关键词： SiC晶须   复合材料   定向排布   增韧机理  

摘要： 该文深入系统地研究了以下三方面的问题:(1)晶须预处理对晶须表面特性和SiC(w)/Si<,3>N<,4>复合材料力学性能的影响;(2)晶须定向排布技术以及对SiC(w)/Si<,3>N<,4>复合材料的烧结行为、力学性能、电学性能等方面的影响;(3)晶须增韧机理与其方位角的关系研究.力求深入理解晶须在复合材料中的作用,进一步认识晶须增韧陶瓷基复合材料的组成、结构、工艺和性能之间的关系,从而提高晶须在复合材料中的增韧作用,进一步提高复合材料的力学性能.

关键词： 充填式浮选柱   表观充气流率   含气量   评价   碳化硅   晶须   碳化硅晶须   分离  

摘要： 该论文研究了SiC晶须与颗粒及碳的物理及化学性质,认为上述三种产品的分离属于微细粒分选工艺.在综述了浮选柱的研究现状和发展趋势之后,分析了充填式浮选柱特点并与传统浮选柱进行了对比;系统分析了浮选柱气泡动力学,认为表观充气流率和含气量是决定浮选柱气泡动力学的关键;探讨了充填式浮选柱的最佳工艺参数和浮选柱的工作评价方法;该论文主要三项工作是:用充填式浮选柱分离SiC颗粒和晶须并与浮选槽做比较;用充填式浮选柱分离SiC颗粒和C并与浮选槽做比较;改进充填式浮选柱,填加循环系统,浮选分离SiC颗粒和C.得出充填式浮选柱在分离上述三种产品时有较好的效果.

关键词： 晶须   碳化硅晶须   晶体  

摘要： 利用现代分析仪器对稻壳法生长的ＳｉＣ晶须（中试条件下生产产品）的结构特性进行分析测试，结果表明：晶须品位较高（＞９７％），晶须外形挺直，表面光洁，长度、直径分布均匀、集中，晶须中缺陷杂质含量和以前产品相比明显降低，各项指标均已达到或接近国外同类产品标准。

关键词： 碳化硅晶须   铝基   复合材料   错配应力温度  

摘要： 分析SiCw／Al复合材料热错配应力变化规律，建立零错配应力温度的概念及近似计算公式.对压铸和挤压态的SiCw／LD2材料，依次进行固溶时效及－78℃－196℃处理.研究热错配应力随温度的变化规律，证实了零错配应力温度的存在.

关键词： 碳化硅   纳米晶须   微波合成   陶瓷   晶须增韧  

摘要： SiC nanometer whisker, whose diameter was about 50nm and purity was 98.54%, was synthesized by microwave heating in an atmosphere of argon. Char pyrolyzed phenolformaldehyde resin and SiO2 nanometer powder were used as starting materials. The properties of the whisker were determined by XRD and TEM. The mechanism for synthesizing SiC nanometer whisker was discussed.

关键词： 金属基   复合材料   组织结构   碳化硅晶须  

摘要： 研究了在高压静电场作用下，经过预处理的SiC晶须在含有适量非离子表面活性剂的氟里昂（R－113）中单向排列的工艺，探讨了SiC晶须单向排列可能的机理。结果表明，在高压静电场的作用下，SiC晶须首先极化并且在电场力的作用下朝着静电场方向定向排列。

关键词： 碳化硅晶须   碳化钛   复相陶瓷   强韧化   ZTA  

摘要： 四方氧化锆相变增韧、碳化硅晶须补强、碳化钛粒子弥散强化，同时引入一个新的陶瓷基复合材料系统中产生了叠加的强韧化效果．热压ＺＴＡ－ＳｉＣｗ－ＴｉＣ复相陶瓷材料与Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣｗ－ＴｉＣ相比具有更好的综合机械性能．碳化钛在基体中形成连续的骨架阻碍晶粒的长大，随着碳化钛含量的增加，基体的硬度明显增加．主要强韧化机理有相变增韧、晶须拔出、载荷转移、裂纹偏转等．

关键词： 反应机理   合成   晶须   碳化硅晶须   工艺  

摘要： 本文研究了βＳｉＣＷ合成工艺参数和反应历程，提出了合成工艺优化参数，确定了反应进行的步骤。通过对晶须形貌、晶型、杂质含量的分析。

关键词： 碳化硅晶须   晶体缺陷   晶体生长   VS生长机理  

摘要： 本文以稻壳为原料，对非金属催化剂合成的多节状ＳｉＣ晶须（简称ＳｉＣｗ）进行了研究，运用ＴＥＭ、ＸＲＤ等分析检测技术，对ＳｉＣｗ的形貌及显微结构进行了分析。研究表明：ＳｉＣｗ产品以直晶为主，表面粗糙，呈多节状；晶须以βＳｉＣ为主要晶型，少量αＳｉＣ以孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外，机理研究表明。

关键词： 碳化硅晶须   复合材料   残余应力   金属基  

摘要： 采用Ｘ射线宏观应力测试方法，测量ＳｉＣｗ／ＬＤ２复合材料的热残余应力，应用盲孔及电阻应变片技术，研究热残余应力对宏观应变释放的影响。结果表明，热残余应力在材料表面呈三向拉应力状态，且不能引起宏观应变释放，是伪宏观残余应力。冷处理可降低复合材料的热残余应力。