关键词:
AlN薄膜
纳米图案化衬底
石墨烯
生长机理
缺陷机理
摘要:
氮化铝(AlN)作为宽禁带半导体材料中的关键材料之一,具有大的禁带宽度、高的临界击穿场强、优异的紫外透光性和高的导热率等特点。AlN可与氮化镓(GaN)形成三元合金氮化铝镓(AlGaN),禁带宽度在3.4-6.2 eV连续可调,是新一代光电子器件、高温、高频和高功率微电子器件的核心基础材料。AlN凭借其独特优势展现出广泛的应用前景。由于大尺寸同质AlN单晶衬底制备困难,如何通过异质衬底实现高质量AlN薄膜的外延生长是亟待取得突破的方向。然而,外延层与异质衬底之间具有大的晶格和热膨胀系数失配。此外,Al原子具有高的表面扩散势垒使得AlN侧向生长能力较弱,导致在GaN薄膜外延取得显著成效的两步生长法对于提高AlN外延层晶体质量的效果较差。AlN层中高的位错密度和应力严重影响后续制备器件的性能。因此,探索突破大失配异质外延的技术和改善AlN外延层横向生长能力是.AlN材料制备的关键。由于石墨烯等二维材料层间为弱的范德华作用力,在石墨烯上外延氮化物不同于传统共价键外延,有望利用弱的界面作用力缓解晶格失配与热失配,获得高质量AlN薄膜。然而,目前石墨烯上AlN薄膜的位错密度普遍处于较高水平,对石墨烯上AlN的生长机理及其微观结构缺陷的研究仍然存在空缺,需结合二维材料进一步探索高质量AlN薄膜外延生长方法,并开展对AlN薄膜缺陷类型与起源研究,这对提高AlN薄膜的晶体质量具有重要意义。
针对以上研究重点,本论文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)和氢化物气相外延(HVPE)生长技术,结合二维材料,探索高质量AlN薄膜外延生长方法,并对AlN薄膜缺陷机理开展相关研究。具体研究内容如下:
1.纳米图案化衬底上AlN的外延生长与缺陷研究。主要内容包括:研究了在纳米图案化蓝宝石衬底(NPSS)和纳米图案化氮化铝模板(NPAT)衬底上生长AlN的表面形貌演变和缺陷演化,最终获得位错密度分别为9.62×108cm-2和2.77×108cm-2的AlN薄膜。研究了石墨烯/NPSS上Al原子的吸附行为和AlN的成核机制,发现Al原子倾向于优先在石墨烯缺陷处吸附,而AlN优先在石墨烯缺陷处成核生长。最终在石墨烯/NPSS上制备了低缺陷密度、极低应力(0.02 GPa)的AlN微米碟,为实现高质量AlN微纳结构或薄膜及器件制备开辟了创新的思路和方向。
2.石墨烯上AlN薄膜远程外延生长机理的研究。主要内容包括:研究了石墨烯在不同生长条件下的稳定性,发现高温下AlN衬底分解将导致石墨烯分解消失。研究了衬底表面氧化层对AlN远程外延的影响,结果显示AlN模板衬底表面存在类似于θ-Al2O3结构的氧化层,揭示了影响远程外延的重要原因。研究了 AlN/石墨烯/碳化硅(SiC)体系的界面特性,结果表明石墨烯能够协助衬底电荷衰减性地转移至外延层,揭示了远程外延界面的基本物理特性。研究了远程外延AlN薄膜的生长模式,发现单层石墨烯/SiC衬底上外延AlN薄膜将更快地趋向于层状生长模式。对远程外延生长机制的研究,有望突破传统异质外延大失配的固有特性,为二维/三维材料集成的器件应用夯实基础。
3.石墨烯上AlN薄膜缺陷机理的研究。主要内容包括:系统研究了石墨烯上AlN薄膜的缺陷类型与缺陷起源,结果表明石墨烯上AlN薄膜的位错类型主要以混合位错为主,区别于传统异质外延的主要以刃位错为主。远程外延AlN薄膜中存在孔洞、层错和反向畴等缺陷,并揭示了各种缺陷的起源。研究了石墨烯缺陷对外延层的影响,发现不同类型的石墨烯缺陷对外延层晶体质量的影响不同。通过实验表明远程外延AlN薄膜的应力相比于异质外延降低了约0.3 GPa,并揭示了远程外延的应变释放机制。对石墨烯上AlN薄膜缺陷类型与起源的研究,为采用二维材料改善AlN薄膜晶体质量提供了指导。