关键词： 碳化硅晶须   生长机理   制备方法  

摘要： 比较详细地介绍了当前国内外碳化硅晶须的生长机理与制备方法，简要评述了对碳化　硅晶须研究的进展状况。

关键词： 气压烧结   碳化硅晶须   增韧   氧化铝基陶瓷   刀具材料  

摘要： 本文介绍了用气压烧结SiCW 增韧Al2 O3 基陶瓷刀具的工艺 ,对气压烧结机理进行了分析 ,指出了气压法烧结SiCW 增韧Al2

关键词： 碳化硅晶须   晶核生成   基晶形成   晶须生长   晶体化学   VLS生长机理  

摘要： 讨论 Si C晶须生长的主要过程 ;晶核的生成、基晶的形成及晶须的生长。

关键词： 碳化硅   晶须补强   莫来石复合材料   SPS工艺   烧结致密化   陶瓷材料  

摘要： 采用SPS工艺制备了SiC晶须增强莫来石基复合材料。SEM分析结果表明 ,SiC晶须在莫来石基体中分布均匀 ,看不到晶须团聚 ,晶粒中可看到由于快速烧结而导致的微气孔残留 ;晶须的拔出、解离非常明显 ,是主要的晶须增韧机制。SiC晶须的取向 ,在热压烧结条件下呈各向异性。在不同方向的裂纹扩展、亦即材料的断裂韧性 ,也表现出明显的各向异性。采用 3 0vol%SiC晶须增强莫来石 ,SPS烧结条件下材料强度比热压高 10 %左右 ,为 5 70MPa ,KIC为 4.5MPa .m1/ 2 ,比纯莫来石提高 10 0 %以上。同HP法烧结相比 。

关键词： 碳化硅晶须   铝基复合材料   残余应力   应力松弛   X射线衍射   管状挤压态  

摘要： 利用 X射线应力测量方法 ,研究挤压态 2 0 vol% Si Cw/ 6 0 6 1Al复合材料中残余应力 ,发现复合材料中存在较大的残余应力 ,而且各方向的残余应力分布很不均匀。动态测量去应力退火期间复合材料残余应力的高温松弛过程 ,证实高温状态下残余应力按幂指数的方式发生松弛。基于蠕变机制 ,分析残余应力的高温松弛行为 。

关键词： 层状材料   分隔层   复合材料   碳化硅晶须   长柱状β-氮化硅   陶瓷   力学性能  

摘要： 用 Si C晶须和长柱状β- Si3N4对 Si3N4/ BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化。轧膜工艺对 Si C晶须和原料中存在的少量 β- Si3N4晶粒有一定的定向作用 ,而基体层中定向分布的 Si C晶须和长柱状的 β- Si3N4晶粒对基体层的强韧化作用类似于块体材料 ,其抗弯强度和断裂韧性的提高幅度都大于 5 0 % ;分隔层中β- Si3N4的定向度较差 ,但这有利于形成网状结构 ,在分隔层中起到骨架的作用 ,同时还可以增加裂纹的扩展长度 ,改善分隔层与基体层的界面结合状态。最终得到性能最佳的材料的成分为 Si3N4+2 0 wt% Si C晶须 (基体层 ) ,BN+15 vol% β- Si3N4(分隔层 ) ,其断裂功可达 482 0 J/ m2 ,抗弯强度仍可保持在 6 5 0

关键词： 碳化硅晶须   镁基复合材料   低温处理   预塑性变形   残余应力  

摘要： 结合理论分析 ,介绍了复合材料热残余应力的调整机制 ,分别采用低温处理及预变形方法调整碳化硅晶须镁基复合材料中残余应力。复合材料经过低温处理及预拉伸塑性变形后残余应力明显降低 。

关键词： 碳化硅   纳米晶须   制备   双重加热炉   陶瓷  

摘要： 以SiO2 纳米粉和自制的树脂热解炭作原料 ,用一种新的加热设备———双重加热炉合成了直径在 5～ 3 0nm范围内、长径比在 5 0～ 3 0 0之间的碳化硅纳米晶须 .用化学分析方法、X射线衍射仪、透射电子显微镜等手段对碳化硅纳米晶须进行了表征 .研究结果表明 :用双重加热炉合成碳化硅纳米晶须的最佳温度范围为 12 5 0～ 13 0 0℃ ,恒温时间为 60～ 75min ,碳化硅纳米晶须的产率最高可达 82 % (质量分数 )

关键词： 碳化硅晶须   碳化钛颗粒   氧化铝   热处理   裂纹愈合   抗弯强度   陶瓷复合材料  

摘要： 系统地研究了不同温度下的热处理对 ＴｉＣｐ／Ａｌ２Ｏ３及 ＳｉＣｗ／Ａｌ２Ｏ３两种陶瓷复合材料表面裂纹及强度的影响．结果表明：在热处理温度为１０００～１４００℃时，两种材料表面压痕裂纹出现不同程度自愈合现象，材料的抗奇强度大幅度提高．裂纹愈合机理主要为扩散作用及材料表面的氧化反应．材料表面反应物层的微观形貌及热物理性能决定了材料抗弯强度的提高幅度．热处理引起的应力松弛也有利于材料强度的提高，但氧化过程中产生的表面气孔会引起材料强度的下降．

关键词： 碳化硅晶须   MB15   金属基复合材料   断裂行为  

摘要： 扫描电镜下采用动态拉伸法 ,原位观察 Si Cw/ MB15复合材料在动态受载条件下裂纹形成、扩展至断裂的全过程 ,并对断口进行了分析。结果表明 ,裂纹主要在折断的晶须处萌生 ,在主裂纹前端应力集中区内长大、连结 。