关键词： 碳化硅晶须   压力铸造   金属复合材料  

摘要： 本文利用挤压铸造法成功制备了ＳｉＣ_ｗ／Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ复合材料。采用化学分析、电子探针和扫描电镜等分析测试手段对材料进行化学分析和组织观察。结果表明，所获得的复合材料样品中晶须分布均匀，各合金元素含量均可控制在成分设计范围内。拉伸试验结果表明，ＳｉＣ_ｗ／Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ复合材料具有较优异的综合拉伸性能。

关键词： 复合材料   碳化硅晶须   铝   界面   残余应力   加工硬化   强度差与包申格效应   断裂  

摘要： 该文利用透射电镜、高分辨电镜、扫描电镜、电子拉伸机以及透射电镜原位拉伸技术研究了挤压铸造SiCw/Al(L1,LT66,LD2)复合材料变形前后晶须与基体及界面的结构、变形的不均匀性、影响强度的主要因素、加工硬化行为、拉压强度差效应与包申格效应、循环变形特征、以及裂纹的萌生与扩展机制.研究结果表明,β-SiC晶须内含大量孪晶及层错,其纵截面边缘呈锯齿状,此外,在晶须的表面还可发现α结构台阶及9R结构枝状物.这种表面状态,尤其是9R结构易于造成局部应力集中,在SiCw/Al复合材料的变形过程中,晶须表层出现变形不全位错.透射电镜下的动态拉伸原位观察表明:SiCw/Al复合材料中裂纹的萌生方式主要为:(1)晶须断裂;(2)近界面区基体开裂;(3)晶须富集区中基体撕裂,晶界与晶须阻碍裂纹的扩展.裂纹与晶须相遇时,裂纹以绕过或晶须拨出机制扩展.对于SiCwL1复合材料,晶须富集区内基体中的微裂纹易于扩展成主裂纹,主裂纹与其前方的微裂纹通过内颈缩联接的方式扩展;而SiCw/LD2复合材料,微裂纹不易扩展,通过微裂纹之间基体的剪切断裂导致材料断裂.

关键词： 碳   复合材料   碳化硅   晶体生长   晶须  

摘要： 根据碳化硅晶须生长的特定驱动力要求，运用多孔体中气相传输模型预测了碳化硅晶须厚位生长的条件。预测结果与实验结果一致。

关键词： 碳化硅晶须   铝碳砖   强度  

摘要： Ａｌ２Ｃ３－Ｃ制品中添加硅粉时，经１１００℃－１５００℃热处理后有ＳｉＣ晶须生成。ＳｉＣ晶须是由硅粉和炭发生反应而生成，其生成量随硅粉含量的增加而增多。实验表明，ＳｉＣ晶须生成后能明显提高制品的强度。

关键词： 晶须   陶瓷刀具   碳化硅   缺陷  

摘要： 本文观察分析了两种国产ＳｉＣ晶须的表面杂质元素和形貌，得知晶须Ａ表面光滑，其中有少量晶须是弯曲状，晶须Ｂ比较平直，表面粗糙．晶须Ａ中包含有许多堆垛层错（Ｓｔａｃｋｉｎｇｆａｕｌｔｓ），人字状花纹缺陷（Ｃｈｅｖｒｏｎｄｅｆｅｃｔｓ）和锯齿状缺陷，而晶须Ｂ中仅观察到有堆垛层错．测试了这两种晶须增韧的氧化铝陶瓷刀具材料的性能，并探讨了晶须增韧氧化铝陶瓷刀具材料的机理．

关键词： 碳多孔体   碳化硅   晶体生长   晶须   固态反应  

摘要： 根据碳化硅晶须生长的特定驱动力要求，通过实验和建立气相传输模型研究了碳多孔体中碳化硅晶须原位生长的条件．模型和实验研究均表明，温度和多孔体表面气相组成对多孔体内的晶须原位生长起决定作用；体内附加反应的设置可以改变晶须生长所要求的温度和表面气相条件．

关键词： 晶须   结构   碳化硅   特性  

摘要： 本文从晶须的形貌、内部结构、表面化学组成，以及晶须内部杂质含量等诸多方面详细地研究了国产ＢＰ晶须，并将ＢＰ晶须和美国、日本进口的晶须进行了比较。结果表明，国产晶须的各项指标距进口晶须的距离并不大，在某些指标上甚至达到和超过了进口晶须。

关键词： 碳化硅晶须   氧化锆   陶瓷   涂层  

摘要： 本文用ＸＰＳ和ＩＲ测定了ＳｉＣ＿ｗ／（Ａｌ＿２Ｏ＿３，莫来石）涂层／ＴＺＰ陶瓷复合材料的界面化学键。结果表明ＳｉＣ＿ｗ／Ａｌ＿２Ｏ＿３、莫来石、ＴＺＰ界面为化学结合而Ａｌ＿２Ｏ＿３、莫来石／ＴＺＰ界面为物理结合。

关键词： 氮化铝   复合材料   碳化硅   陶瓷  

摘要： 本研究应用热压工艺制备了致密ＳｉＣ＿ｗ／ＡｌＮ复合材料，其晶须的质量含量为１０％～３０％。当复合材料中晶须的质量含量达到３０％时，其弯曲强度增加了８５％，韧性提高了５０％。用ＳＥＭ和ＴＥＭ观察了材料的显微结构，指出弯曲强度增加是由于荷载从基体转移到晶须。断裂韧性的增加是由于裂纹偏转、裂纹分支和钉扎等作用引起。用ＨＲＥＭ对ＡｌＮ基体与ＳｉＣ晶须界面进行了初步分析和研究。