关键词:
Al掺杂石墨烯
第一性原理
MEMS
石墨烯传感器
摘要:
石墨烯凭借自身独特的光、电、磁、力等物理化学特性在众多领域受到持续关注,在航空航天、功能材料、电子信息、能源、生物医药、节能环保及其他众多领域都有着非常重要的潜在应用前景,然而,由于其本身的零带隙特性,限制了其在电子和光电子领域的应用。过去十几年间,理论和实验工作者尝试了大量方法来改善石墨烯特性,如结构缺陷、表面吸附、原子掺杂、应变调控等。
Al原子掺杂能够有效打开石墨烯带隙,石墨烯改性应用和传感器敏感元件缺陷效果表征均对缺陷石墨烯性能表征提出了要求。本文系统的研究了Al掺杂石墨烯在温度变化条件下的迁移特性和应变条件下的电子特性,并针对Al掺杂石墨烯迁移特性制造了温度传感器样机,完成了霍尔迁移率、电阻等参数测试。主要研究内容及结果如下:
(1)Al掺杂石墨烯结构与特性研究。基于密度泛函理论构建了不同浓度下的Al掺杂石墨烯稳定构型,采用第一性原理研究了温度变化下迁移特性的变化及应变条件下电子和光学特性的变化。结果表明,石墨烯带隙随着Al掺杂浓度的增加由0.4e V增大到1.45e V,在100~500K范围内,随着温度的增加,迁移率呈下降趋势,同时,引入应变作为调控因素,发现本征石墨烯和***%Al掺杂石墨烯的带隙随应变单调增加且保持直接带隙,然而***%、***%、***%的Al掺杂石墨烯在应变达到一定程度时从直接带隙转为间接带隙,而继续增加应变则会导致带隙减小。特别值得注意的是,在***%Al掺杂石墨烯中,通过掺杂应变共调控,出现了罕见的平带现象,这为研究关联特性下的新现象和新效应提供了理论基础,有望推动石墨烯在光电子器件领域的更广泛应用。
(2)Al掺杂-空位石墨烯结构与特性研究。基于密度泛函理论构建了Al掺杂-空位复合缺陷的稳定构型,采用第一性原理对电子结构开展了研究。结果表明,空位缺陷能打开石墨烯的带隙,而在施加应变后,能带由直接带隙变为间接带隙,Al掺杂-空位复合缺陷导致电子能级向高能转移,导致费米能穿过价带,与Al掺杂的石墨烯相比,带隙宽度有着较小的变化,但能带向高能转移更为明显。
(3)完成了石墨烯基温度传感器测试样机的制备,然后对其中部分器件表面的石墨烯进行Al掺杂。对其进行了XPS组分分析、拉曼表征、霍尔迁移率测试以及样机电学测量,电学测试结果显示,Al掺杂后的样品出现了明显的缺陷峰,ID/IG为0.84,结合样品2D峰红移现象,表明实现了有效的掺杂;平均霍尔迁移率由995.28 cm2/(V·s)上升至1462.93 cm2/(V·s);石墨烯器件平均电阻为2.86kΩ,Al掺杂石墨烯器件平均电阻为1.69kΩ电阻,平均电阻值降低了40.9%,明显降低,Al掺杂石墨烯传感器灵敏度为10.4Ω/℃,石墨烯温度传感器灵敏度为5.8Ω/℃,表明Al掺杂可以在一定程度上提高传感器灵敏度,同器件测试结果相对应,验证了仿真结果的正确性。