关键词:
石墨烯
电磁诱导透明
太赫兹
场发射
功函数
摘要:
石墨烯(Graphene)是一种由单层碳原子面排列构成的二维蜂窝状碳质晶体材料。自问世以来,石墨烯就因其优异的电学、光学、力学和热学性能在诸多领域显现出了应用潜力。表面势是石墨烯材料重要的物理参数之一,对石墨烯表面势便捷有效的调控有助于推动石墨烯从实验室走向未来的全面应用。本文围绕石墨烯表面势的测量、调控和匹配选取了三种石墨烯光电器件进行研究,分别涉及太赫兹波的调控、柔性显示和场发射光源。这三个方面涵盖了光在通信、娱乐、照明上的应用,充分体现了石墨烯作为一种新型材料在将来对我们生活的潜在影响。
1.研究了化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)合成大面积单层石墨烯的工艺,制备出了大面积且膜结构连续的单层石墨烯,为后续石墨烯的器件应用打下了基础。针对传统CVD法合成石墨烯时存在大量晶格缺陷的问题,研究了降低石墨烯成核密度以及扩大单晶石墨烯尺寸的工艺和方法,提高了所制石墨烯的质量。首先在铜盒法生长单晶石墨烯的基础上,提出了增加生长阶段的气压以获得更小的石墨烯成核密度。通过统计不同生长气压下铜盒内表面的粗糙度后发现,生长气压较高时铜盒内表面的粗糙度较低,更利于单晶石墨烯的生长。最终在20 min的生长时间内获得了直径到450μm的单晶石墨烯,这一尺寸能够满足大多数石墨烯晶体管的制备需求,并且相较于传统低压铜盒法有着更高的生长效率。另外还通过多物理场仿真和实验研究了生长阶段石英舟内混合气体流速场的分布情况以及石英舟内不同位置石墨烯的成核密度,发现在石英舟的底部混合气体流速较缓且成核密度较低。最终以给石英舟上加盖石英片的方式在石英舟底部获得了极低的成核密度,并通过60 min的生长在普通铜箔上合成了毫米级的单晶石墨烯。
2.设计了静态和动态两款太赫兹电磁诱导透明(Electromagnetically Induced Transparency,EIT)超表面,在实现EIT的动态可调时采用了单层石墨烯与超表面金属结构相复合的设计。首先利用截断线(Cut Wire,CW)和开口环(Split Ring Resonator,SRR)两种明模谐振结构在中心频率处能够产生相干相消的现象提出了一种SRR环抱CW的静态EIT超表面结构。通过仿真和理论计算发现,当增大CW的间隙或减小SRR的间隙时可以削弱其中一种结构的谐振使相干相消更加彻底,提高EIT透明峰的幅度。在测试了不同结构参数的实验样品后证实了仿真分析的结果,其透明峰幅值最大可达到90%,产生的群延时为44.89 ps。其次,利用微纳工艺将金属结构与单层石墨烯相结合制备了动态可调的太赫兹EIT超表面。仿真和理论计算发现,通过改变石墨烯功函数进而改变石墨烯的电导率可以调控CW金属结构的谐振状态,从而调控EIT透明峰的幅度和太赫兹波的群速。在EIT的光调控实验中,随着飞秒泵浦光功率的增强,石墨烯电导率降低,EIT透明峰的幅度增加,结构的群延时增加。最后通过改变泵浦光脉冲和太赫兹波脉冲的延时时间测得两种金属-石墨烯复合超表面呈现出8 ps和11 ps的超快光调制特性。
3.由于石墨烯片阵列中存在场屏蔽效应,首先利用MAGIC软件仿真分析了垂直取向的石墨烯片阵列的场发射情况,发现当石墨烯片的间隔为自身高度的4倍时在固定面积上场发射电流最大。设计制备了还原氧化石墨烯片(Reduced Graphene Oxide Sheets,r GS)和碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)交叠分布的混合纸发射器。在对拥有不同厚度CNTs层混合纸的场发射测试中发现,当CNTs层厚度为5μm时混合纸中石墨烯片之间的场屏蔽最弱,印证了之前的仿真结果。还利用混合纸的场发射数据计算了石墨烯片顶端功函数由于肖特基效应产生了0.14e V的削减,证实了场强的改变对石墨烯顶端功函数的调控。当把r GS/CNTs混合纸卷成卷后,开启场可低至0.1 V/μm,最大发射电流密度超过2 A/cm2。最终将混合纸卷发射器封装为阴极制成场发射阴极荧光灯(Cathodoluminescent Lamp,CCL)后,可在110 V或220 V的家用电源下被驱动且无需变压器或其他外部电路。
4.针对石墨烯作为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)的阳极时存在转移后薄层电阻大和功函数低的问题,首先利用塑料边框辅助法减少了大面积单层石墨烯在转移过程中的破损,另外通过在PEDOT:PSS中加入二甲基亚砜和氟碳表面活性剂改善了普通PEDOT:PSS的浸润性和导电性,使得改进后的PEDOT:PSS可以均匀旋涂在石墨烯表面作为石墨烯的空穴注入层实现与上覆有机层更好的功函数匹配,最终旋涂有改进PEDOT:PSS的石墨烯阳极OLED被成功点亮,发光均匀性优于有着相同上