关键词:
碳纳米管
聚合物复合材料
电磁屏蔽性能
氮化硅纳米带
石墨烯
力学性能
摘要:
聚合物基复合材料因其密度小、耐腐蚀、柔韧性好、化学稳定性好、加工方便、价格低廉等特点而被认为是一种极具潜力的材料。发展具有良好柔性与高效电磁屏蔽性能的聚合物基电磁屏蔽材料,对于航空航天、可穿戴设备等领域的电磁防护方面有着非常重要的应用价值。然而传统聚合物基复合材料存在机械性能差,导电性能差等缺点,为此,本论文以氮化硅纳米带(SiNNR)薄膜为基底增强复合材料拉伸性能,在SiNNR表面生长碳纳米管(CNT)以及石墨烯(OSG)构筑导电网络,最后将碳纳米材料/SiNNR复合材料与聚二甲基硅氧烷(PDMS)结合制备出兼具柔性和良好电磁屏蔽效能的聚合物基电磁屏蔽材料。作为对比,在相同条件下也制备了SiNNR/PDMS纳米复合材料,以研究CNT和OSG的引入对SiNNR/PDMS纳米复合材料的微观结构、电磁屏蔽性能以及力学性能产生的影响。主要的研究内容和结果如下:
(1)不同工艺参数下制备的碳纳米材料/SiNNR复合材料的微观结构研究。研究结果表明:在生长条件相同时,适当的干凝胶质量对SiNNR薄膜有重要影响。随着生长温度的升高,CNT呈现从无序到取向的变化;CNT的长度随生长时间的增加而增加,CNT的长度不断提高。结晶性也越来越好。随着生长时间的延长,OSG在SiNNR表面包覆的愈来愈均匀,OSG的片层逐渐增大且逐渐变多,到了 12h时,开始连成一片。而OSG和SiNNR的面-面搭接相比于CNT和SiNNR的点-面搭接有利于导电性的增加和电磁屏蔽性能的增强。随着CNT长度的增长,ID/IG的值增加到147%,而随着OSG包覆程度的增加,ID/IG的值增加到69%,表明复合材料的缺陷有所增加。缺陷增加有利于提高复合材料的电磁屏蔽性能。
(2)具有不同微观结构的碳纳米材料/SiNNR/PDMS纳米复合材料的力学性能研究。随着CNT生长时间的增长,CNT/SiNNR/PDMS纳米复合材料的拉伸强度逐渐增大。与纯SiNNR/PDMS纳米复合材料相比,CNT/SiNNR/PDMS纳米复合材料的拉伸强度分别提高了 5%,38%,65%。与生长20 min和生长60 min CNT的复合材料相比,生长40 min CNT的复合材料具有更加优异的柔性。不同生长时间下制备的OSG/SiNNR/PDMS纳米复合材料的拉伸强度相较纯SiNNR/PDMS复合材料相比分别增加了 2%、35%、120%、163%。随着生长时间的增长,附着在SiNNR表面的OSG逐渐增多,OSG/SiNNR/PDMS纳米复合材料的拉伸强度也出现了逐渐增加的现象,生长8 h OSG的复合材料具有更加良好的柔性和弹性。OSG/SiNNR/PDMS纳米复合材料相较于CNT/SiNNR/PDMS纳米复合材料具有更加优异的力学性能。二维片状结构与一维管状结构相比具有更大的比表面积,随之增加的是二维片状结构与带搭接的面-面接触面积,因此,当材料脱离基底后,会导致材料断裂过程中所需的能量增加。
(3)具有不同微观结构的碳纳米材料/SiNNR/PDMS纳米复合材料的电磁屏蔽性能研究。纯SiNNR/PDMS纳米复合材料电磁屏蔽效能SET具有较低的电磁屏蔽效能,仅仅只有7.82 dB。随着生长时间的增加,CNT/SiNNR/PDMS纳米复合材料和OSG/SiNNR/PDMS纳米复合材料的导电性越好,生长60 min CNT的复合材料的平均SET值达到了 20.36 dB,比前两种复合材料分别提高了 42.8%和9.2%;生长12hOSG的复合材料的平均SET值达到了 36.15 dB,比前三种复合材料分别提高了 281%,162%和32%。CNT/SiNNR/PDMS纳米复合材料和OSG/SiNNR/PDMS纳米复合材料是高吸收材料。OSG/SiNNR/PDMS纳米复合材料比CNT/SiNNR/PDMS纳米复合材料电磁屏蔽效果更好。这是因为二维片状结构相较于一维管状结构具有更大的比表面积和与带搭接的面-面接触面积,这使其在复合材料进行导电网络构筑时更加具有优势。片层与片层直接的互相搭接也有助于电磁波的反射和吸收。