因其独特的性质而被深入研究。目前,固体高次谐波的研究已经从传统的块状晶体扩展至纳米材料和掺杂半导体中。这些材料展现出了丰富的光电性质,为高次谐波的产生及调控提供了新的可能性。通过改变掺杂的类型和数量,或设计特定的纳米结构,可以有效改变固体的能带结构以及能带上电子的跃迁过程,从而调控高次谐波的产生。研究纳米材料和掺杂半导体产生高次谐波的机制和特性,对实现集成化的高效极紫外光源有重要意义,有助于在复杂固体体系中发展超快微观动力学探测方案。然而,纳米材料和掺杂半导体的结构相较于传统块状晶体更为复杂,高次谐波的产生机制也更加多样,因此这两类材料中的高次谐波产生过程亟需进一步研究。本文研究了纳米材料和掺杂半导体中高次谐波的产生机制,揭示了材料结构与谐波特性之间的关系,取得的成果如下:
(1)研究了石墨烯高次谐波的方向依赖特性,揭示了谐波方向依赖特性和近邻原子之间相互作用的关系。产生高次谐波需要高强度的激光,只考虑最近邻原子间的相互作用不足以准确描述高次谐波的产生过程。本文通过紧束缚近似模型,考虑到了第三近邻原子间的相互作用,准确的获得了石墨烯的能带结构和跃迁偶极矩。对近邻原子之间相互作用的分析表明,除了最近邻原子间的相互作用之外,第三近邻原子之间的相互作用也对高次谐波的方向依赖特性有重要影响。
(2)研究了刻蚀晶体产生高次谐波的机制,提出了通过布洛赫电子的相位匹配和空间局域增强效应提高谐波产率的方法。数值计算的结果表明,刻蚀晶体上周期排列的准一维纳米结构可以使晶体的能带分裂为多条子能带。子能带上存在能量相同的布洛赫态,导致布洛赫态上的电子贡献的谐波相位相同,满足相位匹配条件,可以实现谐波的相干相长。此外,本文分析了不同空间位置贡献的谐波产率,发现构造纳米结构可以实现高次谐波的空间局域增强。相位匹配和空间局域增强效应可以使刻蚀晶体高阶谐波的产率提高近三个数量级。
(3)建立了描述掺杂半导体高次谐波产生过程的理论模型。理论模型表明,掺杂打破了半导体的空间周期平移对称性,使半导体中出现局域电子态,引入了额外的电子跃迁通道,即非垂直跃迁通道和局域电子态到能带上其他态的跃迁通道。这两种额外的跃迁通道导致高次谐波强度的增加和截止能量的改变。此外,本文研究了基于局域电子态的双中心干涉现象,发现电子的跃迁过程中包含了杂质原子的相对位置信息,揭示了两个杂质原子的核间距离和谐波谱中凹陷位置的对应关系。
(4)研究了P-N结产生高次谐波的过程,提出了通过P-N结两端的电压调控高次谐波产率的方法。在施主(N型)和受主(P型)掺杂的半导体构成的P-N结中,电子能够在两种半导体的能带之间跃迁。本文提出可以通过调节P-N结两端的电压,控制两种半导体能带之间的能量差,改变P-N结的有效带隙和电子跃迁到导带的概率,从而调控高次谐波的产率。这种方法能够使高阶谐波的产率增加三个数量级以上。这项研究为固体高次谐波的产生和调控提供了新的思路。