关键词:
IGBT
特征模型
多物理场耦合
键合线疲劳失效机理
数据处理
寿命预测
摘要:
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)因其驱动功率小、通流容量大和易于并联等优点,逐渐成为主流功率器件并广泛应用于新能源、智能电网、电机驱动和工业变流等领域。IGBT作为电力电子装置的核心部件,其可靠性是提升整个电力电子装置性能的基础,因此,针对IGBT可靠性研究中晚期失效的两大难点展开研究:IGBT疲劳失效机理和IGBT寿命预测。
针对目前IGBT多物理场耦合分析采用静态功率损耗导致有限元仿真精度低、边界条件理想化导致未能结合实际工况以及现有键合线疲劳失效研究不完整一未考虑二极管芯片键合线等问题,以BPJ5-630/1140矿用变频器中逆变器部分IGBT为研究对象,提出了一种考虑其应用工况,结合IGBT特征模型来完整分析其多物理场耦合下键合线疲劳失效机理的方法。首先,建立FZ800R33KF2C型IGBT三维模型,再通过仿真与实验方法验证ANSYS Simplorer搭建的IGBT特征模型动态特性,得到矿用逆变器额定工况下IGBT芯片和二极管芯片瞬时功率损耗,并根据矿用逆变器温升实验确定隔爆腔内环境温度参数。最后,在ANSYS Workbench平台下进行热-电-力多物理场耦合有限元仿真,完整分析了不同芯片下键合线脱落对IGBT的影响。分析表明:在大功率IGBT键合线多物理场耦合分析中不能忽略二极管芯片及其键合线,IGBT芯片键合线脱落占总数62.5%及以上或二极管芯片键合线脱落数占总数33%及以上时,IGBT结温超过最大工作温度,且温升和等效应力迅速增大。在二者共同脱落的情况下,二极管芯片键合线脱落对IGBT影响更大。
针对传统寿命预测模型预测精度不足、数据特征挖掘不充分等问题,提出了结合互补集合经验模态分解(Complementary Ensemble Empirical Mode Decomposition,CEEMD)和相空间重构(Phase Space Reconstruction,PSR)的Tent混沌映射改进鹈鹕算法(Tent Pelican Optimization Algorithm,TentPOA)优化长短期记忆网络(Long Short-term Memory,LSTM)的寿命预测模型。首先,分析IGBT寿命表征参数及老化数据样本,考虑训练数据的完整性和真实性,确定选用NASA PCoE实验室公开IGBT老化数据中集-射极关断峰值电压VCE-P为IGBT寿命表征参数并作为原始数据集。再通过CEEMD分解和PSR挖掘数据潜在信息和扩充数据样本,并引入过零率优化数据处理流程,实现高效构建高质量训练数据集。最后,在Tent混沌映射改进POA算法优化LSTM预测模型下进行IGBT寿命预测,并与其他预测模型进行对比分析。分析表明:以LSTM模型预测结果为基准,所构建的TentPOA-LSTM寿命预测模型,其预测结果对比POA-LSTM预测模型评价指标MAE相对下降18.21%、RMSE相对下降10.71%、MAPE相对下降18.22%、R2相对提升178.8%,验证所提出模型的优越性。
所提出的疲劳失效分析方法完善了 IGBT键合线失效机理分析,为进一步研究与实际工况相结合的IGBT多物理场耦合有限元仿真提供参考。所构建的IGBT寿命预测模型表现出良好的预测精度和稳定性,具有一定的工程应用价值。